《半导体器件物理与工艺(基础版)》内容简介:微电子学及其相关技术的迅速发展,现已成为整个信息时代的标志与基础。以半导体器件为核心的电子工业,已发展成为世界上规模最大的工业。培养该专业及相关的专业人才相当重要。施敏教授所著《半导体器件物理与工艺(第二版)》的简体中文版自出版以来,被多所院校相关专业选为本科生和研究生教材,深受使用者的喜爱,得到使用院校极高的评价,现已四次重印。随着职业教育的发展,不少职业院校也开设了半导体、微电子技术、集成电路应用等专业。《半导体器件物理与工艺(基础版)》就是在《半导体器件物理与工艺(第二版)》的基础上,为了适应职业教育的培养目标和职业院校学生实际知识水平而修订改编的。
全书分为三个部分:第1部分半导体物理,描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的半导体材料上。第2部分半导体器件,讨论主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,介绍双极型和场效应器件、热电子和光电子器件、微波及量子器件等。第3部分半导体工艺,介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术的各个主要步骤,并特别强调其在集成电路上的应用。
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这本书在讨论器件的“演进史”和“未来趋势”方面,做得尤为出色,这部分内容极大地激发了我的思考。它没有固步自封于现有的CMOS结构,而是将笔锋指向了后摩尔时代可能出现的各种颠覆性技术,例如二维材料器件、铁电存储器(FeRAM)以及新型的自旋电子学元件。作者在评估这些新概念时,没有采用那种过度乐观的宣传口吻,而是坚持用已有的半导体物理框架去审视它们的内在挑战和潜在瓶颈。我非常欣赏这种批判性思维,它提醒我们,创新不应是空中楼阁,必须建立在对现有物理规律的深刻理解之上。书中对每一种新兴器件的能耗比、开关速度极限以及工艺兼容性进行了坦诚的对比分析,这种“去伪存真”的态度,让我在做技术选型和方向规划时,能够更加清醒和务实。这本书不仅教我们如何理解“现在”,更教会我们如何审慎地展望“未来”。
评分我必须强调,这本书的排版和图表质量,直接提升了学习的效率。在技术专业书籍中,糟糕的图例和混乱的符号标记是常见的“学习杀手”,它们会打断阅读的连贯性,迫使读者花费大量时间去猜测作者的意图。而这本《XXX》在这方面简直是教科书级别的典范。无论是能带图、电流密度矢量图,还是复杂的工艺流程示意图,都清晰锐利,标注详尽。更重要的是,图表的设计是服务于物理逻辑的,它们不是为了填充版面而存在的装饰品。例如,在解释MOSFET阈值电压的推导时,配图清晰地展示了空间电荷区、耗尽层和反型层的厚度变化如何影响总的电势分布,这种视觉辅助极大地固化了抽象的数学关系。对于需要大量视觉辅助来理解多维物理模型的读者而言,这本书的制作水准无疑是顶级的,极大地降低了理解和记忆的门槛。
评分读完这本《XXX》,我的第一感受是,它极大地拓宽了我对半导体制造工艺流程的整体认知。以前总觉得工艺就是一系列流程的堆砌,关注点多集中在特定环节的参数控制上,比如刻蚀的深宽比或者薄膜的厚度均匀性。然而,这本书却成功地构建了一个将物理学原理与实际制造步骤紧密结合的宏大叙事。它不仅仅是罗列了光刻、沉积、掺杂这些步骤,更关键的是,它深入探讨了每一步工艺对最终器件性能的“遗留影响”。例如,某个高温退火步骤如何重塑了晶格缺陷的分布,进而影响了器件的可靠性和寿命,书中对此的描述非常细致。我尤其喜欢其中关于良率控制的章节,作者没有用那种空泛的口号来谈论良率,而是从统计物理和缺陷扩散的角度,量化了工艺波动对器件参数离散度的贡献。这本书让我意识到,工艺设计本质上是一种对物理限制的精妙妥协与平衡,这对于我们下游的系统集成工程师来说,是必须掌握的底层思维。
评分从一个初学者的角度来看,这本书的阅读体验是充满挑战但也极富启发性的。我刚接触半导体领域时,市面上的入门书籍要么过于偏重电路应用,对底层物理讲得云里<bos>语焉不详,要么就是堆砌了过多晦涩难懂的矩阵和张量分析,让人望而却步。这本书似乎找到了一个绝佳的平衡点。它在介绍概念时,会非常耐心地用类比和图示来帮助我们建立直观认识,比如对栅极漏电流的讲解,就非常形象地描绘了量子隧穿效应的“爬墙”过程,而不是直接抛出一个薛定谔方程的解。当然,要完全掌握书中的深度内容,确实需要扎实的数学基础作为支撑,但即便是只吸收其中一半的物理直觉,也比我之前阅读其他资料所获得的收获要丰富得多。它不是那种读完就扔的书,更像是一本需要反复咀嚼、随时查阅的工具箱,随着我知识水平的提升,每次重读都能发现新的层次和意义。
评分这本《XXX》(请自行代入您书名)的理论深度实在让人赞叹。我最近在研究某个前沿的器件结构,原以为市面上那些经典教材已经足够覆盖,结果真正动手仿真和分析时才发现,很多细微的物理效应和复杂的载流子输运机制,在传统教材中往往是一笔带过,或者只是停留在概念层面。这本书的厉害之处在于,它没有满足于对基础半导体物理的重复阐述,而是深入挖掘了那些在实际工程中至关重要的“边界条件”和“非理想效应”。比如,书中对界面陷阱态的能级分布模型、温度梯度引起的载流子漂移,以及高场效应下的载流子饱和速度的精确建模,都给出了详尽的数学推导和物理图像。我特别欣赏作者在阐述复杂概念时那种层层递进的逻辑结构,从宏观的器件特性曲线入手,逐步剖析到微观的量子力学起源,让人感觉对器件的理解不再是死记硬背公式,而是真正理解了“为什么会是这样”。这对于我这种需要进行器件优化和故障分析的研究人员来说,简直是如虎添翼的工具书,它填补了我在高精度器件模拟方面知识结构上的巨大空白。
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