具体描述
本书系统地介绍了微电子制造科学原理与工程技术，覆盖了集成电路制造所涉及的所有基本单项工艺，包括光刻、等离子体和反应离子刻蚀、离子注入、扩散、氧化、蒸发等。
作者简介
斯蒂芬A·坎贝尔：明尼苏达大学电子与计算机工程系的教授，该校技术研究院的杰出教授，同时兼任该校纳米制造中心和纳米结构应用中心的主任。无论是在学术界还是在工业界，他在微电子工艺制造领域都有着广泛的经验。他目前的研究领域包括半导体纳米颗粒在高性能电子器件与光电器件中的应用、先进材料、新型传感器与晶体管结构以及MEMS器件的各类应用等。
目录信息
第1篇 综述与题材第1章 微电子制造引论 1.1 微电子工艺：一个简单的实例 1.2 单项工艺与工艺技术 1.3 本课程教程 1.4 小结第2章 半导体衬底 2.1 相图与固溶度° 2.2 结晶学与晶体结构° 2.3 晶体缺陷 2.4 直拉法（Czochralski法）单晶生长 2.5 Bridgman法生长GaAs 2.6 区熔法单晶生长 2.7 晶圆片制备和规格 2.8 小结与未来发展趋势 习题 参考文献 第2篇 单项工艺1：热处理与离子注入第3章 扩散第4章 热氧化第5章 离子注入第6章 快速热处理 第3篇 单项工艺2：图形转移第7章 光学光刻第8章 光刻胶第9章 非光学光刻技术+第10章 真空科学与等离子体第11章 刻蚀 第4篇 单项工艺3：薄膜及概述第12章 物理淀积：蒸发和溅射第13章 化学气相淀积第14章 外延生长 第5篇 工艺集成概述第15章 器件隔离、接触和金属化第16章 CMOS技术第17章 其他类型晶体管的工艺技术第18章 光电子器件工艺技术第19章 微机电系统第20章 集成电路制造附录A 缩写与通用符号附录B 部分半导体材料的性质附录C 物理常数附录D 单位转换因子附录E 误差函数的一些性质附录F F数
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