譯者序前言 第1章　半導體基礎 　1.1　半導體的定義 　1.2　平衡載流子濃度與本徵材料 　1.3　雜質半導體材料 　思考題 第2章　載流子的運動 　2.1　載流子的漂移運動與擴散運動 　2.2　産生-復閤 　2.3　連續性方程及其解 　思考題 第3章　結 　3.1　處於平衡狀態的pn結 　3.2　不同偏壓下的同質pn結 　3.3　理想二極管行為的偏離 　3.4　載流子的注入、拉齣、電荷控製分析及電容 　3.5　肖特基勢壘 　思考題 第4章　雙極結型晶體管 　4.1　BJT工作原理 　4.2　BJT的二階效應 　　4.2.1　基區漂移 　　4.2.2　基區寬度調製/Early效應 　　4.2.3　雪崩擊穿 　4.3　BJT的高頻特性 　思考題 第5章　結型場效應晶體管和金屬-半導體場效應晶體管 　5.1　JFET工作原理 　5.2　MESFET和MODFET工作原理 　5.3　JFET和MESFET的定量描述 　5.4　JFET小信號模型 　思考題 第6章　金屬-絕緣體-半導體結構和MOSFET 　6.1　平衡態下的MIS係統 　6.2　加偏壓時的MIS結構 　6.3　MOSFET的基本工作原理 　6.4　MESFET和MOSFET的小信號特性 　6.5　CMOS電路 　思考題 第7章　短溝道效應及其對CMOS的挑戰 　7.1　短溝道效應 　7.2　尺寸縮小理論 　7.3　CMOS進一步小型化中遇到的挑戰 　思考題 第8章　超越CMOS 　8.1　超越CMOS之外的發展 　8.2　碳納米管 　8.3　傳統計算與感知計算、分子和生物計算 　8.4　分子電子學——分子二極管和二極管—二極管邏輯門 　8.5　容錯計算 　8.6　量子原胞自動機 　思考題 第9章　電信係統概述 　9.1　光縴傳輸 　9.2　放大器與中繼器 　9.3　移動蜂窩電信係統 　9.4　蜂窩係統的器件類型 第10章　光電器件——發射器、光放大器和探測器 　10.1　發光二極管 　10.2　受激發射 　10.3　激光器工作原理 　10.4　半導體激光器的類型 　10.5　摻鉺光縴放大器 　10.6　半導體光放大器 　10.7　p-i-n光電探測器 　10.8　雪崩二極管 　思考題 第11章　無綫係統中高頻大功率晶體管 　11.1　無綫傳輸係統中晶體管的特性 　11.2　異質結 　11.3　MODFET器件 　11.4　異質結雙極晶體管（HBTs） 　11.5　寬帶隙半導體 　思考題 參考書目
· · · · · · (收起)