Tekhnicheskaia diagnostika radioelektronnykh ustroistv i sistem (Russian Edition)

Tekhnicheskaia diagnostika radioelektronnykh ustroistv i sistem (Russian Edition) pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:"Radio i sviaz"
作者:P. S Davydov
出品人:
页数:0
译者:
出版时间:1988
价格:0
装帧:Unknown Binding
isbn号码:9785256000127
丛书系列:
图书标签:
  • 电子设备诊断
  • 无线电设备
  • 技术诊断
  • 故障排除
  • 测试技术
  • 电子工程
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  • 电子系统
  • 维修
  • 工业电子
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具体描述

现代集成电路设计与制造中的可靠性评估与优化 图书简介 本专著深入探讨了现代微电子技术领域中,集成电路(IC)和复杂电子系统的可靠性评估、预测与优化这一核心议题。随着半导体工艺节点不断向纳米级推进,器件尺寸的微缩和集成密度的急剧增加,使得传统的可靠性分析方法面临严峻挑战。本书旨在提供一个全面、系统的理论框架和实用的工程方法论,以应对当前集成电路制造、封装和系统集成层面所特有的、日益复杂的可靠性失效模式。 第一部分:半导体器件物理可靠性基础 本部分首先回顾了半导体器件工作的基本物理原理,并重点分析了在极小尺度下器件可靠性面临的根本性挑战。 1. 纳米尺度下的工艺变异与随机缺陷: 详细阐述了先进制造工艺(如EUV光刻)引入的随机缺陷对器件性能和寿命的影响。内容涵盖了随机电荷陷阱(Random Charge Traps)的形成机制、其在阈值电压($V_{th}$)波动中的作用,以及如何通过先进的统计学模型(如Weibull分布的修正形式)来量化这些变异。讨论了晶体管失效率与工艺窗口的关联性,并介绍了针对性地进行工艺控制的策略。 2. 电压、温度与电迁移(Electromigration, EM): 深入分析了在先进节点中电迁移现象的演变。传统的Black方程在极窄金属导线中的适用性受到挑战。本书引入了基于原子扩散机制的物理模型,特别是针对铜和钌等先进互连材料的扩散路径分析。重点探讨了局部热点(Local Hot Spots)如何加速EM失效,以及如何通过优化设计规则(Design Rules)和线宽/厚度比来延长互连寿命。此外,详细论述了自热效应(Self-Heating Effects)在功率密度提升背景下对局部温度的影响,以及高低温循环(Thermal Cycling)导致的应力效应。 3. 介质击穿与TDDB(Time-Dependent Dielectric Breakdown): 重点分析了栅氧化层(Gate Oxide)和高K/金属栅极(High-k/Metal Gate, HKMG)结构下的介质可靠性。对于HKMG结构,探讨了界面陷阱的形成机理(Interface Trap Formation),特别是氧空位和金属扩散导致的界面态密度增加。详细介绍了介质击穿的统计模型,包括DC击穿、AC击穿和稳态击穿,并引入了加速测试的等效寿命预测方法(如Voltage Acceleration Factor, VAF)。对于新兴的2D材料或超薄介质层,探讨了量子隧穿效应(Quantum Tunneling)对长期可靠性的影响。 4. 热载流子效应(Hot Carrier Injection, HCI): HCI仍是CMOS器件退化的主要因素之一。本书细致区分了源极/漏极区域的碰撞电离(Impact Ionization)与垂直电场注入(Vertical Field Injection)。分析了NMOS和PMOS晶体管中HCI的差异性退化路径,特别是对于FinFET和Gate-All-Around (GAA) 结构,由于电场分布的改变,HCI的防护和评估方法需要进行根本性的调整。介绍了如何利用先进的TCAD工具进行精确的载流子输运模拟。 第二部分:系统级可靠性与失效分析 本部分从系统和封装层面出发,关注器件与环境的相互作用,以及复杂封装技术带来的可靠性挑战。 5. 封装与热管理: 系统级的可靠性高度依赖于有效的热管理。本书详细介绍了先进封装技术(如2.5D/3D集成、Chiplet技术)中的热阻路径分析。讨论了界面材料(如热界面材料TIMs)的热性能衰减,以及如何通过系统级的仿真来预测封装体内的温度分布。重点分析了低温焊点(Solder Joint)在热机械应力下的疲劳失效模型,包括Coffin-Manson关系的修正应用。 6. 辐射硬化与单粒子效应(SEE): 针对航空航天、汽车电子和高性能计算环境,系统地介绍了电离辐射(如高能质子、重离子)对半导体器件的影响。详细区分了总剂量效应(Total Ionizing Dose, TID)和瞬态事件效应(Single Event Effects, SEE),包括SET(单粒子瞬态)、SEU(单粒子翻转)和SEL(单粒子锁定)。阐述了使用加固技术(如SOI、Triple Modular Redundancy, TMR)的原理和设计考量。 7. 制造与测试中的可靠性保证(Reliability Assurance): 本书强调了从设计到量产全流程的可靠性保证策略。详细介绍了加速寿命测试(Accelerated Life Testing, ALT)的设计与数据分析方法,包括高加速应力测试(HAST)和高压测试(HASS)。重点讲解了“Build-In-Self-Test (BIST)”技术在捕获早期随机缺陷和监测退化趋势中的应用,特别是如何利用功能测试数据来推断潜在的物理退化。 第三部分:预测建模与设计优化 本部分专注于将物理理解转化为可操作的设计工具和预测模型。 8. 寿命预测的机器学习与数据驱动方法: 传统基于物理的模型的参数提取和校准耗时长。本书引入了现代数据科学方法,探讨如何利用历史测试数据、仿真结果和实际运行数据(In-Situ Monitoring)来建立更鲁棒的寿命预测模型。内容包括使用深度神经网络(DNN)进行退化趋势预测,以及如何利用迁移学习(Transfer Learning)将成熟工艺节点的经验迁移到新兴工艺平台。 9. 可靠性设计规则与设计流程的集成(Design for Reliability, DfR): 探讨了如何将可靠性约束无缝集成到EDA(Electronic Design Automation)流程中。介绍了寄生参数提取与可靠性分析的耦合,以及静态和动态的可靠性检查工具(Static and Dynamic Reliability Checks)。特别关注了对动态电压和频率调节(DVFS)机制下的可靠性影响分析,确保系统在不同工作负载下的长期稳定性。 结论与展望: 本书最后总结了当前微电子可靠性研究的前沿方向,包括新型存储器(如MRAM, ReRAM)的耐久性挑战、量子计算硬件的极端环境可靠性需求,以及AI驱动的自动化失效分析平台的构建。本书力求成为电子工程师、材料科学家和半导体研究人员在应对下一代电子系统可靠性挑战时不可或缺的参考手册。

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读后感

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用户评价

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这本书从书名来看,预示着一次技术探索的旅程,关于电子设备诊断的奥秘。然而,打开它的瞬间,我便被一股强大的语言和技术壁垒所阻挡。这本书的俄语表达方式,充满了复杂的句式和大量的专业术语,这使得我这种非母语使用者,即便是在电子工程领域有所涉猎,也感到寸步难行。书中的内容,似乎直接进入了高度专业化的理论探讨,缺乏任何基础性的解释或入门级的引导。我无法从中找到任何关于如何一步步进行故障排查的实际操作建议,也无法理解书中提出的诊断模型如何应用于现实世界的电子设备。它更像是一份为资深研究人员或在特定领域内有丰富经验的俄语专家准备的文献。对于像我这样,希望通过阅读来提升自我,扩展知识面的普通读者来说,这本书的实用价值微乎其微。它给我带来的更多是一种对跨文化技术交流挑战的深刻体会,以及对自己知识广度的反思。

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当我看到《Tekhnicheskaia diagnostika radioelektronnykh ustroistv i sistem (Russian Edition)》的书名时,我的脑海中浮现出了一幅清晰的画面:一本能够帮助我理解并解决电子设备常见故障的书籍。然而,当我真正接触到它时,我发现自己陷入了一个由俄语和高深技术术语构成的迷宫。这本书的语言表达方式,与其说是为了教导,不如说是为了验证。它似乎假设读者已经掌握了相当程度的专业知识,并以此为基础进行深入的探讨。书中大量的缩写和专有名词,让我每一步的阅读都充满了挑战。我无法从中找到任何能够指导我进行实际诊断的步骤,也无法理解书中提出的各种理论模型的实际应用。它更像是一份写给同行的内部报告,而非面向广大读者的科普读物。我所期望的,是从基础入手,逐步深入的讲解,但这本书的内容,似乎是直接跳跃到了某个非常高的层次。对于非母语为俄语,且非专业背景的读者来说,这本书的阅读难度,堪比攀登珠穆朗玛峰。

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一本令人费解的文献,从书名来看,我期待它能为我理解那些闪烁着微光的复杂电子设备提供某种洞见。然而,当我翻开它,扑面而来的却是如迷宫般晦涩的俄语词汇和技术术语,仿佛置身于一个我完全陌生的领域。我努力地去辨认每一个字,试图从中找到与“技术诊断”相关的线索,但我发现自己像是在一片信息的大海中挣扎,缺乏明确的导航。这本书给我的感觉是,它可能是一份极其专业的研究报告,或是某个高度专业化领域的内部教材,其受众群体可能限定在具备深厚背景知识的俄语技术专家。对于像我这样,仅对电子设备原理有基础了解,并希望通过阅读来提升诊断技能的普通读者来说,这本书的难度无异于天书。我无法从中提取出任何实用的操作指南,也找不到能够帮助我理解设备故障原因的理论模型。它就像一扇紧闭的大门,我站在门外,只能隐约听到里面传来的专业讨论,却无从进入。或许,对于那些母语就是俄语,并且在电子工程领域有着多年经验的学者来说,这本书能够提供宝贵的参考价值。但对我而言,这更像是一次令人沮丧的文化和知识的隔阂体验。

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作为一名对电子设备原理充满好奇的业余爱好者,我曾寄希望于通过阅读《Tekhnicheskaia diagnostika radioelektronnykh ustroistv i sistem (Russian Edition)》来深化我对设备故障诊断的理解。然而,这本书的俄语风格和专业深度,立刻将我推入了知识的寒冬。它仿佛是一份精心准备的学术论文,只为该领域的少数精英所设计。书中的每一个句子,每一段文字,都充满了高度专业化的词汇,这些词汇在我现有的知识库中几乎找不到对应。我试图通过上下文来推断其含义,但频繁出现的专业术语,使得这种尝试变得异常艰难。我无法从中找到任何关于如何进行实际诊断操作的指导,也无法理解书中提出的各种理论分析方法的背景和应用场景。它更像是一份理论的集合,而非实践的指南。我从中获得的感受,并非是知识的增长,而是一种深深的无力感,以及对自己知识储备不足的懊悔。这本书对于那些已经具备深厚俄语和电子工程背景的读者来说,可能具有极高的价值。但对于我这样的普通读者,它只是一个遥不可及的知识高塔,我只能仰望,却无法攀登。

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这本书的出版,在技术文献领域无疑是一次沉重的存在。当我了解到它的出版信息时,我怀揣着对电子设备诊断技术更新的期待,希望能从中窥见前沿的理念和方法。然而,事实证明,我的期待在第一时间就受到了挑战。这本书的语言风格,与其说是为了普及知识,不如说是为了巩固现有知识的壁垒。它充斥着大量的缩写、专有名词,以及我从未在任何主流电子技术书籍中见过的俄语专业术语。尝试理解其中的任何一个章节,都如同在原始森林中穿行,每一步都充满了不确定性。我无法从中提炼出任何明确的诊断流程,也无法找到任何关于如何分析电路故障的实例。书中充斥的似乎是理论性的探讨,而这些理论似乎建立在某个我无法触及的知识体系之上。我反复对照着我现有的知识体系,试图找到可以建立联系的地方,但收效甚微。这本书让我深刻地体会到,语言和文化的隔阂,在技术传播中是多么强大的阻碍。它更像是一份高度专业化的学术论文集,其内容和表达方式,都只面向该领域最顶尖的专家。对于渴望学习和进步的普通技术爱好者来说,这本书的价值几乎为零。

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