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出版者:西北工业大学出版社

作者:范世贵

出品人:

页数:373

译者:

出版时间:2006-6

价格:30.00元

装帧:

isbn号码:9787561217313

丛书系列:

图书标签:

• 电路分析
• 电路原理
• 电气工程
• 基础电子学
• 模拟电路
• 线性电路
• 电路理论
• 大学教材
• 工程教育
• 电力系统

好的，以下是针对您提供的书名《电路分析基础》的非相关图书的详细简介，旨在完全避免提及该书名或相关主题，并力求自然流畅，符合专业书籍的写作风格。 --- 《高精度半导体器件物理与工艺》 内容简介 本书全面深入地探讨了现代高精度半导体器件的物理学原理、材料科学基础、尖端制造工艺流程及其在集成电路（IC）与功率电子学中的应用。全书以提升器件性能和可靠性为核心目标，旨在为电子工程、材料科学以及微纳电子学领域的研究人员、高级工程师和研究生提供一本严谨、前沿的参考手册。 第一部分：半导体物理基础与能带理论的深化 本部分首先回顾了经典半导体物理学的核心概念，但立即将重点转向更复杂的量子效应和统计力学在器件模型中的应用。 1. 晶体结构与电子态密度： 详细分析了硅、锗、砷化镓（GaAs）及新型二维材料（如石墨烯、过渡金属硫化物）的晶格振动、缺陷工程学及其对载流子迁移率的影响。引入了严格的紧束缚模型和密度泛函理论（DFT）计算方法在预测材料电子结构中的应用。 2. 载流子输运的精细化模型： 超越简单的漂移-扩散模型，深入探讨了热电子效应、隧穿机制（包括直接和间接带隙隧穿）在超小型结构中的重要性。详细阐述了高场效应下的载流子平均自由程变化，以及如何通过蒙特卡洛（Monte Carlo）模拟来精确预测器件工作状态下的速度饱和现象。特别关注了量子阱结构中的二维电子气（2DEG）的输运特性。 3. 杂质与掺杂的精确控制： 探讨了离子注入技术（Ion Implantation）的深度分布、激活效率以及随后的退火工艺对杂质激活率的决定性影响。分析了共晶点、偏置点对载流子捕获和陷阱态形成的影响，这对提升器件的长期稳定性至关重要。 第二部分：核心器件的结构、设计与优化 本部分聚焦于现代CMOS技术中的关键结构，从纳米尺度对器件性能进行优化设计。 4. 场效应晶体管（FET）的演进： 系统性地介绍了从平面MOSFET到鳍式场效应晶体管（FinFET）的结构演变。详细分析了栅极长度（$L$）缩短带来的短沟道效应（SCEs），如DIBL和阈值电压滚降。阐述了高$k$介质/金属栅极（HKMG）技术如何解决传统$ ext{SiO}_2$/多晶硅栅极的限制，包括界面态密度控制和栅极泄漏电流的抑制。 5. 功率半导体器件的物理： 重点研究了宽禁带（WBG）半导体，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在功率电子学中的应用。深入剖析了$ ext{SiC}$ $ ext{MOSFET}$中$ ext{junction}$ $ ext{termination}$ $ ext{extension}$ ($ ext{JTE}$)结构的设计原理，以及$ ext{GaN}$高电子迁移率晶体管（HEMT）中AlGaN/GaN异质结界面处的二维电子气密度调控技术。分析了这些器件在高频、高温工作环境下的可靠性挑战。 6. 存储器器件的新范式： 探讨了易失性存储器（DRAM的电荷保持机制）和非易失性存储器（NVM）的物理基础。对电阻式随机存取存储器（RRAM）、相变存储器（PCM）和磁阻式随机存取存储器（MRAM）的工作机理进行了深入的对比分析，重点讨论了开关机制、耐久性（Endurance）和数据保持时间（Retention）的物理限制。 第三部分：先进制造工艺与良率控制 本部分将理论物理与实际的半导体制造流程紧密结合，强调工艺窗口和良率管理。 7. 光刻技术与尺寸控制： 详细解析了深紫外（DUV）光刻和极紫外（EUV）光刻的技术极限。重点讨论了分辨率、对比度和套刻精度（Overlay）的控制挑战。引入了光学邻近效应（OPC）的校正算法，以及先进的化学机械抛光（CMP）工艺在实现全局和局部平坦化中的作用。 8. 薄膜沉积与刻蚀技术： 深入研究了原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）在形成高均匀性、高质量薄膜中的优势。对干法刻蚀（Reactive Ion Etching, RIE）中的各向异性控制、侧壁保护技术和等离子体耦合效应进行了细致的分析，这是实现纳米级特征的关键。 9. 器件表征与可靠性工程： 介绍了多种高级表征技术，如透射电子显微镜（TEM）、扫描隧道显微镜（STM）以及各种电学老化测试（如Bias Temperature Instability, BTI；Hot Carrier Injection, HCI）。阐述了如何通过这些表征手段来识别和消除制造过程中的缺陷，从而保障数亿甚至数十亿晶体管的长期可靠性。 附录： 包含常用的半导体材料参数数据库、微纳加工实验室的安全规程以及EDA工具在器件模拟中的基础脚本示例。 本书面向具备扎实物理和工程背景的读者，是深入理解现代半导体技术瓶颈与未来发展方向的必备参考书。

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我对这本《电路分析基础》印象最深刻的一点是它对非正弦周期信号的讲解部分。通常这类内容在教材中处理得比较粗糙，往往一笔带过，把傅里叶级数当成一个黑箱工具来使用。但这本书不同，它花了大量的篇幅，以极其清晰的数学推导和图形化展示，解释了周期信号如何分解成一系列正弦分量的过程。作者巧妙地利用了傅里叶级数的对称性和收敛性，让原本抽象的积分运算变得可以被视觉化理解。我尤其欣赏的是，在讲解了级数展开后，它立刻紧接着分析了这些谐波分量在实际电路（比如功率放大器）中可能导致的失真问题，这种理论与实际工程缺陷的紧密结合，使得学习过程充满了目的性。我甚至觉得，仅仅是搞懂这一个章节关于频谱分析的内容，就比我之前阅读其他几本教材加起来的收获都要大。它真正做到了深入浅出，让傅里叶分析不再是高不可攀的数学工具，而是工程师手中分析信号波形的利器。

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这本书在介绍三相电路平衡条件时，处理得相当专业且系统化。很多教材在这一点上只是简单地展示了星形和三角形连接的公式转换，但《电路分析基础》却从电势平衡和相量图的角度进行了深入剖析，使得对称负载和不对称负载的分析逻辑一脉相承。我特别留意了其中关于三相功率计算的部分，作者不仅给出了视在功率、有功功率和无功功率的定义和计算公式，还用三维的功率金字塔模型来辅助理解它们之间的向量关系，这比传统的二维相量图要直观得多，尤其是在处理功率因数校正的问题时，这种空间想象力极大地帮助我快速确定了补偿电容的容量。阅读过程中，我很少需要翻阅其他参考资料来澄清概念上的模糊点，因为这本书的自洽性非常高，几乎所有的概念和公式都在当前章节或前置章节得到了充分的铺垫和解释，维护了一种非常流畅的学习体验。

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老实说，我拿到这本《电路分析基础》的时候，其实是抱着一种“试试看”的心态的。我之前在学校里学过类似的课程，但那本教材的内容组织方式非常僵硬，很多概念都是孤立存在的。然而，这本书给我的感觉完全不同，它似乎在用一种“讲故事”的方式来解析电路。比如在讲解磁耦合和互感的部分，作者没有直接抛出复杂的耦合系数公式，而是先用一个关于变压器工作原理的生动案例引入，然后才逐步引入数学模型，这种“先知其然，再探其所以然”的叙事结构，极大地激发了我的好奇心。而且，这本书对于各种分析工具的介绍，比如拉普拉斯变换在瞬态分析中的应用，处理得非常细腻，它不仅告诉我们“怎么做”，更深入地解释了“为什么用这种方法”以及“这种方法在物理上的意义是什么”。这让我意识到，电路分析远不只是解题的技巧，更是一种严谨的工程思维训练。书中的习题设计也颇具匠心，难度梯度控制得非常得体，从基础练习到需要综合运用多章知识的难题，都有清晰的标注和提示，让人感觉每完成一组练习，自己的能力都在实实在在地提升。

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这本《电路分析基础》的排版简直让人眼前一亮，开篇的绪论部分没有那种老生常谈的枯燥说教，而是直接切入了现代工程领域对电路理论的迫切需求。作者似乎深谙初学者在面对复杂公式时的恐惧心理，巧妙地运用了大量的实例和图示来辅助理解，比如那个关于智能家居供电网络的分析，即便我对基础知识有些模糊，也能顺着图文的脉络大致把握住节点电压法和网孔电流法的核心思想。特别是对欧姆定律和基尔霍夫定律的阐述，不再是简单的公式堆砌，而是结合了实际的电路拓扑结构进行多角度的解读，我能感觉到作者在试图建立一种直观的“物理图像”，而不是仅仅停留在代数运算层面。书中大量的彩色图例和仿真截图，极大地降低了阅读的疲劳感，使得即便是连续阅读几个小时，也不会觉得思维被公式的洪流淹没。相比我以前看过的几本教材，这本书的章节逻辑衔接非常自然，从最基本的元件特性过渡到复杂的网络定理，每一步都像是精心铺设的阶梯，让人每爬一步都能站稳脚跟，对后续内容的学习充满了信心。

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我对这本《电路分析基础》的深度和广度感到惊喜，它并没有止步于传统的直流/交流稳态分析。真正体现其价值的是对非线性元件特性和二阶/三阶电路瞬态响应的阐述。在分析RLC电路时，作者非常细致地讲解了阻尼状态（过阻尼、临界阻尼、欠阻尼）的物理含义，甚至提到了如何通过调整元件参数来优化系统的响应速度和稳定性，这已经触及了控制系统的边缘。更难得的是，书中对于二端口网络理论的引入和应用，显得非常现代和实用。通过Z参数、Y参数和H参数的介绍，它提供了一种系统化的方法来描述复杂电路模块的外部特性，这对于后续进行系统集成和模型简化至关重要。整体来看，这本书的编排逻辑兼顾了基础的扎实性与工程应用的先进性，它不仅教会了我如何分析一个电路，更培养了我用网络化思维去抽象和简化实际问题的能力。

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