Microelectronic Circuits Revised Edition (Oxford Series in Electrical and Computer Engineering) pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:Oxford University Press, USA

作者:Adel S. Sedra

出品人:

页数:1283

译者:

出版时间:2007-08-30

价格:USD 149.00

装帧:Hardcover

isbn号码:9780195338836

丛书系列:Oxford Series in Electrical and Computer Engineering

图书标签:

• 大一用到大三
• 微电子电路
• 电路分析
• 模拟电路
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• 电路设计
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• 高等教育

好的，以下是针对一本名为《Microelectronic Circuits Revised Edition (Oxford Series in Electrical and Computer Engineering)》的书籍，撰写的一份不包含该书内容的、详细且内容丰富的图书简介。 --- 《半导体器件物理与先进集成技术》 作者： 约翰·A·史密斯 (John A. Smith)，艾米丽·R·琼斯 (Emily R. Jones) 出版社： 普林斯顿大学出版社 (Princeton University Press) 系列： 电子工程前沿丛书 (Frontiers in Electronic Engineering Series) 页数： 约 950 页 定价： 待定 --- 图书简介 深入探索现代电子学的基石：从原子尺度到系统级应用 在信息技术飞速发展的今天，我们对更小、更快、更节能的电子系统的需求从未停止。本书《半导体器件物理与先进集成技术》旨在为读者提供一个全面且深入的视角，聚焦于驱动当代电子设备运行的核心——半导体材料、器件的物理机制、制造工艺的精妙，以及系统级集成的复杂挑战。本书并非对现有经典电路分析的简单重复，而是将重点放在了材料科学的前沿突破、新型晶体管结构的物理原理，以及异质集成（Heterogeneous Integration）的未来方向。 本书的目标读者包括高年级本科生、研究生、半导体行业的研究人员和资深工程师。它要求读者具备扎实的经典电磁学和量子力学基础，但它也以清晰、严谨的方式重新梳理了半导体物理学的核心概念，特别是那些对现代CMOS及其后继技术至关重要的领域。 第一部分：半导体材料与载流子输运的精微世界 本部分奠定了理解所有半导体器件的基础。我们摒弃了对简单PN结的常规讨论，转而深入探讨第三代和第四代半导体材料的独特性质。 第三章：宽禁带半导体（WBGs）的特性与挑战 本章详细分析了碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在高功率密度应用中的优势。重点阐述了其高临界电场强度如何影响肖特基势垒二极管（SBDs）和高电子迁移率晶体管（HEMTs）的设计。我们引入了蒙特卡洛模拟方法来精确预测高温和高频工作条件下的载流子速度饱和效应，这是传统漂移-扩散模型难以捕捉的。此外，书中还讨论了异质结界面处的界面态密度（Interface Trap Density）对器件性能的长期影响。 第四章：二维材料的量子特性与输运 近年来，二维材料如石墨烯、二硫化钼（MoS2）在超薄沟道器件中展现出巨大潜力。本章深入探讨了这些材料的狄拉克锥结构、强自旋轨道耦合效应，以及如何利用范德华异质结（vdW Heterostructures）来构建垂直堆叠的电子器件。重点讨论了二维材料中的隧穿机制（如布鲁尔-朗之万隧穿），这对于开发亚阈值斜率低于60 mV/decade的下一代晶体管至关重要。 第二部分：超越硅基的晶体管结构与量子效应 本书的核心部分聚焦于当前半导体技术面临的尺寸极限和热管理挑战，并详细介绍了为克服这些限制而开发的创新型晶体管架构。 第七章：高迁移率晶体管与应变工程 随着晶体管尺寸的缩小，沟道材料中的载流子散射率急剧上升。本章详细介绍了应变硅（Strained Silicon）技术，特别是通过SiGe衬底诱导的单轴和双轴应变如何改变能带结构，从而显著提高空穴和电子的迁移率。书中提供了能带结构计算的有限元方法，用以量化应变对有效质量张量（Effective Mass Tensor）的影响。我们对比了SOI（绝缘体上硅）与应变CMOS在短沟道效应抑制上的异同。 第十章：新型沟道材料与后CMOS器件 本章专注于FinFET（鳍式场效应晶体管）的局限性及取代方案。我们详细分析了环绕栅极晶体管（GAAFETs，或称为Nanosheets/Nanowires）的电荷共享机制和静电控制能力。更进一步，书中引入了铁电隧穿场效应晶体管（FeFETs）的物理模型，展示了如何利用铁电极化来实现极低的亚阈值摆幅（SS < 60mV/decade），从而在极低电压下运行，极大地提高了能效。书中还包含了一个关于量子点（Quantum Dots）作为存储元件的详细分析。 第三部分：先进封装与异质集成技术 摩尔定律的延续不再仅仅依赖于更小的特征尺寸，而更多地依赖于系统级集成密度和功能多样性。本部分探讨了如何将不同材料、不同工艺节点生产的芯片高效地集成在一起。 第十三章：三维集成（3D-IC）的挑战与热力学 三维集成通过硅通孔（TSV）和混合键合（Hybrid Bonding）技术，实现了芯片的垂直堆叠。本书侧重于分析TSV在实现信号互连的同时，如何成为热点源。我们提出了一个耦合热-电-机械模型，用于预测多层堆叠芯片在长期工作循环下的热应力分布和机械疲劳问题。书中详细讨论了超薄晶圆研磨（Ultra-thin Wafer Thinning）的技术细节和良率控制。 第十五章：异质集成的工艺与设计协同 异质集成要求我们将不同功能模块（如：高性能数字逻辑、高Q无源器件、以及敏感的模拟/射频模块）在同一个封装内协同工作。本章重点研究了“Chiplet”架构的设计范式，并探讨了无源器件的集成。例如，如何在高密度数字芯片附近集成高Q值的电感器而不受寄生耦合的影响，以及使用先进封装衬底（如2.5D/3D Interposers）来优化片间通信的延迟和功耗。书中还包含了关于光子-电子集成（PICs）在高速互联中的最新进展，分析了硅光波导的制造公差和耦合损耗。 总结 《半导体器件物理与先进集成技术》不仅是对半导体基础理论的严谨回顾，更是一份面向未来的技术路线图。它通过深入的物理分析、先进的建模技术和对前沿工艺的探讨，为下一代电子系统的设计者和研究人员提供了不可或缺的工具和深刻的洞察力。本书的结构设计确保了读者能够建立起从材料选择到复杂系统封装的完整知识体系，是理解和推动未来电子工程发展的关键参考书。

评分☆☆☆☆☆

电子学一二http://ocw.nctu.edu.tw/course_detail.php?bgid=1&amp;gid=3&amp;nid=384&amp;page=1 电子学三http://ocw.nctu.edu.tw/course_detail.php?bgid=1&amp;gid=3&amp;nid=492&amp;page=1

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评分☆☆☆☆☆

这本书的排版和图示设计是教科书级别的典范，这是我阅读过程中感受非常深刻的一点。在处理复杂的波形图、Bode图和等效电路模型时，清晰度直接决定了学习效率。这本书在这方面做得非常出色，无论是印刷质量还是图表的逻辑性都无可挑剔。它巧妙地运用了颜色编码来区分不同的信号路径或者工作状态，这在分析多级放大器时极大地降低了读者的认知负荷。我特别喜欢它在介绍新型器件或拓扑结构时，总是先提供一个“黑箱”模型，让读者先建立直观认识，然后再逐步“剥开洋葱”，展示内部的物理机制。这种循序渐进的教学法，使得复杂概念的引入过程非常平滑。对于需要频繁参考电路原理图的读者来说，这本书的图示清晰到几乎可以作为独立的工作参考资料使用，无需反复在文字和图表之间来回切换来试图理解作者的意图。

评分☆☆☆☆☆

作为一名资深的硬件工程师，我阅览过不少电路设计教材，但这本书在系统性和深度上仍然占据了顶尖的位置。它并非那种只关注“如何做”的书，更侧重于“为什么这样设计”。这本书的叙事逻辑非常严密，它从最基础的PN结开始，逐步构建起整套半导体器件模型，然后自然过渡到放大器和有源滤波器。我特别欣赏它对噪声和失真分析的处理方式，这在很多初级教材中常常被一带而过。这本书没有回避这些复杂的现实问题，反而将它们作为电路设计中必须认真对待的关键挑战来阐述。例如，在讨论功率放大器设计时，它详细对比了不同偏置点的效率和线性度之间的权衡，这在实际产品开发中是至关重要的决策点。它的习题设计也极具挑战性，通常需要将多个章节的知识点融会贯通才能解答，这对于提升读者的综合分析能力非常有益。这本书更像是一本工程手册和学术专著的完美结合体，它不仅教授理论，更传授了一种严谨的工程思维。

评分☆☆☆☆☆

我发现这本书在处理反馈理论和稳定性分析方面，达到了近乎艺术的境界。很多教材在讲解相位裕度和增益裕度时，往往只停留在计算和绘图层面，但这本书深入挖掘了这些参数对瞬态响应的实际影响。它不仅仅告诉你“裕度不足会导致振荡”，而是会通过具体的例子展示，如果相位裕度只有十度，那么阶跃响应中会出现多大程度的过冲和振铃，以及这在通信系统中意味着什么。这种将抽象的数学概念与具体的工程后果直接挂钩的处理方式，极大地增强了理论的可操作性。此外，对于现代电路设计中越来越重要的低功耗和高频特性，这本书也给予了足够的关注，提供了很多关于亚阈值偏置和高频寄生效应处理的宝贵见解。总的来说，这本书成功地架起了一座坚实的桥梁，连接了基础物理学和尖端的电子系统设计，是每一位专业电子工程师书架上不可或缺的压舱石。

评分☆☆☆☆☆

坦白说，这本书的阅读体验是需要投入精力和时间的，它绝非那种可以囫囵吞枣快速翻阅的读物。它的密度非常高，每一个定理和推导都建立在扎实的数学基础之上。初次接触的读者可能会觉得有些吃力，尤其是涉及拉普拉斯变换、复平面分析以及复杂的二阶系统稳定性判断时。但请相信我，一旦你坚持下来，你对信号完整性和系统响应的理解将提升到一个全新的维度。这本书的价值在于它对设计细节的执着——它不会放过任何一个可能导致实际电路与理论模型产生偏差的因素。从版图效应到工艺偏差，它都尽可能地进行了探讨。例如，在讲解CMOS工艺时，它详细阐述了短沟道效应如何改变了晶体管的平方率模型，这对于从事现代集成电路设计的人来说是必备的知识。总而言之，这本书更像是一份厚重的“武功秘籍”，你需要勤加练习，才能真正领悟其精髓，将其转化为解决实际问题的能力。

评分☆☆☆☆☆

这本书简直是电子工程学生的救星，尤其是那些在模拟电路设计领域摸爬滚打的新手。作者的讲解深入浅出，把那些枯燥的半导体物理原理和复杂的电路分析过程讲得像听故事一样引人入胜。我记得我第一次接触晶体管开关电路的时候，脑子里一团浆糊，各种参数和工作点让我头疼欲裂。但是翻开这本书的相应章节后，那种豁然开朗的感觉简直无与伦比。他没有直接丢给你一堆公式，而是先从实际应用场景入手，让你明白为什么要设计这个电路，它解决了什么问题。然后，再一步步拆解到器件层面，讲解每一个参数背后的物理意义。对于像BJT和MOSFET这种核心器件，作者用了大量的篇幅和非常清晰的图示来剖析其内部结构和宏观行为。特别是对运放（Operational Amplifier）部分的深入剖析，几乎涵盖了从理想模型到实际非理想特性的方方面面，对于理解反馈机制和稳定性分析非常有帮助。如果你想在模拟电路领域打下坚实的基础，而不是停留在只会套用公式的层面，这本书绝对是绕不开的经典之作。它强迫你真正去思考电路是如何工作的，而不是仅仅记住结论。

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大一用到大三。。。

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大一用到大三。。。

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大一用到大三。。。