具体描述
本书是作者多年来在微波和光通信技术领域工作、学习、研究和教学过程中获得知识和经验的总结。本书主要研究内容包括微波信号网络矩阵技术和噪声网络矩阵技术，和依此为基础的场效应晶体管射频微波建模和测试技术。其中，微波射频场效应晶体管小信号等效电路模型，大信号非线性等效电路模型和噪声模型，以及模型参数的提取技术是本书的重点。
本书可以作为微波专业和电路与系统专业的高年级本科生和研究生教材，也可以供从事集成电路设计的科研人员参考。
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用户评价
《场效应晶体管射频微波建模技术》——这个书名对我而言，不仅仅是一本技术书，更是一条探索射频微波领域核心技术秘密的必经之路。在我的学习生涯中，我接触过不少关于射频电路的书籍，但总觉得在器件建模这一环节，要么过于简略，要么缺乏系统性。特别是场效应晶体管（FET），它们在高频下的表现与低频时大相径庭，如何将其复杂的高频特性转化为能够被仿真工具精确捕捉的模型，一直是我的一个挑战。我非常期待这本书能够系统地讲解FET在高频下的行为机制，以及如何基于这些机制建立数学模型。对于MOSFET，我希望书中能够详细阐述其寄生电容（栅-源、栅-漏、漏-源）在高频下的频率依赖性，以及如何从S参数测量数据中提取这些参数，构建出准确的小信号等效电路模型。对于GaAs基的FET，如MESFET和HEMT，我同样充满了好奇。我希望能深入了解它们在高电子迁移率效应下的特殊性能，以及如何建立能够精确描述其低噪声和高功率特性的模型。特别地，我关注书中是否会深入探讨非线性建模。功率放大器和混频器等射频模块的设计，离不开对器件非线性特性的精准刻画。我希望书中能够提供关于如何建立能够反映器件谐波、互调失真等非线性行为的模型，并指导我如何在仿真软件中应用这些模型进行电路设计和优化。如果书中能够包含一些实际的建模案例，展示如何根据器件的实际测量数据来构建和验证模型，那将极大地提升其工程实用性。我期待这本书能够为我提供扎实的理论基础和实用的工程经验，让我能够更自信地应对射频微波电路设计中的建模挑战。
评分当目光掠过《场效应晶体管射频微波建模技术》这个书名时，我的大脑立即闪过无数与射频微波设计相关的疑问和挑战。作为一名在电子工程领域摸索多年的学习者，我深知场效应晶体管（FET）在现代射频和微波系统中扮演着不可或缺的角色，从基础的放大器到复杂的通信收发器，都离不开它们的身影。然而，将这些器件的特性转化为能够被仿真软件理解和应用的精确模型，却是我一直以来面临的难题。我希望这本书能够提供一套系统性的解决方案，详细阐述场效应晶体管在射频和微波频率下的物理行为，以及如何将其转化为数学模型。我尤其对书中关于如何从器件物理结构出发，推导出其高频等效电路模型的过程感兴趣。例如，对于MOSFET，我希望了解栅-源电容、栅-漏电容、漏-源电容等寄生参数的精确计算方法，以及如何考虑沟道长度调制效应、体效应等对模型精度的影响。对于GaAs基的MESFET和HEMT，我期待能够深入理解其沟道传输特性、肖特基结特性，以及如何构建准确的非线性模型，以用于分析和设计功率放大器和低噪声放大器。书中是否会介绍如何利用S参数数据进行模型参数的提取和验证，这将是我非常看重的一个方面，因为实际器件的S参数数据是检验模型准确性的最佳依据。我也希望，本书能够涵盖不同类型的场效应晶体管，并针对它们各自的特点给出相应的建模策略，例如LDMOS在功率放大器中的应用，以及其特殊的寄生效应。如果书中能够提供一些实际的工程案例，展示如何利用建立的模型进行电路的性能分析和优化，那将是极大的帮助。总而言之，我期待这本书能够成为我理解和掌握射频微波器件建模技术的坚实基石。
评分一本名为《场效应晶体管射频微波建模技术》的书，在我眼中，不仅仅是一本技术手册，更像是一扇通往射频微波设计殿堂的入门指南。长久以来，我对射频和微波领域充满了向往，但常常被那些抽象的参数和复杂的模型所困扰。我希望这本书能够系统地梳理场效应晶体管（FET）在高频下的行为特点，并提供一套行之有效的建模方法。在我看来，理解场效应晶体管的物理机制是建立准确模型的基础。例如，对于MOSFET，我希望书中能详细解释其栅介质层的电容效应、沟道电荷的动态变化，以及在微波频率下这些因素如何影响器件的S参数和功率增益。我期待书中能从偏置点的选择，到小信号等效电路参数的提取，再到大信号模型（如Curtice模型、Statz模型）的建立，都有清晰的讲解。同时，我也对GaAs基FET，如MESFET和HEMT，在微波通信和雷达系统中的广泛应用充满兴趣，希望书中能深入探讨这些器件的耗尽层模型、迁移率降维效应，以及如何建立能够准确描述其高增益、低噪声特性的模型。我尤其关注书中是否会介绍从S参数数据中提取模型参数的技术，这对于验证和优化模型至关重要。另外，对于射频功率放大器和低噪声放大器等关键射频模块的设计，准确的非线性建模是不可或缺的。我希望这本书能够提供关于如何建立能够反映器件非线性特性（如谐波失真、互调失真）的模型，并将其应用于电路仿真中。我深信，一本优秀的建模技术书籍，应该能够帮助读者理解“为什么”要这样建模，而不仅仅是“怎么”去建模。如果这本书能够做到这一点，它无疑将极大地提升我在射频微波电路设计领域的实践能力和理论理解。
评分当我第一眼看到《场效应晶体管射频微波建模技术》这个书名时，内心深处便涌起一股强烈的求知欲。在我接触射频微波领域以来，一直深感器件建模是理解和设计高性能电路的关键，而场效应晶体管（FET）作为射频微波系统中的核心元件，其建模技术更是重中之重。我迫切希望能在这本书中找到一份详尽的指南，系统地学习如何构建准确、可靠的FET模型。我希望书中能够从场效应晶体管的基本物理结构和工作原理入手，深入剖析其在高频下的行为特点。例如，对于MOSFET，我期待能够详细了解其栅-源、栅-漏、漏-源等寄生电容在高频下的变化规律，以及如何从S参数测量数据中精确地提取这些参数，从而构建出能够准确预测其在高频下增益、噪声等性能的小信号模型。同时，对于功率放大器等需要处理大信号的电路，非线性建模显得尤为重要。我希望书中能够提供关于如何建立描述FET非线性特性（如跨导的电压依赖性、输出电导的变化）的模型，以及如何利用这些模型在仿真软件中进行精确的性能预测。对于GaAs基的FET，如MESFET和HEMT，我也非常感兴趣。我希望书中能够深入介绍它们的半导体材料特性，以及如何构建能够充分发挥其高电子迁移率、低噪声和高功率特性的模型。如果书中能够提供一些关于模型参数辨识的实用方法，以及如何对模型进行验证和优化，那将是对我工作和学习的巨大帮助。我期待这本书能够成为我理解和掌握射频微波器件建模技术的坚实理论基础和实用工程指导。
评分当我在书架上看到《场效应晶体管射频微波建模技术》时，一种强烈的学习冲动油然而生。多年来，我对射频微波领域抱有浓厚的兴趣，但深知其中最核心的挑战之一便是如何准确地对元器件进行建模。特别是场效应晶体管（FET），它们是射频微波电路设计的基石，而其在高频下的复杂行为，常常让初学者望而却步。我希望这本书能够系统地阐述场效应晶体管在射频和微波频率下的物理学原理，以及如何基于这些原理建立精确的数学模型。对于MOSFET，我特别期待书中能够深入讲解其栅-源、栅-漏、漏-源电容在高频下的演变，以及如何在不同偏置条件下精确地计算或提取这些参数。我相信，理解这些寄生效应对于构建可靠的小信号模型至关重要。同时，我也非常关注书中关于大信号模型和非线性模型的内容。对于射频功率放大器和混频器等需要处理强信号的电路，能够准确描述器件非线性特性的模型是必不可少的。我希望书中能够详细介绍诸如Curtice模型、Statz模型等经典的大信号模型，并讲解如何利用S参数、I-V特性曲线等测量数据来校准和优化这些模型。此外，对于GaAs基的MESFET和HEMT，我希望书中能够深入探讨它们在微波频率下的独特优势，以及如何建立能够充分发挥其高增益、低噪声特性的模型。如果书中能够提供一些关于如何从S参数测量数据中提取模型参数的实用技术，以及如何利用这些模型在电路仿真软件（如ADS, Spectre RF）中进行准确仿真，那么这本书对我来说将是无价之宝。我相信，一本优秀的建模技术书籍，应该能够帮助读者理解模型背后的物理意义，而不仅仅是停留在数学公式层面。
评分《场效应晶体管射频微波建模技术》——这个书名本身就充满了吸引力，对于我这样一位渴望深入理解射频微波领域奥秘的探索者来说，它预示着一次知识的盛宴。我一直在寻找一本能够系统、深入地讲解场效应晶体管（FET）在高频下行为以及如何对其进行精确建模的书籍。在实际的项目中，我常常为如何准确地预测器件在射频微波频段下的性能而苦恼，而这很大程度上源于对器件模型理解的不足。我希望这本书能够从最基础的物理概念出发，逐步深入到复杂的建模技术。例如，对于MOSFET，我期待能够详细了解其在微波频率下沟道电荷的动态分布、栅漏电容的频率依赖性，以及如何建立一个能够准确反映这些特性的等效电路模型。我希望能看到书中对S参数、Y参数、Z参数等高频参数的详细介绍，以及如何从这些参数中提取器件模型的关键参数。对于GaAs基的FET，如MESFET和HEMT，我同样充满期待。我希望书中能够深入探讨它们的半导体特性，如高电子迁移率、导带非抛物线性等，以及如何建立能够精确描述其在微波频率下性能（如低噪声系数、高功率效率）的模型。此外，非线性建模也是我非常关注的方面。功率放大器的设计离不开对器件非线性行为的准确把握，我希望书中能够提供关于如何建立描述器件谐波、互调失真等非线性特性的模型，并指导我如何在仿真软件中应用这些模型进行电路设计和优化。如果书中能够包含一些实际的建模案例，展示如何根据器件的实际测量数据来构建和验证模型，那将极大地提升其工程实用性。总之，我期待这本书能够成为我通往射频微波建模技术精通之路上的重要阶梯。
评分《场效应晶体管射频微波建模技术》——仅仅是这个书名，就足够让人感受到它所承载的深厚专业知识和工程实践价值。在我的射频微波学习之路上，我常常会遇到这样的困境：理论知识零散，工程经验不足，尤其是在如何精确地对场效应晶体管（FET）进行建模方面，总感觉缺乏一条清晰的脉络。我希望这本书能够弥补这一块的知识空白。我期望它能够从场效应晶体管的基本工作原理出发，深入讲解其在高频下的各种效应，例如容性效应、感性效应、以及不同类型的FET（如MOSFET、MESFET、HEMT）在高频下的行为差异。对于MOSFET，我希望能够详细理解其寄生电容（如Cox、Cgd、Cds）在微波频率下的表现，以及如何从S参数等测试数据中精确提取这些参数，构建出准确的小信号模型。同时，我也对非线性建模非常感兴趣，希望书中能够提供关于如何描述FET的非线性特性（如跨导的电压依赖性、输出电导的变化）的模型，这对于设计功率放大器和混频器至关重要。对于GaAs基的FET，如MESFET和HEMT，我期望书中能深入探讨其特殊的半导体材料特性，以及如何构建能够准确反映其高电子迁移率、低噪声和高功率性能的模型。如果书中能够涉及一些先进的建模技术，例如基于物理的模型、基于数据集的模型，甚至是模型参数的自动化提取和优化方法，那将是极大的惊喜。我非常希望这本书能够提供丰富的实例分析，展示如何将所学的建模技术应用于实际的射频微波电路设计，例如低噪声放大器、功率放大器、开关电路等，并通过仿真和实际测试进行验证。如此一来，这本书将不仅仅是理论的堆砌，而是能够指导我解决实际工程问题的强大工具。
评分收到这本书《场效应晶体管射频微波建模技术》时，我怀着一种既兴奋又略带忐忑的心情。兴奋的是，终于找到了一本可能真正解决我长期以来在射频微波电路设计中遇到的瓶颈的书籍；忐忑的是，这个领域本身就充斥着复杂的理论和高深的数学，我担心自己能否真正领会其精髓。从书名就可以看出，它聚焦于场效应晶体管（FET）在射频和微波频率下的建模技术，这正是我在项目实践中常常感到力不从心的地方。过去，我曾尝试阅读一些关于射频电路的书籍，但往往在器件建模这一环节就戛然而止，或者只是简单地给出了几个经验公式，缺乏对模型建立背后逻辑的深入剖析。我希望这本书能够详细阐述场效应晶体管在射频微波频率下与直流工作状态下的显著差异，例如寄生参数的影响、高频损耗的产生机制、以及这些因素如何体现在等效电路模型中。我特别期待书中能针对不同类型的场效应晶体管，如MOSFET、MESFET、JFET，甚至更先进的HEMT和LDMOS，提供一套系统性的建模流程。例如，对于MOSFET，我希望了解其在微波频率下电容效应（如栅-源电容、栅-漏电容）的精确建模方法，以及如何从S参数测量数据中提取这些参数。对于GaAs基的MESFET和HEMT，我希望深入理解其沟道模型和金属-半导体接触的建模，以及如何构建其非线性行为的仿真模型，以应用于功率放大器等非线性电路的设计。此外，书中对建模精度的提升策略，例如如何考虑衬底效应、寄生电感、甚至温度效应，如果能有详细的论述，那将是对我极大的启发。我一直在思考，如何在仿真软件中精确地复现器件的实际性能，从而减少实际制作过程中的试错成本，而这完全依赖于建模的准确性。这本书，如果它能提供扎实的理论基础、清晰的建模步骤、以及实用的工程案例，那么它将是我在射频微波领域不可多得的宝贵财富。
评分这本书，当我第一次在书店翻开它，就被它的名字吸引住了——《场效应晶体管射频微波建模技术》。听起来就充满了专业性和深度，对于我这样一直以来对射频微波领域怀有强烈兴趣，但又苦于找不到系统学习资料的“门外汉”来说，这无疑是一盏指引方向的明灯。我尤其期待书中能够详细讲解场效应晶体管（FET）在射频微波电路设计中的重要作用，以及如何准确地建立它们的技术模型。在我过去的学习过程中，常常会遇到一些关于器件参数的困惑，比如MOSFET的跨导、结电容，或者MESFET的肖特基结特性，这些参数在实际电路仿真和设计中扮演着至关重要的角色，但很多教材仅仅是蜻蜓点水式地带过，缺乏深入的分析。我希望这本书能从最基础的物理原理出发，逐步深入到复杂的模型建立过程，解答我对这些器件特性在微波频率下表现的疑问。同时，我也非常关注书中是否会介绍不同类型的场效应晶体管，例如MOSFET、MESFET、HEMT等，以及它们各自的建模特点和适用范围。我对HEMT（高电子迁移率晶体管）在微波功率放大器和低噪声放大器中的应用尤其感兴趣，希望书中能提供详细的建模方法，这对我未来尝试设计一些高性能射频前端模块至关重要。此外，我对建模中的一些关键技术，比如S参数提取、小信号模型、大信号模型，甚至到更高级的非线性模型，都充满了好奇。我知道，准确的建模是进行射频微波电路仿真的基石，直接影响到设计结果的可靠性。我希望能在这本书中找到系统性的讲解，理解这些模型背后的数学原理和物理含义，而不仅仅是停留在公式的层面。我对书中的实例分析也抱有极高的期望，如果能有实际的案例，展示如何利用建立的模型进行电路仿真和性能预测，那将是极大的帮助。这本书的名字本身就预示着其内容的专业性，而我，作为一个渴望深入了解射频微波领域的读者，正是在寻找这样一本能够引导我跨越理论与实践鸿沟的桥梁。
评分《场效应晶体管射频微波建模技术》——这个书名仿佛是一把钥匙，能够打开我心中长期以来对射频微波领域复杂器件建模的困惑之门。作为一名在电子工程领域学习和实践的爱好者，我深知场效应晶体管（FET）在射频和微波电路设计中的核心地位，但同时我也清楚，要在这些高频段准确地模拟器件的行为，对建模技术的要求极高。我期待这本书能够提供一个系统性的框架，从根本上解决我对FET建模的疑问。我希望书中能够详细讲解不同类型场效应晶体管（如MOSFET、MESFET、HEMT）在高频下的物理特性，以及这些特性如何影响其等效电路模型。例如，对于MOSFET，我希望能深入理解其栅电容、沟道电阻、以及寄生电感在高频下的表现，以及如何建立一个能够准确反映这些效应的S参数模型。对于GaAs基的FET，我更期待能够了解到关于高电子迁移率效应、饱和漂移速度等关键物理现象在建模中的体现，以及如何建立能够预测其在微波频率下低噪声和高功率特性的模型。另外，我非常关注书中是否会涉及非线性建模技术。毕竟，射频微波电路的设计往往需要处理大信号，而准确的非线性模型是进行功率放大器、混频器等电路设计和优化的基础。我希望书中能够介绍一些经典的非线性模型，并讲解如何利用测量数据对这些模型进行校准和验证。如果书中能够提供一些实际的工程案例，展示如何利用所学的建模技术来解决实际的射频微波电路设计问题，那将是我学习过程中最宝贵的收获。我渴望这本书能够成为我深入掌握射频微波建模技术的强大助推器。
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