半导体器件物理与工艺

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页数:224
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出版时间:1970-1
价格:29.00元
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isbn号码:9787811373080
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  • 半导体物理
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  • 器件物理
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  • 电子器件
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具体描述

《半导体器件物理与工艺(基础版)》内容简介:微电子学及其相关技术的迅速发展,现已成为整个信息时代的标志与基础。以半导体器件为核心的电子工业,已发展成为世界上规模最大的工业。培养该专业及相关的专业人才相当重要。施敏教授所著《半导体器件物理与工艺(第二版)》的简体中文版自出版以来,被多所院校相关专业选为本科生和研究生教材,深受使用者的喜爱,得到使用院校极高的评价,现已四次重印。随着职业教育的发展,不少职业院校也开设了半导体、微电子技术、集成电路应用等专业。《半导体器件物理与工艺(基础版)》就是在《半导体器件物理与工艺(第二版)》的基础上,为了适应职业教育的培养目标和职业院校学生实际知识水平而修订改编的。

全书分为三个部分:第1部分半导体物理,描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的半导体材料上。第2部分半导体器件,讨论主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,介绍双极型和场效应器件、热电子和光电子器件、微波及量子器件等。第3部分半导体工艺,介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术的各个主要步骤,并特别强调其在集成电路上的应用。

好的,这是一本涵盖量子计算基础理论与前沿应用的专著的详细介绍,与您提到的《半导体器件物理与工艺》完全无关。 --- 量子信息科学前沿:理论基石与新兴技术 书籍概述 《量子信息科学前沿:理论基石与新兴技术》是一部面向高年级本科生、研究生以及科研人员的深度参考著作。本书旨在系统梳理量子信息科学(Quantum Information Science, QIS)的核心理论框架,并详尽剖析当前正在快速发展的几大主流量子计算平台的技术挑战与工程实现路径。本书摒弃了对传统半导体物理和微电子工艺的深入讨论,完全聚焦于量子比特(Qubit)的构建、操控、相干性维持以及大规模容错计算的理论探索。 全书结构严谨,逻辑清晰,从量子力学的基本公设出发,逐步构建起量子信息处理的数学语言,最终过渡到前沿的实验物理和工程应用。我们力求在保持高度学术严谨性的同时,通过清晰的物理图像和详尽的数学推导,使读者能够全面掌握这一交叉学科的精髓。 第一部分:量子信息处理的理论基石(Fundamental Theory of Quantum Information Processing) 本部分奠定了读者理解量子计算和量子通信所需的数学与物理基础。我们着重于信息论视角下的量子力学诠释,而非传统凝聚态物理的能带结构或载流子输运。 第一章:量子力学的现代诠释与信息论基础 本章首先回顾了狄拉克符号、希尔伯特空间等基本概念,但迅速转向量子信息论的视角。重点讨论了量子态的描述(纯态与混合态)、密度矩阵理论及其在描述开放量子系统中的应用。我们详细阐述了冯·诺依曼熵在量化系统纠缠和不可压缩性中的核心作用,并引入了量子信息的度量——量子比特(Qubit)的定义,将其视为二维复向量空间中的基本单元。 第二章:量子逻辑门与单量子比特操作 本章深入探讨了如何用酉矩阵来描述对单个量子比特的操作。我们详尽分析了泡利矩阵、旋转矩阵群以及一系列基本量子门(如Hadamard门、相位门S和T门)的物理意义和代数性质。重点讨论了通用量子门集的概念,证明了任意幺正变换都可以由一组有限的、包含至少一个非经典门的集合来近似实现,这为构建实际的量子电路奠定了基础。 第三章:多量子比特系统与量子纠缠 这是量子信息处理的核心。本章详细分析了两个或多个量子比特组成的复合系统,引入张量积的概念来构建高维希尔伯特空间。核心内容集中在纠缠态的研究,特别是贝尔态(Bell States)的构造、测量及其在非定域性(Non-locality)验证中的作用。我们深入探讨了纠缠的量化,例如纠缠熵(Entanglement Entropy)和纠缠见证者(Entanglement Witnessers),这些是衡量量子资源的关键指标。 第四章:量子算法导论 本章将理论知识应用于实际的计算问题。我们侧重于介绍那些本质上依赖于量子干涉和纠缠特性的核心算法。详细分析了Deutsch-Jozsa算法和Grover搜索算法的原理、电路实现和复杂度分析,特别是后者在线性搜索问题上相比经典算法的二次加速。对于Shor因式分解算法,本书提供了其量子傅里叶变换(QFT)子程序的详细推导和物理实现路线的概述,但避免了对数百万个晶体管组成的经典芯片结构分析。 第二部分:新兴量子计算平台与物理实现(Emerging Quantum Computing Platforms and Physical Realization) 本部分关注当前全球科研界投入最大的几类量子比特载体,分析其各自的优势、面临的退相干挑战以及工程化的瓶颈。 第五章:超导电路量子比特(Superconducting Qubits) 本章专注于基于约瑟夫森结(Josephson Junction)的超导电路,如Transmon、Flux Qubit等。我们详细分析了非线性振荡子如何被工程化为具有可调谐能级的量子比特。重点讨论了退相干机制(如电荷噪声、磁通噪声)及其对$T_1$(能量弛豫时间)和$T_2$(相干时间)的影响。本书详述了实现高保真度双比特门(如iSWAP门、CZ门)所采用的微波脉冲操控技术和耦合器设计。 第六章:囚禁离子与中性原子量子计算 本章探讨了基于电磁场或激光场囚禁的量子系统。对于囚禁离子(Trapped Ions),我们阐述了拉曼激光冷却的基本原理,以及如何利用离子振动模式(“声子”)来实现离子间的长程相互作用和多体门操作。对于中性原子(Neutral Atoms),重点分析了里德堡态(Rydberg States)的激发,及其在实现高密度、高连通性阵列中的巨大潜力,并讨论了如何通过光镊阵列(Optical Tweezer Arrays)进行可编程连接。 第七章:拓扑量子计算与硅基自旋量子比特(Topological and Silicon-based Spin Qubits) 本章深入探讨了对环境噪声具有内在鲁棒性的量子计算范式。我们首先概述了拓扑量子计算的基本概念,特别是马约拉纳费米子(Majorana Fermions)在理论上提供容错计算的潜力,并讨论了其在特定超导或半导体异质结构中寻找的实验进展。随后,对硅基自旋量子比特进行了细致的分析,包括如何利用电子自旋作为信息载体,以及如何通过超精细耦合(Hyperfine Interaction)进行自旋的初始化、操控和读出。本书特别关注了如何利用硅基平台在CMOS兼容性方面展现出的工程优势。 第三部分:容错量子计算与前沿应用(Fault-Tolerant Computation and Frontier Applications) 第八章:量子纠错码(Quantum Error Correction Codes) 鉴于物理量子比特的固有噪声,本章是实现大规模计算的关键。我们详细介绍了量子纠错的基本原理,即利用冗余信息来保护逻辑量子比特。重点分析了表面码(Surface Codes)的结构、稳定子测量(Stabilizer Measurements)的实现,以及如何通过局部操作来修复错误。本书推导了阈值定理(Threshold Theorem)的含义,并讨论了实现逻辑门操作的开销问题。 第九章:变分量子算法与量子模拟(Variational Quantum Algorithms and Quantum Simulation) 本章聚焦于当前噪声中等规模量子(NISQ)设备上的应用潜力。详细介绍了变分量子本征求解器(VQE)在化学模拟中的应用流程,以及量子近似优化算法(QAOA)在组合优化问题中的结构。此外,本书还探讨了量子模拟,即利用一个可控的量子系统来精确模拟另一个难以处理的量子系统的行为,特别关注了其在凝聚态物理和高能物理中的潜在突破。 --- 本书特点: 理论深度聚焦: 专注于信息论、代数和复杂性理论在量子系统中的应用。 平台对比清晰: 对比分析了超导、离子、中性原子和拓扑等主流物理平台的工程优劣。 数学严谨: 大量使用群论、线性代数和概率论工具进行精确推导。 目标读者: 专注于量子计算、量子物理、量子化学和理论信息学的研究人员与学生。

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用户评价

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这本书在讨论器件的“演进史”和“未来趋势”方面,做得尤为出色,这部分内容极大地激发了我的思考。它没有固步自封于现有的CMOS结构,而是将笔锋指向了后摩尔时代可能出现的各种颠覆性技术,例如二维材料器件、铁电存储器(FeRAM)以及新型的自旋电子学元件。作者在评估这些新概念时,没有采用那种过度乐观的宣传口吻,而是坚持用已有的半导体物理框架去审视它们的内在挑战和潜在瓶颈。我非常欣赏这种批判性思维,它提醒我们,创新不应是空中楼阁,必须建立在对现有物理规律的深刻理解之上。书中对每一种新兴器件的能耗比、开关速度极限以及工艺兼容性进行了坦诚的对比分析,这种“去伪存真”的态度,让我在做技术选型和方向规划时,能够更加清醒和务实。这本书不仅教我们如何理解“现在”,更教会我们如何审慎地展望“未来”。

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我必须强调,这本书的排版和图表质量,直接提升了学习的效率。在技术专业书籍中,糟糕的图例和混乱的符号标记是常见的“学习杀手”,它们会打断阅读的连贯性,迫使读者花费大量时间去猜测作者的意图。而这本《XXX》在这方面简直是教科书级别的典范。无论是能带图、电流密度矢量图,还是复杂的工艺流程示意图,都清晰锐利,标注详尽。更重要的是,图表的设计是服务于物理逻辑的,它们不是为了填充版面而存在的装饰品。例如,在解释MOSFET阈值电压的推导时,配图清晰地展示了空间电荷区、耗尽层和反型层的厚度变化如何影响总的电势分布,这种视觉辅助极大地固化了抽象的数学关系。对于需要大量视觉辅助来理解多维物理模型的读者而言,这本书的制作水准无疑是顶级的,极大地降低了理解和记忆的门槛。

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读完这本《XXX》,我的第一感受是,它极大地拓宽了我对半导体制造工艺流程的整体认知。以前总觉得工艺就是一系列流程的堆砌,关注点多集中在特定环节的参数控制上,比如刻蚀的深宽比或者薄膜的厚度均匀性。然而,这本书却成功地构建了一个将物理学原理与实际制造步骤紧密结合的宏大叙事。它不仅仅是罗列了光刻、沉积、掺杂这些步骤,更关键的是,它深入探讨了每一步工艺对最终器件性能的“遗留影响”。例如,某个高温退火步骤如何重塑了晶格缺陷的分布,进而影响了器件的可靠性和寿命,书中对此的描述非常细致。我尤其喜欢其中关于良率控制的章节,作者没有用那种空泛的口号来谈论良率,而是从统计物理和缺陷扩散的角度,量化了工艺波动对器件参数离散度的贡献。这本书让我意识到,工艺设计本质上是一种对物理限制的精妙妥协与平衡,这对于我们下游的系统集成工程师来说,是必须掌握的底层思维。

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从一个初学者的角度来看,这本书的阅读体验是充满挑战但也极富启发性的。我刚接触半导体领域时,市面上的入门书籍要么过于偏重电路应用,对底层物理讲得云里<bos>语焉不详,要么就是堆砌了过多晦涩难懂的矩阵和张量分析,让人望而却步。这本书似乎找到了一个绝佳的平衡点。它在介绍概念时,会非常耐心地用类比和图示来帮助我们建立直观认识,比如对栅极漏电流的讲解,就非常形象地描绘了量子隧穿效应的“爬墙”过程,而不是直接抛出一个薛定谔方程的解。当然,要完全掌握书中的深度内容,确实需要扎实的数学基础作为支撑,但即便是只吸收其中一半的物理直觉,也比我之前阅读其他资料所获得的收获要丰富得多。它不是那种读完就扔的书,更像是一本需要反复咀嚼、随时查阅的工具箱,随着我知识水平的提升,每次重读都能发现新的层次和意义。

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这本《XXX》(请自行代入您书名)的理论深度实在让人赞叹。我最近在研究某个前沿的器件结构,原以为市面上那些经典教材已经足够覆盖,结果真正动手仿真和分析时才发现,很多细微的物理效应和复杂的载流子输运机制,在传统教材中往往是一笔带过,或者只是停留在概念层面。这本书的厉害之处在于,它没有满足于对基础半导体物理的重复阐述,而是深入挖掘了那些在实际工程中至关重要的“边界条件”和“非理想效应”。比如,书中对界面陷阱态的能级分布模型、温度梯度引起的载流子漂移,以及高场效应下的载流子饱和速度的精确建模,都给出了详尽的数学推导和物理图像。我特别欣赏作者在阐述复杂概念时那种层层递进的逻辑结构,从宏观的器件特性曲线入手,逐步剖析到微观的量子力学起源,让人感觉对器件的理解不再是死记硬背公式,而是真正理解了“为什么会是这样”。这对于我这种需要进行器件优化和故障分析的研究人员来说,简直是如虎添翼的工具书,它填补了我在高精度器件模拟方面知识结构上的巨大空白。

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