《数字电子技术基础 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:西安电子科大

作者:冯毛官//初秀琴//杨颂华

出品人:

页数:143

译者:

出版时间:2010-4

价格:14.00元

装帧:

isbn号码:9787560624129

丛书系列:

图书标签:

• 数字电子技术
• 电子技术
• 基础
• 电路
• 数字电路
• 模拟电路
• 半导体
• 电子工程
• 通信原理
• 计算机硬件

晶体管电路与集成系统设计精要 本书旨在为电子工程、通信工程以及相关领域的学生和工程师提供一套全面、深入的晶体管电路设计与集成系统实现的知识体系。全书聚焦于现代电子系统的核心——半导体器件在模拟和数字电路中的应用，并逐步引导读者理解如何将这些基础构建模块转化为复杂、高效的集成系统。 第一部分：半导体器件的物理基础与特性 本部分将从最基础的半导体物理学原理出发，为后续的电路分析奠定坚实的理论基础。 第一章：半导体材料与能带理论 深入探讨本征半导体与杂质半导体的导电特性。详细阐述能带理论在理解载流子输运机制中的作用，包括价带、导带、费米能级的位置对材料电学特性的决定性影响。重点分析N型和P型掺杂的物理过程及其对载流子浓度的影响。 第二章：PN结的形成与基本特性 系统讲解PN结的形成过程，包括内建电场、耗尽区的形成与宽度。全面分析PN结在不同偏置条件下（零偏、正偏、反偏）的伏安特性曲线，深入剖析二极管的开关特性、反向恢复时间以及雪崩击穿与齐纳击穿现象。引入PN结模型，用于电路仿真与分析。 第三章：双极型晶体管（BJT）的结构与工作原理 详尽介绍NPN和PNP晶体管的结构、载流子注入与收集过程。重点阐述BJT的三个工作区（截止区、放大区、饱和区）的物理机制和电学特征。详细推导Ebers-Moll模型和混合$pi$模型，并讨论其在小信号分析中的应用，包括跨导($g_m$)和电流增益($eta$)的物理意义。 第四章：场效应晶体管（FET）的机制与模型 覆盖金属氧化物半导体（MOS）结构的基本概念，是理解CMOS技术的核心。详细分析MOS电容器的工作状态（强反型、弱反型、阈值导通）。深入讲解NMOS和PMOS晶体管的结构、阈值电压的确定、以及在不同工作区（截止、线性/欧姆区、饱和区）的I-V特性曲线。引入BSIM模型系列，作为现代IC设计的基础模型。 第二部分：模拟晶体管电路设计 本部分侧重于如何利用晶体管搭建实现信号放大、偏置和滤波等模拟功能的核心电路。 第五章：晶体管偏置技术与直流分析 讨论稳定偏置电路的设计原则，确保晶体管工作在所需的放大区。详细分析分压式偏置、电流源偏置（含晶体管实现的自偏置技术），以及对温度漂移的补偿技术。进行严格的直流工作点分析（Q点确定）。 第六章：单级和多级晶体管放大器 系统介绍BJT和MOS晶体管的基本放大电路组态：共源极、共基极、共集电极（或共栅、共源、共源跟随器）。运用小信号模型对这些基本单元进行增益、输入/输出阻抗、频率响应的精确计算。重点分析共源共栅（Cascode）结构在提高输出阻抗和带宽方面的优势。 第七章：反馈放大器原理与应用 深入讲解负反馈在提高线性度、扩展带宽和控制输入/输出阻抗中的关键作用。详细介绍反馈的四种基本拓扑结构（串联-串联、并联-并联等），并利用波德图分析反馈系统的稳定性，引入相位裕度和增益裕度的概念。 第八章：晶体管在有源滤波器中的应用 介绍如何利用晶体管搭建有源电阻，并结合运算放大器（作为理想的反馈单元）实现高Q值的二阶滤波器（如Sallen-Key拓扑）。讨论有源电路在低频段实现高品质因数电路的优势。 第三部分：集成电路实现与系统级考量 本部分将视野从单个器件扩展到集成电路的制造工艺、布局布线，以及数字系统的基本逻辑实现。 第九章：CMOS集成电路制造概述与版图设计 概述半导体制造工艺流程（光刻、刻蚀、薄膜沉积等）对器件特性的影响。详细讲解CMOS器件的版图设计规则（Design Rule Check, DRC），包括沟道长度/宽度的选择、匹配器件的对称性布局（如镜像、共质心技术），以及提高抗串扰和寄生效应的布局技巧。 第十章：CMOS数字逻辑门电路 详细分析CMOS反相器（Inverter）的静态和动态特性，包括其电压转移特性（VTC）和功耗。系统推导两输入CMOS逻辑门（NAND, NOR）的构建原理。深入讨论动态CMOS逻辑（如Pass-Transistor Logic, PTL）和推挽（Push-Pull）结构的优缺点，重点分析其静态功耗和延迟特性。 第十一章：组合逻辑电路的实现与优化 讨论如何利用CMOS基本门阵列实现复杂的组合逻辑功能，如加法器（半加器、全加器）、多路选择器和译码器。引入逻辑综合的概念，讨论如何通过优化晶体管的尺寸（W/L比）来平衡速度和面积。 第十二章：时序逻辑电路与存储单元 介绍基本的时序元件，如锁存器（Latch）和触发器（Flip-Flop）。深入分析主从结构触发器（Master-Slave FF）的工作机制，及其在同步数字系统中的时序约束（建立时间和保持时间）。讲解静态随机存取存储器（SRAM）的基本单元结构（6T Cell）及其读写操作原理。 全书结构严谨，从微观物理深入到宏观系统，力求理论深度与工程实践相结合，使读者不仅知其然，更能知其所以然，为后续高性能、低功耗集成电路设计打下坚实基础。

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