Ion Implantation Technology pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

简体网页||繁体网页

☆☆☆☆☆

出版者:

作者:Seebauer, Edmund G. (EDT)/ Felch, Susan B. (EDT)/ Jain, Amitabh (EDT)/ Kondratenko, Y. V. (EDT)

出品人:

页数:576

译者:

出版时间:2008-12

价格:$ 292.67

装帧:

isbn号码:9780735405974

丛书系列:

图书标签:

• 离子注入
• 半导体材料
• 材料科学
• 表面处理
• 薄膜技术
• 微电子学
• 器件物理
• 材料工程
• 半导体制造
• 物理学

科技前沿探索：微纳尺度下的物质重构与界面工程 图书名称： 界面科学与先进制造：原子尺度下的物质调控 内容简介： 本书深入探讨了在原子和分子尺度上如何精确调控材料界面结构与性质的前沿科学与工程技术。聚焦于如何通过精细的能量输入与环境控制，实现对复杂物质体系的性能优化与功能化。全书内容紧密围绕当前纳米技术、半导体制造、催化科学以及生物医学工程中的核心挑战展开，旨在为读者提供一套系统的、从理论到实践的先进制造与材料设计方法论。 第一部分：界面物理与化学基础 本部分奠定了理解界面现象的理论基石。材料的宏观性能往往由其表层和界面处的微观结构所决定。我们将首先回顾经典的热力学与动力学原理在界面系统中的应用，特别关注表面能、界面能以及相变过程中界面能垒的计算方法。 表面结构与重构： 详细解析不同晶体取向表面在真空、液体或气体环境下的原子排列变化（表面重构）。通过密度泛函理论（DFT）计算，阐释了表面吸附物对表面电子结构和几何构型的显著影响。讨论了缺陷（如空位、位错）在界面处的偏聚与扩散行为，这些缺陷是影响材料力学性能和电学特性的关键因素。 界面电子态调控： 深入分析异质结界面处电子的能带弯曲、肖特基势垒的形成机理。重点阐述了电荷转移与界面偶极层对电子传输性能的影响。引入了费米能级钉扎效应的微观解释，及其在接触电阻优化中的应用。 跨尺度耦合效应： 探讨了应力、应变与界面结构之间的反馈机制。通过分子动力学模拟，展示了在极端机械载荷下，薄膜与基底界面如何成为裂纹萌生的源头，以及如何利用应变工程来引导新相的形成，实现材料的“应变工程设计”。 第二部分：先进材料的制备与表征技术 本部分侧重于当前最具突破性的、用于精确构建和分析材料界面的制造技术。这些技术的核心在于对输入能量的精确控制和对反应环境的极端纯净要求。 薄膜沉积技术精要： 全面覆盖物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）的最新进展。 原子层沉积（ALD）的精确控制： 详细解析了ALD的自限制性反应机理，强调其在实现亚纳米级厚度和完美覆盖率方面的无可比拟的优势。结合实际案例，展示了如何通过温度窗口的选择和脉冲序列的优化，来抑制副反应和实现高品质薄膜的生长。 外延生长： 深入剖析了分子束外延（MBE）中束流控制对界面清晰度的决定性作用。讨论了应变超晶格的设计原则及其在光电器件中的应用。 界面激活与改性： 探讨了利用高能粒子束（如电子束、离子束）和强辐射场对材料表面进行非平衡态处理的方法。 快速热退火（RTA）与激光退火： 比较了不同加热速率对固态反应动力学的影响，解释了快速退火如何有效抑制缺陷扩散和促进均匀的固溶体形成。 高通量筛选方法： 介绍了利用微纳加工平台（如微阵列或MEMS器件）实现数千个不同界面结构的快速制备与并行测试，加速新材料的发现进程。 尖端表征手段： 强调了需要高空间分辨率和高灵敏度的技术来解析界面。重点介绍透射电子显微镜（TEM）在原子尺度成像中的应用，特别是球差校正TEM对轻元素层状结构的解析能力。结合X射线光电子能谱（XPS）和二次离子质谱（SIMS）对界面化学态和深度分布的定量分析。 第三部分：界面工程在功能器件中的应用 本部分将理论与技术融会贯通，展示了界面工程如何驱动关键科技领域的创新。 下一代半导体器件： 聚焦于如何通过界面工程来解决CMOS技术瓶颈。讨论了二维材料（如石墨烯、过渡金属硫化物）与传统半导体材料的异质接触设计，以实现低功耗、高迁移率的晶体管。阐述了隧穿结（Tunneling Junctions）中势垒层厚度和材料选择对隧穿概率的影响。 储能技术中的界面： 深入分析了锂离子电池和固态电池中电极/电解质界面的稳定性问题。讨论了如何通过表面包覆（如ALD技术）来形成致密的、无枝晶生长的界面保护层，从而显著提高电池的循环寿命和安全性。 催化与传感： 阐述了活性位点设计的重要性。在多相催化中，如何通过调控金属纳米颗粒与载体之间的相互作用（SMSI效应）来优化电子转移效率和反应中间体的稳定性。在化学传感器中，界面吸附动力学和信号转导机制的优化策略。 生物/材料界面： 探讨了在生物相容性植入物和药物递送系统中，如何通过表面官能团化或低粘附涂层设计，精确控制蛋白质吸附和细胞粘附，实现对生物反应的引导。 本书面向材料科学、物理学、化学工程、微电子工程等领域的本科高年级学生、研究生以及科研与工程技术人员。通过严谨的理论阐述、丰富的实例分析和对前沿技术的深入剖析，旨在培养读者运用界面科学的视角去解决复杂工程问题的能力。

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

我在一家为半导体行业提供检测服务的公司工作，日常工作中会接触到大量的器件样品，其中很多都需要对注入层进行准确的评估。《离子注入技术》这本书，虽然我不是直接操作注入设备，但书中的内容对我理解和解读检测数据有着至关重要的作用。例如，书中关于“注入剂量和均匀性”的章节，详细介绍了不同注入设备在保证剂量均匀性方面所面临的挑战，以及相应的解决方案，如扫描技术、束流控制等。这让我能更深刻地理解，为什么在测试过程中，我们会遇到剂量不均的现象，以及不同区域的器件性能差异是如何产生的。再者，关于“掺杂浓度分布”的讲解，尤其是对普氏分布以及其在不同注入条件下的变化，让我能够更好地预测注入层的深度和浓度，从而在原子力显微镜（AFM）、二次离子质谱（SIMS）等分析结果出来之前，就能大致判断其合理性。这本书就像一个“翻译官”，帮助我理解那些原本只属于工程师的专业术语和参数，让我能够更准确、更深入地为客户提供服务。

评分☆☆☆☆☆

对于很多即将踏入半导体行业的学生来说，很多知识点都显得十分抽象和难以捉摸，而《离子注入技术》这本书，则以一种非常接地气的方式，将这些复杂的概念一一剖析。我之前在学校接触到的关于半导体器件的知识，很多都是理论上的，对于具体的制造工艺了解不多。这本书的出现，就像是为我打开了一扇通往真实半导体世界的大门。我尤其喜欢书中对于“离子注入设备结构与工作原理”的介绍。作者并没有过于深究那些复杂的物理方程，而是通过大量的流程图和示意图，展示了离子注入机的各个组成部分，比如离子源、加速管、扫描系统、样品台等等，以及它们是如何协同工作的。这让我对一台完整的离子注入机有了具象化的认识。此外，书中关于“工艺参数设置与优化”的讲解，也让我明白了在实际生产中，每一个参数的微小调整都可能对最终器件性能产生巨大的影响，这让我对工程师的严谨工作态度有了新的认识。这本书不仅让我学到了知识，更让我对未来的职业方向有了更清晰的规划。

评分☆☆☆☆☆

作为一名专注于半导体材料研发的科研人员，我一直密切关注着离子注入技术在材料改性方面的最新进展。《离子注入技术》这本书，无疑为我提供了宝贵的理论框架和实践指导。书中的内容，从基础的物理模型到前沿的应用，都进行了系统而深入的探讨。我尤其对书中关于“注入损伤与修复”的部分印象深刻。它不仅阐述了离子注入过程中晶格损伤的形成机制，还详细介绍了退火处理（如快速热退火RTA、高温长时退火HTA）对消除损伤、激活掺杂物以及重构晶格的机理。书中对不同退火温度、时间和气氛对材料性能的影响进行了细致的分析，并给出了相应的实验数据支持。这对于我设计新的掺杂方案、探索新型半导体材料的制备方法，具有非常重要的参考价值。此外，书中还涉及了离子注入在纳米材料、薄膜沉积、以及表面改性等领域的应用，这为我的研究方向提供了新的思路和灵感。这本书不仅是一本技术手册，更是一部集理论、实践与前沿探索于一体的专著，它让我对离子注入技术的潜力有了更深的认识。

评分☆☆☆☆☆

我是一名在光刻领域摸索的初学者，一直对整个集成电路制造流程有着浓厚的兴趣，特别是那些能够直接影响器件性能的关键步骤。在我的学习路径中，《离子注入技术》这本书，虽然书名听起来有些专业，但它的内容却以一种非常引人入胜的方式，将一个通常被认为是“黑箱”的工艺环节，展现得淋漓尽致。我尤其被书中关于“离子束的形成与控制”那一章节所吸引。作者用生动形象的比喻，解释了等离子体如何产生高能离子，以及这些离子是如何被精确地聚焦、加速和引导的。书中关于不同类型的离子源（如射频源、螺旋源等）的工作原理和优缺点对比，让我对设备的多样性和设计哲学有了初步的了解。此外，对于离子在材料中的穿透深度和分布曲线（普氏分布）的讲解，也让我对“注入”这个概念有了更为直观的理解。这本书并没有回避复杂的物理模型，而是通过大量的图示和简洁的数学推导，让这些抽象的概念变得易于接受。对于我这样希望构建全面知识体系的读者来说，这本书就像一本生动的科普读物，它让我对离子注入这一关键工艺的认识，从模糊变得清晰，从未知变得了解。

评分☆☆☆☆☆

这本《离子注入技术》的到来，简直是如同久旱逢甘霖，对于我这样一个多年来深耕半导体制造领域，尤其是在集成电路前端工艺中摸爬滚打多年的工程师来说，真是期盼已久。过去，在遇到一些复杂或高难度的离子注入问题时，常常需要翻阅大量散乱的资料，或者向经验丰富的老师傅请教，既耗时又效率不高。这本书的出现，恰恰填补了这一空白。它的内容组织，从最基础的等离子体物理原理，到各种离子源的设计和优化，再到束流输运、目标注入过程中的各种物理效应，直至最后的退火和表征技术，都做了深入浅出的阐述。特别是书中对不同材料体系（如硅、III-V族化合物半导体、宽禁带半导体等）的注入特性差异，以及各种注入工艺（如能量扫描、剂量控制、沟道注入等）的精细化调控手段，都进行了详细的讲解和案例分析。我特别欣赏其中对设备可靠性、工艺窗口的确定、以及如何通过实验设计来优化参数的实用性建议。读完这本书，我感觉自己的理论基础得到了极大的夯实，同时也对实际生产中的一些“玄学”问题有了更清晰的认识。这本书不只是理论的堆砌，更多的是将理论与实践紧密结合，让读者能够真正理解“为什么”和“怎么做”。

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆