Lecture Notes on Principles of Plasma Processing

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出版者:Springer
作者:Francis F. Chen
出品人:
页数:219
译者:
出版时间:2003-01-31
价格:USD 79.95
装帧:Paperback
isbn号码:9780306474972
丛书系列:
图书标签:
  • Plasma Processing
  • Plasma Physics
  • Surface Science
  • Materials Science
  • Thin Films
  • Semiconductor Processing
  • Microelectronics
  • Vacuum Technology
  • Deposition
  • Etching
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具体描述

Plasma processing of semiconductors is an interdisciplinary field requiring knowledge of both plasma physics and chemical engineering. The two authors are experts in each of these fields, and their collaboration results in the merging of these fields with a common terminology. Basic plasma concepts are introduced painlessly to those who have studied undergraduate electromagnetics but have had no previous exposure to plasmas. Unnecessarily detailed derivations are omitted; yet the reader is led to understand in some depth those concepts, such as the structure of sheaths, that are important in the design and operation of plasma processing reactors. Physicists not accustomed to low-temperature plasmas are introduced to chemical kinetics, surface science, and molecular spectroscopy. The material has been condensed to suit a nine-week graduate course, but it is sufficient to bring the reader up to date on current problems such as copper interconnects, low-k and high-k dielectrics, and oxide damage. Students will appreciate the web-style layout with ample color illustrations opposite the text, with ample room for notes. The included CD contains a copy of the book which can be indexed using a Search function, and which can be enlarged on a monitor for a closer look at the diagrams. Sample homework and exam problems can also be found on the CD. This short book is ideal for new workers in the semiconductor industry who want to be brought up to speed with minimum effort. It is also suitable for Chemical Engineering students studying plasma processing of materials; Engineers, physicists, and technicians entering the semiconductor industry who want a quick overview of the use of plasmas in the industry.

磁流体动力学基础与应用:等离子体加工的理论基石 作者: [此处留空,以示无特定作者,聚焦内容] 出版社: [此处留空,以示独立研究] 装帧: 精装/平装可选 页数: 约 850 页 定价: [此处留空] --- 内容概述 本书旨在为研究人员、高级本科生及研究生提供一套全面且深入的理论框架,聚焦于磁流体动力学(MHD)的基石、等离子体物理的输运现象,以及这些基础原理在先进材料加工领域中的实际应用。本书内容严谨,逻辑清晰,以阐述从微观粒子动力学到宏观流体行为的过渡,并特别关注强磁场、高能粒子流与物质相互作用时的复杂动力学过程。 本书并非对等离子体加工的“讲义”或“笔记”的简单复述,而是致力于构建一个独立、完整的理论体系,为理解和设计涉及电离气体和磁场的复杂系统提供深厚的数学和物理基础。重点在于建立从经典电动力学到非理想MHD模型的过渡,并探讨在真空技术和低压等离子体环境中,如何应用这些模型来描述流体行为、能量耦合和界面稳定性。 全书结构分为五大部分,层层递进,确保读者能够系统地掌握从基本概念到前沿工程应用的知识链。 --- 第一部分:电动力学基础与粒子动力学 本部分首先回顾了麦克斯韦方程组在介质中的应用,重点阐述了电磁场与带电粒子(电子、离子)之间的相互作用。这部分内容是后续所有等离子体描述的出发点。 1.1 经典电磁场理论的复习与扩展: 侧重于矢量势和标量势在描述时变场中的应用,以及适用于等离子体内部的材料方程(如电导率、介电常数在各向异性介质中的表现)。 1.2 粒子运动学: 深入分析了单个带电粒子在均匀和非均匀电磁场中的运动轨迹,包括拉莫尔回旋(Larmor motion)、漂移速度(Drift Velocities)的推导,如电场漂移、磁场梯度漂移、曲率漂移等。这些漂移效应是理解等离子体宏观输运的基础。 1.3 玻尔兹曼输运方程(The Boltzmann Transport Equation): 作为连接微观粒子分布函数与宏观流体参量的核心工具,本书详细推导了玻尔兹曼方程的推导过程,并探讨了碰撞积分的处理方法。特别关注了在不同碰撞模型(如BGK模型)下的求解策略。 1.4 迈向流体描述:矩方法(Moment Approach): 介绍了如何通过玻尔兹曼方程的矩展开来导出流体方程组,包括零阶矩(连续性方程)、一阶矩(动量方程)和二阶矩(能量方程)的物理意义和适用性限制。 --- 第二部分:磁流体动力学(MHD)理论框架 本部分是本书的核心理论支柱,专注于将电磁场与连续介质力学相结合,建立描述等离子体的宏观模型。 2.1 理想MHD方程组的建立: 详细推导了欧姆定律在导电流体中的形式,并引入了洛伦兹力项。基于电荷守恒和磁通量守恒($partial mathbf{B} / partial t = abla imes mathbf{E}$ 结合 $ abla cdot mathbf{B} = 0$),推导出了理想MHD的连续性方程、动量方程和能量方程。 2.2 磁场对流体的影响: 深入分析了磁场的“冻结”条件(Frozen-in Flux Condition)及其物理含义。讨论了磁压(Magnetic Pressure)和磁张力(Magnetic Tension)在流体稳定性和结构形成中的作用。 2.3 非理想MHD效应的引入: 针对实际加工环境中的电阻、粘性和热传导效应,将欧姆定律修正为考虑霍尔效应、离子滑移等更复杂项的广义欧姆定律。讨论了皮尔斯(Pinch)不稳定性、瑞利-泰勒(Rayleigh-Taylor)不稳定性等在非理想MHD背景下的演化机制。 2.4 波动力学: 分析了MHD介质中的特征波——快磁声波、慢磁声波和阿尔芬波(Alfvén Waves)。研究了这些波在等离子体内部的传播、反射和吸收机制,这对理解射频(RF)或微波等离子体中的能量耦合至关重要。 --- 第三部分:输运现象与鞘层物理 在等离子体加工中,界面(等离子体与固体靶材)的物理行为决定了最终的沉积或刻蚀速率。本部分聚焦于界面的精确建模。 3.1 宏观输运系数的计算: 讨论了在不同碰撞频率下,离子和电子的电导率、热导率和扩散系数如何依赖于温度和密度梯度。着重于在弱电离和强电离气体中,如何使用Chapman-Enskog理论的近似解来计算这些系数。 3.2 等离子体鞘层理论(Sheath Theory): 详细阐述了等离子体与壁面之间的空间电荷区——鞘层的形成机制。引入了德拜长度(Debye Length)和等离子体频率的概念,并分析了电势降在鞘层中的分布。 3.3 离子注入与中性粒子散射: 讨论了离子在鞘层中加速后撞击表面的能量分布(离子能量分布函数, IEDF)。引入了离子中性散射模型,以描述高压下离子在鞘层边缘的行为。 3.4 空间电荷平衡与浮动电位: 推导了电子和离子对壁面电流的贡献,并确定了等离子体相对于中性壁面的浮动电位(Floating Potential)的条件。 --- 第四部分:等离子体源的电磁场激发与建模 本部分将理论MHD模型应用于具体的等离子体源设计,重点在于理解外部激励(如射频、直流或微波)如何耦合能量到气体中。 4.1 低压直流放电(DC Discharge): 分析了阴极和阳极区域的特性,包括辉光放电的结构、电流电压特性曲线(I-V Characteristics)的物理起源,以及自持放电的条件。 4.2 射频和微波耦合机制: 深入探讨了电容耦合放电(CCP)和电感耦合放电(ICP)的电磁场分布。使用传输线理论和边界条件分析,如何优化线圈或电极的几何形状以实现最大能量耦合效率。分析了等离子体作为复杂阻抗如何与外部电源匹配。 4.3 磁场增强放电: 研究了磁场对等离子体特性的影响,例如磁镜效应(Magnetic Mirror)和磁约束对电子加热的增强作用。讨论了磁场在提高等离子体密度和均匀性方面的作用。 4.4 耦合模型的数值求解方法: 介绍了求解耦合的MHD-泊松方程组所需的数值技术,包括有限元法(FEM)和有限体积法(FVM)在处理复杂几何和非线性项时的优势与挑战。 --- 第五部分:应用背景与前沿挑战 最后一部分将理论基础与实际的材料加工过程相结合,展望了该领域未来的发展方向。 5.1 等离子体在刻蚀和沉积中的作用: 讨论了离子能流密度对刻蚀选择性、各向异性以及薄膜应力的影响。从MHD角度分析了等离子体密度均匀性对膜厚均匀性的控制。 5.2 磁场在材料改性中的应用: 探讨了如何利用磁场来控制离子在靶材表面的入射角,以优化倾斜入射引起的溅射效应和表面形貌控制。 5.3 高温等离子体中的热力学与辐射: 简要介绍了热力学平衡假设的适用范围,并分析了等离子体辐射在能量平衡中的贡献,尤其是在高功率密度应用中。 5.4 复杂介质中的输运问题: 探讨了当等离子体密度和压力变化范围极大时(例如,从超高真空到大气压),如何修正或切换所使用的物理模型,以及跨尺度模拟(Multi-scale Simulation)的必要性。 --- 本书特点 本书以其对基础物理模型的严谨推导和对非理想效应的深入探讨而著称。它避免了对特定商业设备或操作参数的简单罗列,而是将重点放在支撑所有等离子体加工现象的普适性数学模型上。全书包含了大量的解析推导、半解析方法和深入的物理洞察,是构建扎实理论基础的理想参考书。

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用户评价

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这本书给我最大的感受是它的“冷峻”与“不妥协”。 在等离子体应用领域,我们深知参数空间是多么的庞大和敏感,一个微小的气压变化或功率调整,都可能导致工艺结果天翻地覆。 这本笔记似乎对这种工程实践中的“泥泞”保持着一种学术上的距离感。 它详细地探讨了等离子体密度的理想模型,却几乎没有触及实际反应器设计中常见的非均匀性、杂质引入以及壁面效应这些棘手问题。 也许作者认为这些是“应用”范畴,与“原理”无关,但对于我这样的工业研发人员来说,原理只有在能够指导实践时才具有真正的价值。 比如,关于磁场约束等离子体的章节,理论推导无可指摘,但我渴望看到的是,如何根据不同的电极几何形状来优化磁场配置,以提高刻蚀的均匀性。 书中对这些实际操作层面的权衡和取舍几乎是只字不提,仿佛存在一个完美无瑕、不受环境干扰的“理想等离子体”。 这种纯粹的理论纯粹性,在实际操作中往往是镜花水月,难以捉摸。 读完后,我感觉自己对基础物理的理解加深了,但对于如何解决实验室里的实际工程挑战,我依然感到迷茫。

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这本书的封面设计,坦率地说,有点让人提不起精神。那种经典的学术风格,深蓝色的背景配上白色和橙色的字体,虽然清晰明了,但在如今这个追求视觉冲击的时代,显得有些过时了。不过,内容才是王道,我花了整整一周的时间沉浸其中,试图理解作者对于等离子体处理原理的阐述。我对这方面原本抱持着极大的热情,期待能找到一个既深入又易懂的切入点,但遗憾的是,这本书的结构似乎更侧重于将复杂的理论堆砌在一起,而不是引导读者一步步建立清晰的认知框架。 章节之间的逻辑跳跃性较大,很多基础概念的引入显得突兀,仿佛作者默认读者已经具备了相当的背景知识,这对于一个初学者来说,无疑是设置了一道难以逾越的门槛。 尤其是关于鞘层(sheath)动力学的讨论,公式推导过程省略了关键的中间步骤,导致我不得不频繁地查阅其他参考资料来填补理解上的空白。 我希望作者能在后续版本中,加入更多的图示和流程图,哪怕只是简单的示意图,也能极大地帮助我们这些在迷宫中摸索的读者。 总之,它更像是一份高度浓缩的、面向研究人员的内部讲义,而非一本真正面向广大工程师和学生的“笔记”。

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从另一个角度来看,如果将这本书视为一本针对高年级本科生或初级研究生的“速查手册”,它的价值或许能稍微提升一些。 其优点在于信息的密度极高,基本上将该领域内一些核心的、经过时间检验的物理模型都囊括进去了。 我发现,当你已经对等离子体有了一个大致的框架认识后,这本书能迅速帮你定位到特定的物理效应的数学描述。 例如,查找关于电子能量分布函数(EEDF)的几种主要近似方法的比较时,这本书提供的对比表格和引用是相当高效的。 它没有冗余的背景铺垫,直奔主题,这对于需要快速回顾某个特定知识点的专业人士来说,是一种时间上的节省。 此外,作者在引述经典文献时表现出足够的尊重和严谨性,使得这本书在学术引用价值上是毋庸置疑的。 然而,这种高效的代价就是牺牲了教学的温度和灵活性。 它更像是一把锋利但缺乏手柄的刻刀,你需要非常小心翼翼地握持,才能避免割伤自己。 对于那些希望通过阅读这本书来“入门”整个等离子体处理领域的新人,我建议还是先找一本更具引导性的入门读物打好基础,再将此书作为进阶的参考工具。

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阅读体验感极差,简直像是在啃一块干巴巴的铁饼。 我本以为“Lecture Notes”意味着一种相对轻松、侧重于核心概念提炼的叙事方式,但事实恰恰相反,这本书几乎将所有相关的数学模型和微分方程原封不动地搬了过来,没有做任何必要的简化或解释性注释。 翻开第三章,介绍射频(RF)等离子体耦合时,我感到一阵眩晕——空气中弥漫着希腊字母和复杂张量符号的味道。 难道作者就不能用更具启发性的语言来描述一下这些方程在物理世界中的直观含义吗? 比如,当提到范德华力对颗粒沉积的影响时,如果能配上一张生动的模拟图像,或者至少用一个形象的比喻来解释,那效果肯定会比现在这种纯粹的符号罗列强上百倍。 此外,排版上的问题也令人抓狂,参考文献引用格式混乱,有些公式编号与正文中的引用对不上号,这让我不得不反复核对,浪费了大量宝贵的时间。 看来,这本书的重点似乎完全放在了“我讲了什么理论”上,而完全忽略了“读者如何吸收这些理论”这一核心诉求。 实在抱歉,这更像是一份用于自我存档的文献集合,而非一本可以被有效学习的教材。

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这本书给我的整体感觉,就像是走进了一间收藏了大量古老、珍贵但布满灰尘的精密仪器的博物馆。 每件展品——每一个公式、每一个理论模型——都代表着过去数十年科学家的心血结晶,它们无疑是重要的、有价值的。 但问题在于,这些展品之间缺乏一条清晰的参观路线图。 我常常会问自己:“我为什么要先看这个关于离子中性碰撞截面的内容,而不是先理解等离子体的宏观电场分布呢?” 这种叙事上的“非线性”使得学习过程充满了挫败感。 特别是当涉及到多组分等离子体和复杂化学反应的耦合分析时,作者只是简单地将各个模块的方程列出,然后期望读者自己去处理它们之间的相互作用。 这种“自我消化”的要求对于非物理背景的读者来说,几乎是不可能完成的任务。 我期待看到的是一个成熟的、有机的知识体系,而不是一堆散落在时间轴上的、等待被后人重新组织和连接的学术碎片。 尽管它承载了丰富的理论信息,但作为一本“学习指南”,它在引导和陪伴学习者成长的方面,着实是力不从心了。

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