具体描述
《电力电子实用技术》重点介绍生活和生产中实用电路的基本理论和工作原理，并结合具体电路、应用实例来进行分析和计算。全书共分为8章，内容包括电路试验、家用电路、整流逆变、控制电路、自动控制、电机技术、设计电器、供电设汁等，并介绍了一些高新技术、网络技术的物理特征和工作原理。
《电力电子实用技术》可供电气技师、电气工程师、电子工程师等使用，也可作为大专院校、职业学院、技师学院等的教科书，还可作为有关专业技术人员自学电力、电子和自动控制等技术的参考书。
《功率半导体器件与应用》 内容详尽，聚焦核心，引领行业发展 《功率半导体器件与应用》是一本全面深入探讨现代电力电子技术基石——功率半导体器件及其广泛应用的专业著作。本书不仅覆盖了从基础理论到前沿技术的完整脉络，更以其严谨的学术态度和丰富的实践案例，成为电力电子工程师、科研人员以及相关专业学生的宝贵参考。 第一部分：功率半导体器件的理论基石 本书开篇即奠定坚实的理论基础，深入剖析了各种关键功率半导体器件的工作原理、物理特性和关键参数。 二极管系列： 从基础的PN结二极管，到高效率的肖特基二极管，再到耐高压的快恢复二极管，本书详细阐述了它们的结构、导通压降、反向恢复特性、结电容等影响器件性能的关键因素，并结合具体的应用场景，如整流、续流等，分析了不同类型二极管的适用性。 晶闸管家族： 详细介绍了通用晶闸管（SCR）、双向晶闸管（TRIAC）、门极可关断晶闸管（GTO）、晶闸管（Thyristor）等器件。重点在于解释它们的触发机制、导通特性、关断方式以及在功率控制、逆变等方面的应用，并对它们在高压大功率场合的优劣进行了深入的比较。 双极型晶体管（BJT）： 尽管在某些新兴领域被IGBT取代，但BJT仍是理解电流控制型开关器件的重要基础。本书详细阐述了BJT的电流放大作用、开关特性、饱和电压、驱动要求等，并将其在特定功率放大和开关电路中的应用进行了介绍。 场效应晶体管（FET）： 重点介绍了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。对于MOSFET，本书深入分析了其栅极驱动特性、导通电阻、开关损耗、体二极管等关键性能指标，以及其在开关电源、DC-DC变换器等高频应用中的优势。对于IGBT，则详细解读了其电压驱动特性、混合结构带来的低导通损耗和高开关速度，以及在电机驱动、逆变器等大功率应用中的重要地位。 第二部分：先进功率半导体技术与新材料 随着电力电子技术的飞速发展，新材料和新器件不断涌现。《功率半导体器件与应用》紧随时代步伐，对当前和未来的主流技术进行了深入探讨。 碳化硅（SiC）功率器件： 详细介绍了SiC材料的优越性能，如高击穿电压、低导通电阻、高热导率、高开关频率等。本书重点分析了SiC MOSFET、SiC肖特基二极管在耐高压、高温、高频应用中的优势，以及它们在电动汽车、新能源发电、航空航天等领域的突破性进展。 氮化镓（GaN）功率器件： 介绍了GaN材料在低压高频领域的巨大潜力，重点讲解了GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）的结构、工作原理、高频特性、封装技术及其在快速充电器、数据中心电源、无线充电等领域的创新应用。 第三代半导体器件的比较与融合： 对SiC和GaN器件的性能、成本、应用场景进行了全面比较，并探讨了未来功率半导体器件的集成化、模块化以及与其他技术的融合发展趋势。 第三部分：功率半导体器件的应用与系统设计 器件的性能最终要体现在具体的电力电子系统中。本书将理论与实践紧密结合，展示了功率半导体器件在各种典型应用中的核心作用。 开关电源（SMPS）： 深入分析了Buck、Boost、Buck-Boost、Flyback、Forward、LLC、Phase-Shifted Full-Bridge等经典拓扑的电路原理、功率器件选择、损耗分析和设计优化。重点关注器件的开关特性、导通损耗、开关损耗对效率的影响，以及散热设计的重要性。 DC-DC变换器： 详细介绍了各种DC-DC变换器拓扑，如同步整流Buck/Boost、隔离型DC-DC（如LLC、QR）等，以及功率器件在其中的作用。探讨了高频化、高效率化和高功率密度的设计思路。 逆变器与电机驱动： 深入讲解了单相、三相电压源逆变器（VSI）、电流源逆变器（CSI）的PWM（脉冲宽度调制）控制策略，以及功率器件在其中的开关工作模式。重点分析了电机驱动系统中的功率器件损耗、散热、可靠性以及EMI（电磁干扰）问题。 功率因数校正（PFC）电路： 介绍了升压式PFC、升降压式PFC等电路，以及其中功率器件的应用，并讨论了如何提高功率因数和减小谐波。 新能源发电与储能系统： 探讨了光伏并网逆变器、风力发电变流器、储能系统中的DC-AC、DC-DC变换等关键环节，以及功率器件在其中承担的重任，包括耐受恶劣工作环境、高效率能量转换等。 电能质量与和谐电力系统： 介绍了有源滤波器、动态电压恢复器（DVR）、静止同步补偿器（STATCOM）等，以及其中功率器件在补偿谐波、电压波动方面的作用。 第四部分：功率半导体器件的可靠性、封装与测试 功率半导体器件的可靠性和有效散热是保证电力电子系统稳定运行的关键。《功率半导体器件与应用》对此给予了足够的重视。 器件的可靠性与失效机理： 详细分析了过电压、过电流、过热、高低温循环、湿度等因素对器件寿命的影响，以及结温、漏电流、击穿电压等关键参数的长期变化。 功率半导体器件的封装技术： 介绍了通孔封装（TO-247, TO-220）、表面贴装封装（SMD）、模块化封装（如IPM、IPD）等，并详细分析了不同封装形式的热阻、寄生参数、电气连接对器件性能和系统设计的影响。 功率半导体器件的测试与表征： 讲解了器件的静态参数测试（如漏电流、导通压降、阈值电压）、动态参数测试（如开关时间、关断延迟）以及高压、高功率性能测试方法，为器件选型和质量控制提供了指导。 《功率半导体器件与应用》以其内容的深度、广度和前瞻性，必将为推动电力电子技术的进步做出重要贡献，为工程师和研究人员提供强大的理论和实践支持。
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