Quantum Optics pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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☆☆☆☆☆

出版者:Springer

作者:D.F. Walls

出品人:

页数:437

译者:

出版时间:2008-2-6

价格:USD 99.00

装帧:Hardcover

isbn号码:9783540285731

丛书系列:

图书标签:

• 量子光学
• 光子学
• 量子力学
• 电磁学
• 非线性光学
• 腔量子电动力学
• 量子信息
• 量子计算
• 原子物理
• 光学物理

电子学基础与器件原理：深入解析与应用 内容简介 本书旨在为读者提供一套全面而深入的电子学基础理论与核心器件工作原理的知识体系。它不仅涵盖了从经典电路理论到半导体物理基础的广阔领域，更聚焦于现代电子技术的核心——集成电路的构成与功能实现。本书结构严谨，逻辑清晰，内容详实，旨在帮助工程技术人员、相关专业学生以及对电子学有浓厚兴趣的自学者构建坚实的理论基石，并掌握分析和设计电子系统的实用技能。 本书共分为五个主要部分，每一部分都层层递进，确保知识的连贯性和深度。 第一部分：电路理论的基石与分析方法 本部分奠定了整个电子学学习的数学和物理基础。我们首先回顾了电路分析所需的关键数学工具，包括复数运算、傅里叶级数与变换，这些工具是处理交流电路和非正弦信号的必备基础。 线性电路分析是本部分的核心。我们详细讲解了欧姆定律、基尔霍夫定律（KCL和KVL）的严格应用。接着，系统性地引入了电路分析的拓扑方法，包括节点电压法和网孔电流法，并通过实际案例展示了如何利用这些方法求解复杂的直流（DC）和交流（AC）稳态电路。 对于瞬态响应分析，本书深入探讨了一阶和二阶电路的暂态行为。RL、RC以及RLC电路在阶跃输入或初始条件下的响应被细致推导，特别是如何利用微分方程求解这些过程，并强调了时间常数在理解电路动态行为中的重要性。 此外，我们引入了电路分析的强大工具：拉普拉斯变换。本书不仅仅将其视为一种求解方法，而是作为连接时域和s域分析的桥梁，用于处理更复杂的瞬态和稳态问题，尤其擅长于系统地处理零输入响应、零状态响应以及系统的固有频率。 最后，本部分介绍了正弦稳态分析，重点讲解了阻抗和导纳的概念，交流电路的功率计算（包括平均功率、无功功率和视在功率），以及最大功率传输定理在线路设计中的应用。对交流电路的相量图绘制与分析技巧也进行了详尽的阐述。 第二部分：半导体物理与二极管基础 本部分是理解现代电子器件工作机制的物理基础。我们从宏观的固体物理背景出发，逐步深入到半导体的微观世界。 半导体基础物理部分详述了晶体结构、能带理论（价带、导带、禁带），以及费米能级的概念。随后，本书重点分析了本征半导体和掺杂半导体的导电机制，区分了N型和P型半导体的载流子浓度和迁移率。 PN结的形成与特性是本部分的重中之重。我们详细分析了PN结的形成过程、势垒电势的建立，以及内建电场的作用。通过对不同偏压（零偏、正向偏置、反向偏置）下的载流子扩散与漂移过程的定量分析，导出了PN结的伏安特性曲线。本书特别强调了雪崩击穿和齐纳击穿的物理机制，以及如何利用这些特性设计保护电路。 在此基础上，我们系统地介绍了关键二极管类型及其应用，包括： 稳压二极管（Zener Diode）：深入探讨其稳压原理、动态电阻，及其在电源稳压电路中的具体设计实例。 隧道二极管（Tunnel Diode）：分析其负微分电导特性，及其在超高频振荡器中的应用潜力。 光电器件：详细讲解了光敏电阻、光敏二极管（Photodiode）和发光二极管（LED）的工作原理、光谱响应和效率参数，为后续的光电子学打下基础。 第三部分：晶体管：BJT与MOSFET的深度剖析 本部分聚焦于电子学中最核心的开关和放大元件——双极性结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。 BJT分析 我们从BJT的物理结构入手，解释了NPN和PNP晶体管的构造。重点讲解了不同工作区（截止区、放大区、饱和区）的载流子输运机制。书中详细推导了BJT的I-V特性曲线，并引入了混合$pi$模型和T模型，用于小信号交流分析。本书对BJT的参数（如$eta$、$alpha$、$r_{pi}$、$r_o$）的物理意义和相互关系进行了清晰的梳理，并展示了如何利用这些模型分析共射、共基、共集电路的电压增益、电流增益和输入/输出阻抗。 MOSFET分析 本书花费大量篇幅介绍MOSFET，因为它在现代数字电路中的主导地位。我们从MOS电容的基本原理讲起，详细分析了阈值电压的形成，以及增强型和结型MOSFET的结构差异。 对于功率场效应晶体管（Power MOSFET），本书深入分析了其导通电阻$R_{DS(on)}$的构成，以及如何通过选择合适的沟道长度和宽长比来优化其性能。 在工作模式分析上，详细讲解了MOSFET的截止区、线性区（欧姆区）和饱和区的载流子输运机制，并推导了其输出特性曲线。小信号交流分析时，本书着重讲解了跨导$g_m$的意义，并应用于共源、共栅、共漏（源极跟随器）电路的增益和输入/输出阻抗分析。特别地，本书还探讨了体效应（Body Effect）对阈值电压的影响，这是理解实际CMOS电路性能的关键因素之一。 第四部分：晶体管放大电路的偏置与频率响应 本部分将前两部分的器件知识应用于实际的放大电路设计。 直流偏置技术是保证放大器稳定工作的前提。本书详细比较了不同偏置电路（如固定偏置、分压器偏置、发射极自偏置等）的优缺点，并引入了稳定性因子（S）的概念，用于评估电路对$eta$或$I_{CEO}$变化的敏感度，指导工程师选择最合适的偏置点。 单级放大器分析是本部分的核心。对于BJT和MOSFET放大器，本书从输入阻抗、输出阻抗、电压增益和电流增益四个维度系统地分析了共射/共源、共基/共栅、共集/共源跟随器的性能指标。 频率响应分析是理解放大器在实际工作条件下性能的关键。我们详细分析了晶体管模型中的寄生电容（如密勒电容$C_{mu}$），并将其引入到放大器模型中。本书通过中频、低频和高频三个频段的分析，解释了开路电压增益的频率特性。低频响应主要关注耦合电容和旁路电容的影响，而高频响应则聚焦于密勒效应和晶体管本身的过渡频率$f_T$与最大振荡频率$f_{max}$。 第五部分：多级放大、反馈与运算放大器 最后一部分将视角从单级电路扩展到复杂系统，并引入了负反馈理论。 多级放大器的连接方式（串联、级联）及其对总增益、带宽的影响被详细阐述。我们重点分析了共源-共源、共射-共源等常见组合的级联特性，以及如何利用共栅或共源极配置来提高高频性能。 负反馈原理是本部分的核心理论贡献。本书清晰界定了几种基本反馈组态（串联电压、并联电压、串联电流、并联电流），并推导出反馈对增益、输入阻抗、输出阻抗和带宽的影响。特别强调了波德图（Bode Plot）在分析反馈系统稳定裕度（相位裕度和增益裕度）中的应用，这是判断电路是否会振荡的关键工具。 集成电路中的运算放大器（Op-Amp）是本书的收尾高潮。我们从理想运放模型开始，逐步引入共模抑制比（CMRR）、开环增益和输入失调电压等非理想参数。随后，本书深入解析了如何利用运放搭建基础电路：反相放大器、同相放大器、电压跟随器、加法器、减法器、积分器和微分器。对于实际运放电路的非理想效应，如输入偏置电流和失调电压对输出精度的影响，提供了量化的分析方法和补偿方案。 本书的每一章都配有大量的例题和习题，旨在巩固读者的理论理解并培养其实际的设计和故障排除能力。它是一本深入理解现代电子系统物理基础和电路实现逻辑的权威参考书。

评分☆☆☆☆☆

优点：内容上比起Scully更具有前沿性和广泛性，介绍理论时能和具体的实验工作相结合。叙述上言简意赅，推导思路清晰简明。话题选择上偏重连续变量，非线性系统。 缺点：大量的typo。对物理图像的描绘一般采用一种简明的手法，逻辑链条更清晰，但不如Scully细腻丰富，这方面仁者...

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concise and accurate。但是跳步很多，需要看reference,或者自己推推。还发现了其中一个计算错误。。

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