石油化工设备腐蚀与防护 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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页数:248

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出版时间:2010-4

价格:24.00元

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isbn号码:9787502176327

丛书系列:

图书标签:

• 石油化工
• 腐蚀
• 防护
• 设备
• 材料
• 工程
• 化学
• 工业
• 金属
• 防腐

现代集成电路设计与制造：从理论到实践的全面指南 图书简介 本书旨在为电子工程、微电子学、材料科学等相关领域的专业人士、高级本科生及研究生提供一本全面、深入且具有高度实践指导意义的集成电路（IC）设计与制造技术专著。本书超越了传统教科书对基本原理的罗列，而是聚焦于当前半导体行业最前沿的技术挑战、设计流程的优化策略以及尖端制造工艺的实现细节。 第一部分：超大规模集成电路（VLSI）设计基础与方法学 本部分将系统梳理现代IC设计的基石，重点阐述复杂系统的设计流程与工具链的应用。 第一章：CMOS晶体管模型与工艺角分析 详细探讨先进CMOS晶体管的工作原理，包括短沟道效应、亚阈值传导、高K/金属栅（HKMG）结构的影响。深入剖析工艺、电压、温度（PVT）变化对器件性能的影响，介绍如何构建和使用精确的SPICE模型，以及在设计初期进行稳健性（Robustness）评估的方法。讨论FinFET和Gate-All-Around (GAA) 晶体管结构在未来节点中的应用前景及其设计考量。 第二章：逻辑综合与布局规划（Floorplanning） 着重讲解从RTL级描述到门级网表生成的优化过程。深入分析不同逻辑综合引擎的算法原理，如何利用约束驱动的方法优化功耗、时序和面积（PPA）。详细介绍预版图设计（Pre-layout design）中的关键步骤，包括时钟树综合（CTS）的策略选择（如缓冲器插入、时钟驱动能力优化）、电源网络规划（Power Grid Design）的负载计算与IR Drop分析，以及如何通过有效的布局规划来最小化长线延迟和串扰。 第三章：静态时序分析（STA）与签核 本章是确保电路在实际工作条件下满足时序要求的核心内容。系统介绍基于签核库（Sign-off Library）的STA流程，包括建立和保持裕度计算、多循环路径分析、以及低功耗设计（如断电模式、时钟门控）下的时序校验。重点讲解OCV（片上变异性）、AOCV、POCV等高级时序模型在现代工艺节点中的应用，以及如何使用SI（信号完整性）分析工具进行交叉耦合噪声的精确建模和修复。 第二部分：先进半导体制造工艺与物理实现 本部分将带领读者深入半导体晶圆厂（Fab）的实际操作层面，探讨从光刻到金属互连的复杂工艺流程。 第四章：前道工艺（FEOL）的挑战与创新 全面介绍关键的前道制造技术，包括极紫外光刻（EUV）技术的工作原理、掩模版（Mask）的制造与检测、以及先进的薄膜沉积技术（ALD/CVD）。详细阐述应变硅（Strained Silicon）技术、SOI（绝缘体上硅）结构在提升载流子迁移率方面的作用。对于新兴的2D材料（如石墨烯、过渡金属硫化物）在晶体管结构中的潜在应用进行前瞻性探讨。 第五章：后道工艺（BEOL）的互连延时与可靠性 聚焦于先进封装和多层金属互连体系。深入分析铜互连技术中的大马士革工艺（Damascene Process），以及低K介电材料的选择对RC延迟的影响。详细讨论互连线的可靠性问题，包括电迁移（Electromigration, EM）的物理模型、静电放电（ESD）防护电路的设计与仿真、以及化学机械抛光（CMP）在实现高精度介电层和平坦化中的作用。 第六章：先进封装技术与系统级集成 探讨芯片集成和封装对系统性能的决定性影响。内容涵盖2.5D和3D集成技术，如硅通孔（TSV）的制造、晶圆键合（Wafer Bonding）技术、以及混合键合（Hybrid Bonding）在构建高密度异构集成系统中的应用。讨论Chiplet架构的设计范式、Chip-to-Chip（C2C）接口的物理层设计与协议选择，以及先进封装带来的热管理挑战和解决方案。 第三部分：低功耗、高可靠性与设计验证 本部分关注在严苛应用环境下，如何保证IC设计的能效和长久运行的稳定性。 第七章：多电压域与动态功耗管理 详细介绍降低动态功耗和静态功耗的系统级与电路级技术。深入探讨电压频率调节（DVFS）的实现、多电压域（Multi-Voltage Domain）设计中的电平转换器（Level Shifters）的选择与优化。重点分析时钟门控（Clock Gating）、电源门控（Power Gating）技术在 RTL 和物理实现阶段的应用，包括其对时序和面积的影响。 第八章：设计与制造中的可靠性工程 覆盖IC设计中至关重要的可靠性分析方法。包括对辐射效应（Single Event Effects, SEE）的防护设计、对工艺参数漂移的寿命预测分析（Aging Analysis），如Bias Temperature Instability (BTI) 和 Hot Carrier Injection (HCI)。讲解如何利用加速测试和加速寿命模型（ALTM）来评估和保障芯片在极端环境下的长期可靠性。 第九章：先进设计验证与物理实现闭环 系统阐述从功能验证到物理签核的完整验证流程。强调形式验证（Formal Verification）在等效性检查和安全检查中的作用。深入探讨寄生参数提取（Parasitic Extraction）的高级模型（如非线性电感模型），以及如何利用机器学习和人工智能方法优化EDA工具的迭代过程，实现设计与制造的快速闭环反馈，大幅缩短产品上市时间（Time-to-Market）。 本书内容结构严谨，理论阐述辅以最新的行业案例和技术数据，旨在培养读者解决下一代半导体技术瓶颈的创新能力。通过对设计、工艺、封装和验证的全面覆盖，读者将能掌握构建高性能、低功耗、高可靠性现代集成电路所需的综合知识体系。

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