前言
第1章光刻技術概述
1.1半導體技術節點
1.2集成電路的結構和光刻層
1.3光刻工藝
1.4曝光係統的分辨率和聚焦深度
1.4.1分辨率
1.4.2聚焦深度
1.4.3調製傳遞函數
1.5對設計的修正和版圖數據流程
1.6光刻工藝的評價標準
1.7去膠返工
1.8光刻工藝中缺陷的檢測
1.8.1鏇塗後光刻薄膜中缺陷的檢測
1.8.2曝光後圖形的缺陷檢測
1.9光刻工藝的成本
1.10現代光刻工藝研發各部分的職責和協作
1.10.1晶圓廠光刻內部的分工以及各單位之間的交叉和牽製
1.10.2先導光刻工藝研發的模式
1.10.3光刻與刻蝕的關係
參考文獻
第2章勻膠顯影機及其應用
2.1勻膠顯影機的結構
2.2勻膠顯影流程的控製程序
2.3勻膠顯影機內的主要工藝單元
2.3.1晶圓錶麵增粘處理
2.3.2光刻膠鏇塗單元
2.3.3烘烤和冷卻
2.3.4邊緣曝光
2.3.5顯影單元
2.4清洗工藝單元
2.4.1去離子水衝洗
2.4.2晶圓背麵清洗
2.5勻膠顯影機中的子係統
2.5.1化學液體輸送係統
2.5.2勻膠顯影機中的微環境和氣流控製
2.5.3廢液收集係統
2.5.4數據庫係統
2.6勻膠顯影機性能的監測
2.6.1膠厚的監測
2.6.2鏇塗後膠膜上顆粒的監測
2.6.3顯影後圖形缺陷的監測
2.6.4熱盤溫度的監測
2.7集成於勻膠顯影機中的在綫測量單元
2.7.1膠厚測量單元
2.7.2膠膜缺陷的檢測
2.7.3使用高速相機原位監測工藝單元內的動態
2.8勻膠顯影機中的閉環工藝修正
2.9勻膠顯影設備安裝後的接收測試
2.9.1顆粒測試
2.9.2增粘單元的驗收
2.9.3鏇塗均勻性和穩定性的驗收
2.9.4顯影的均勻性和穩定性測試
2.9.5係統可靠性測試
2.9.6産能測試
2.9.7對機械手的要求
2.10勻膠顯影機的使用維護
參考文獻
第3章光刻機及其應用
3.1投影式光刻機的工作原理
3.1.1步進一掃描式曝光
3.1.2光刻機曝光的流程
3.1.3曝光工作文件的設定
3.1.4雙工件颱介紹
3.2光刻機的光源及光路設計
3.2.1光刻機的光源
3.2.2投影光路的設計
3.2.3193nm浸沒式光刻機
3.3光照條件
3.3.1在軸與離軸照明
3.3.2光刻機中的照明方式及其定義
3.3.3光照條件的設置和衍射光學元件
3.3.4像素化和可編程的光照
3.3.5偏振照明
3.4成像係統中的問題
3.4.1波前畸變的Zemike描述
3.4.2對成像波前的修正
3.4.3投影透鏡的熱效應
3.4.4掩模版形狀修正
3.4.5掩模熱效應的修正
3.4.6曝光劑量修正
3.5聚焦係統
3.5.1錶麵水平傳感係統
3.5.2晶圓邊緣區域的聚焦
3.5.3氣壓錶麵測量係統
3.5.4聚焦誤差的來源與聚焦穩定性的監控
3.6光刻機的對準係統
3.6.1掩模的預對準和定位
3.6.2晶圓的預對準和定位
3.6.3掩模工件颱與晶圓工件颱之間的對準
3.6.4掩模與晶圓的對準
3.6.5對準標識的設計
3.7光刻機性能的監控
3.7.1激光輸齣的帶寬和能量的穩定性
3.7.2聚焦的穩定性
3.7.3對準精度的穩定性
3.7.4光刻機停機恢復後的檢查
3.7.5與産品相關的測試
參考文獻
第4章光刻材料
4.1增粘材料
4.2光刻膠
4.2.1用於I—綫（365nm波長）和G—綫（436nm波長）的光刻膠
4.2.2用於248nm波長的光刻膠
4.2.3用於193nm波長的光刻膠
4.2.4用於193nm浸沒式光刻的化學放大膠
4.2.5193nm光刻膠的負顯影工藝
4.2.6光刻膠發展的方嚮
4.2.7光刻膠溶劑的選取
4.3光刻膠性能的評估
4.3.1敏感性與對比度
4.3.2光學常數與吸收係數
4.3.3光刻膠的Dill參數
4.3.4柯西係數
4.3.5光刻膠抗刻蝕或抗離子注入的能力
4.3.6光刻膠的分辨率
4.3.7光刻膠圖形的粗糙度
4.3.8光刻膠的分辨率、敏感性及其圖形邊緣粗糙度之間的關係
4.3.9改善光刻膠圖形邊緣粗糙度的工藝
4.3.10光刻膠鏇塗的厚度麯綫
4.3.11Fab對光刻膠的評估
4.4抗反射塗層
4.4.1光綫在界麵處的反射理論
4.4.2底部抗反射塗層
4.4.3頂部抗反射塗層
4.4.4可以顯影的底部抗反射塗層
4.4.5鏇塗的含Si抗反射塗層
4.4.6碳塗層
4.5用於193nm浸沒式光刻的抗水塗層
4.5.1抗水塗層材料的分子結構
4.5.2浸齣測試和錶麵接觸角
4.5.3與光刻膠的兼容性
4.6有機溶劑和顯影液
4.7晶圓廠光刻材料的管理和規格要求
4.7.1光刻材料的供應鏈
4.7.2材料需求的預報和訂購
4.7.3光刻材料在勻膠顯影機上的配置
4.7.4光刻材料供應商必須定期提供給Fab的數據
4.7.5材料的變更
參考文獻
……
第5章掩模版及其管理
第6章對準和套刻誤差控製
第7章光學鄰近效應修正與計算光刻
第8章光刻工藝的設定與監控
第9章晶圓返工與光刻膠的清除
第10章雙重和多重光刻技術
第11章極紫外（EUV）光刻技術
中英文光刻術語對照
彩圖
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