具体描述
本书共分为3章，收集了在实际应用中应用最多、最广泛的下弦波脉宽调制器（SPWM）、功率因数校正控制器（PFC）和复合功率模块（IGBT）控制与驱动器等30余种，其中以PFC作为重点。除了介绍它们的电性能参数、管脚引线、外形封装、内部原理方框图和典型应用电路以外，还给出了各种实用电路。
本书既可供电子工程技术人员，电源技术研究和应用技术人员，仪器、仪表和计算机测控技术人员，大专院校师生以及电子技术业余爱好者参考，也可作为电源产品生产厂家技术开发人员和技术维修人员的参考资料。
好的，这是一份针对您所提供书名之外的其他主题图书的详细简介： --- 图书简介：先进半导体器件物理与封装技术 主题聚焦： 本书深入探讨现代电力电子系统中关键半导体器件的底层物理机制、先进材料特性，以及影响其实际性能与可靠性的封装技术。它旨在为电子工程师、研究人员以及高阶学生提供一个全面而深入的视角，超越基础电路理论，直达器件的物理极限与工程实现。 第一部分：半导体功率器件的物理基础与材料科学 本书的开篇聚焦于现代功率半导体器件的基石——宽禁带（WBG）材料。我们将详细解析碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）相对于传统硅（Si）材料在物理特性上的根本优势。 1. 物理机制深入解析： 探讨如何利用高击穿电场强度（如SiC的300 V/µm）和高电子迁移率（如GaN的超高电子饱和速度）来设计出具备更低导通电阻（$R_{DS(on)}$）和更低开关损耗的器件。内容涵盖肖特基势垒二极管（SBD）、功率MOSFET（如Trench MOSFET）以及JFET的工作原理与损耗模型。特别关注如何通过晶体结构工程和掺杂技术来优化器件的性能参数，如阈值电压稳定性与雪崩击穿特性。 2. 材料的挑战与前沿： 详细分析衬底缺陷（如SiC的位错和GaN的极性缺陷）对器件性能和长期可靠性的影响。介绍当前研究热点，如超结（Superjunction）结构在WBG器件中的应用，以及新型异质结（如AlGaN/GaN HEMT）的界面工程技术，旨在降低栅极漏电流和提高工作频率。 第二部分：电力电子封装技术与热管理 器件的性能潜力必须通过有效的封装才能得以实现。本部分将详细阐述从芯片到系统的关键连接技术，以及如何管理高速开关带来的极端热流。 1. 先进封装结构： 区别于传统的引线键合技术，本书重点介绍倒装芯片（Flip-Chip）、无引线封装（Leadless Package）以及芯片堆叠（3D Integration）在功率模块中的应用。分析这些技术如何显著降低电感（$L_{stray}$）和热阻（$R_{th}$），从而支持MHz量级的开关频率。我们将量化寄生电感对开关瞬态（$dv/dt$和$di/dt$）的影响，并提供优化布局的工程准则。 2. 热界面材料（TIM）与散热设计： 功率密度增加导致的热挑战是当前设计的主要瓶颈。本书细致比较了各类热界面材料（如相变材料、高导热环氧树脂、金属基复合材料）的热导率、压力敏感性和长期稳定性。深入讲解了冷却系统集成，包括直接水冷、微通道散热器（Micro-channel Heat Sinks）的设计方法，以及如何利用有限元分析（FEA）工具对复杂封装结构进行精确的热-电-力耦合仿真。 3. 可靠性工程： 探讨温度循环、湿度敏感性等级（MSL）和机械应力对封装材料（如塑封料、钎料和键合丝）的退化机制。引入疲劳寿命预测模型（如Coffin-Manson模型），指导工程师选择能在严苛工业和汽车应用中长期可靠工作的封装方案。 第三部分：高速开关与电磁兼容性（EMC） 随着器件开关速度的提升，系统级的电磁兼容性成为必须优先解决的问题。 1. 开关瞬态分析： 详细分析SiC/GaN器件在硬开关和软开关拓扑中产生的尖峰电压和电流。介绍开关弧光模型（Switching Turn-on/Turn-off Models），帮助设计者理解栅极驱动回路、母线电容布局与器件引脚电感之间的相互作用。 2. 电磁干扰（EMI）源识别与抑制： 阐述高频电流环路（High-frequency Current Loops）是主要的EMI源。讲解如何通过优化PCB布局、设计低阻抗旁路电容网络（Decoupling Networks）以及实施屏蔽技术来控制共模（CM）和差模（DM）噪声辐射。本书提供了具体的EMC测试标准（如CISPR 25）解读和设计验证流程。 适用读者： 本书非常适合从事逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器以及电源模块研发的高级工程师。同时，它也是高校电力电子、微电子工程、材料科学等专业研究生深入学习功率器件与系统集成课题的理想参考教材。 ---
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