DRAM Circuit Design pdf epub mobi txt 电子书下载 2026

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出版者:

作者:Keeth, Brent/ Baker, R. Jacob/ Johnson, Brian/ Lin, Feng

出品人:

页数:440

译者:

出版时间:2007-11

价格:983.00元

装帧:

isbn号码:9780470184752

丛书系列:

图书标签:

DRAM
存储器
电路设计
半导体
存储系统
数字电路
集成电路
电子工程
计算机体系结构
VLSI

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具体描述

A modern, comprehensive introduction to DRAM for students and practicing chip designers Dynamic Random Access Memory (DRAM) technology has been one of the greatestdriving forces in the advancement of solid-state technology. With its ability to produce high product volumes and low pricing, it forces solid-state memory manufacturers to work aggressively to cut costs while maintaining, if not increasing, their market share. As a result, the state of the art continues to advance owing to the tremendous pressure to get more memory chips from each silicon wafer, primarily through process scaling and clever design. From a team of engineers working in memory circuit design, DRAM Circuit Design gives students and practicing chip designers an easy-to-follow, yet thorough, introductory treatment of the subject. Focusing on the chip designer rather than the end user, this volume offers expanded, up-to-date coverage of DRAM circuit design by presenting both standard and high-speed implementations. Additionally, it explores a range of topics: the DRAM array, peripheral circuitry, global circuitry and considerations, voltage converters, synchronization in DRAMs, data path design, and power delivery. Additionally, this up-to-date and comprehensive book features topics in high-speed design and architecture and the ever-increasing speed requirements of memory circuits. The only book that covers the breadth and scope of the subject under one cover, DRAM Circuit Design is an invaluable introduction for students in courses on memory circuit design or advanced digital courses in VLSI or CMOS circuit design. It also serves as an essential, one-stop resource for academics, researchers, and practicing engineers.

好的，这是一份关于《DRAM Circuit Design》一书的详细图书简介，侧重于不包含该书内容的领域，并以一种专业、深入的口吻来描述： --- 书名：《DRAM Circuit Design》图书简介：本书的焦点在于动态随机存取存储器（DRAM）的电路级设计与实现，深入探讨了从基础存储单元到整个存储器阵列的架构、时序、功耗优化和可靠性挑战。然而，对于那些寻求了解存储器领域其他关键技术和应用的书籍而言，本指南的视角是截然不同的。本导览将清晰界定《DRAM Circuit Design》未涵盖的领域，从而为读者勾勒出半导体存储器设计图景的完整版图：一、非易失性存储器技术（NVM）的深度剖析《DRAM Circuit Design》主要聚焦于需要周期性刷新的易失性存储器。因此，它不会深入探讨构成现代计算存储层次结构中更深层和持久化存储介质的非易失性存储器（NVM）技术。未涵盖内容详解： 1. 闪存（Flash Memory）的物理机制与电路：浮栅（Floating Gate）与电荷陷阱（Charge Trap）技术：本书不涉及电荷注入、隧穿效应（Fowler-Nordheim Tunneling）或热氧化层（ONO）的介电材料选择及其对耐久性的影响。 NAND 与 NOR 架构的差异：不同于DRAM的阵列读写机制，本书不细究NAND阵列的串联（String）结构、页（Page）和块（Block）管理、以及复杂的程序（Program）和擦除（Erase）流程的电路实现细节。数据保持机制（Data Retention）：DRAM的刷新机制是其核心，但闪存中电荷泄漏（Charge Loss）的物理模型、温度依赖性对保持时间的影响等，均不在本书讨论范畴。 2. 新兴的相变存储器（PCM/PCRAM）与阻变存储器（RRAM/ReRAM）：材料科学基础：本书不涉及硫族化合物（如GST合金）在电脉冲下的晶态/非晶态转变动力学，或金属氧化物薄膜中氧空位（Oxygen Vacancy）的迁移机制。开关机制（Switching Mechanism）：聚焦于SET/RESET过程中的非线性电阻变化、电导步进（Conductance Stepping）的电路控制，以及与DRAM的电容读出完全不同的电流检测架构。 3. 磁阻随机存取存储器（MRAM）：磁隧道结（MTJ）的物理原理：本书不会探究自旋转移矩（STT）或自旋轨道矩（SOT）如何用于切换磁化方向，以及隧道磁阻（TMR）效应的电路应用。二、存储器系统级集成与软件交互 DRAM的电路设计工作在芯片内部，但其在整个计算平台中的作用需要系统级的视角。《DRAM Circuit Design》侧重于晶体管和单元的优化，因此它忽略了以下系统架构和软件交互层面： 1. 内存控制器（Memory Controller, MC）的复杂逻辑：高层协议与调度：本书不涉及DDRx、LPDDRx或HBM等标准的物理层（PHY）之上的协议层（如CAS/RAS/WE时序的软件映射），以及先进的命令调度算法（如Open-Page Policy、Row Buffer Management）。错误校验与纠正（ECC）：虽然DRAM单元的底层噪声处理可能被提及，但标准的系统级ECC编码（如Hamming Code、SEC-DED）的逻辑设计、校验位插入和纠错电路，属于控制器范畴，不在本书范围内。 2. 跨芯片的存储器互联技术：封装技术与异构集成：本书不探讨2.5D或3D堆叠技术（如Chiplet架构），或使用硅中介层（Interposer）的布线挑战，这些是影响现代高带宽存储器（HBM）性能的关键因素。 SerDes（串行解串器）和高级信号完整性：DRAM接口的SerDes设计（如均衡、预加重）以确保跨PCB或封装的信号质量，是高速I/O而非存储单元本身的技术，因此不属于本书核心。 3. 操作系统与虚拟内存管理：内存分页、TLB（转换后援缓冲器）和缓存一致性协议：这些是操作系统和CPU架构师关注的问题，与DRAM单元的电荷泄漏率或刷新策略的电路实现无关。三、存储器可靠性与制造工艺的宏观视角 DRAM的可靠性是一个跨越多个尺度的议题。本书会关注电路层面的设计裕度，但不会深入探讨制造端和宏观环境对存储器寿命的决定性影响： 1. 制造工艺的极限与良率分析：先进节点的工艺变异（Process Variation）：本书可能涉及单元电容的工艺敏感性，但不会详细分析深亚微米甚至纳米级别工艺节点中，光刻、刻蚀、薄膜沉积等步骤如何影响晶体管阈值电压（Vt）的分布，进而影响电路性能的统计学分析。良率建模（Yield Modeling）：DRAM芯片的测试、缺陷定位、以及基于缺陷密度的整体良率预测模型，是制造工程的范畴。 2. 环境因素与长期可靠性：辐射效应（Soft Errors）：本书可能不会详述高能粒子（如Alpha粒子）诱发的软错误（Single Event Upset, SEU）在DRAM单元中的概率模型，以及如何通过冗余位或软件机制来缓解。热点效应与寿命预测：在系统级运作中，局部过热对存储器单元的长期可靠性（如TDDB——时间依赖性介电击穿）的影响分析，属于封装和系统热设计，不在本书的电路细节范畴内。四、其他存储器类型和替代技术 DRAM是主流，但并非唯一的动态存储技术。本书的聚焦性意味着它将排除对以下经典或替代性动态存储器的详细介绍： 1. SRAM（静态随机存取存储器）：结构差异：本书不会分析六晶体管（6T）或八晶体管（8T）SRAM单元的建立（Setup）、保持（Hold）时序的亚阈值设计。电源与噪声免疫：SRAM在读取时的翻转问题（Read Stability）和写入裕度（Write Margin）的电路优化，与DRAM的电荷维持机制完全不同。 2. FeRAM（铁电随机存取存储器）：铁电材料与极化：本书不涉及PZT等铁电材料的畴壁运动、疲劳效应（Fatigue）及其在存储单元中的应用。总结：《DRAM Circuit Design》是一本专注于电荷存储、刷新电路、字线驱动、感应放大器（Sense Amplifier）设计与优化，以及存储阵列布局的深度技术手册。它旨在服务于需要进行具体电路实现的IC设计工程师。因此，对于系统架构、非易失性存储器原理、高级封装集成、以及操作系统层面的内存管理等广阔领域，读者需要参考其他专业书籍。