具體描述
《半導體器件:計算和電信中的應用》從半導體基礎開始，介紹瞭目前電信和計算産業中半導體器件的發展現狀，在器件方麵為電子工程提供瞭堅實的基礎。內容涵蓋未來計算硬件和射頻功率放大器的實現方法，闡述瞭計算和電信的發展趨勢和係統要求對半導體器件的選擇、設計及工作特性的影響。
《半導體器件:計算和電信中的應用》首先討論瞭半導體的基本特性；接著介紹瞭基本的場效應器件MODFET和M0SFET，以及器件尺寸不斷縮小所帶來的短溝道效應和麵臨的挑戰；最後討論瞭光波和無綫電信係統中半導體器件的結構、特性及其工作條件。
著者簡介
Kevin F.Brennan，曾獲得美國國傢科學基金會的青年科學傢奬。2002年被佐治亞理工大學ECE學院任命為傑齣教授，同年還獲得特彆貢獻奬，以錶彰他對研究生教育所作齣的貢獻。2003年，他獲得佐治亞理工大學教職會員最高榮譽——傑齣教授奬。他還是IEEE電子器件學會傑齣講師。
圖書目錄
譯者序前言 第1章 半導體基礎 1.1 半導體的定義 1.2 平衡載流子濃度與本徵材料 1.3 雜質半導體材料 思考題 第2章 載流子的運動 2.1 載流子的漂移運動與擴散運動 2.2 産生-復閤 2.3 連續性方程及其解 思考題 第3章 結 3.1 處於平衡狀態的pn結 3.2 不同偏壓下的同質pn結 3.3 理想二極管行為的偏離 3.4 載流子的注入、拉齣、電荷控製分析及電容 3.5 肖特基勢壘 思考題 第4章 雙極結型晶體管 4.1 BJT工作原理 4.2 BJT的二階效應 4.2.1 基區漂移 4.2.2 基區寬度調製/Early效應 4.2.3 雪崩擊穿 4.3 BJT的高頻特性 思考題 第5章 結型場效應晶體管和金屬-半導體場效應晶體管 5.1 JFET工作原理 5.2 MESFET和MODFET工作原理 5.3 JFET和MESFET的定量描述 5.4 JFET小信號模型 思考題 第6章 金屬-絕緣體-半導體結構和MOSFET 6.1 平衡態下的MIS係統 6.2 加偏壓時的MIS結構 6.3 MOSFET的基本工作原理 6.4 MESFET和MOSFET的小信號特性 6.5 CMOS電路 思考題 第7章 短溝道效應及其對CMOS的挑戰 7.1 短溝道效應 7.2 尺寸縮小理論 7.3 CMOS進一步小型化中遇到的挑戰 思考題 第8章 超越CMOS 8.1 超越CMOS之外的發展 8.2 碳納米管 8.3 傳統計算與感知計算、分子和生物計算 8.4 分子電子學——分子二極管和二極管—二極管邏輯門 8.5 容錯計算 8.6 量子原胞自動機 思考題 第9章 電信係統概述 9.1 光縴傳輸 9.2 放大器與中繼器 9.3 移動蜂窩電信係統 9.4 蜂窩係統的器件類型 第10章 光電器件——發射器、光放大器和探測器 10.1 發光二極管 10.2 受激發射 10.3 激光器工作原理 10.4 半導體激光器的類型 10.5 摻鉺光縴放大器 10.6 半導體光放大器 10.7 p-i-n光電探測器 10.8 雪崩二極管 思考題 第11章 無綫係統中高頻大功率晶體管 11.1 無綫傳輸係統中晶體管的特性 11.2 異質結 11.3 MODFET器件 11.4 異質結雙極晶體管（HBTs） 11.5 寬帶隙半導體 思考題 參考書目
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