具体描述
《普通高等教育"十一五"国家级规划教材:集成电子技术基础教程(上册)(第2版)》为普通高等教育“十一五”国家级规划教材。在原面向21世纪课程教材——《集成电子技术基础教程》（郑家龙，王小海，章安元主编）的基础上，结合多年来对教材结构、教学内容、教学方法和教学手段改革的实践经验，按照“教育部电子电气基础课程教学指导分委员会”制订的教学基本要求修订而成。修订后的教材继续保留原教材“模数”紧密结合的特点，结构上分为4篇。全书包含一、二两篇。第一篇为电子器件基础，内容包括电子器件的特性与模型、半导体器件的工作机理等两章。第二篇为模拟电子电路，共有8章，内容包括：放大电路分析入门、放大电路动态分析、集成运算放大器、负反馈放大电路、放大电路的频率响应与稳定性分析、正弦波发生电路、功率变换电路、模拟信号处理电路等。
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这本书真的太有分量了，当我第一次拿到它的时候，我就被它的厚度震慑住了。拿在手里沉甸甸的，感觉就像捧着一本宝藏。翻开目录，密密麻麻的章节标题，涵盖了从最基础的半导体器件原理，到复杂的集成电路设计流程，再到各种应用实例，简直就是一个完整的知识体系。我之前对电子技术总觉得有些模糊的概念，很多东西只是一知半解，但自从我开始认真研读这本书，那些曾经困扰我的难题一个一个地被解开。 比如，书中对于PN结的讲解，不是简单地给个公式和定义，而是深入浅出地分析了其形成过程、电场分布、载流子行为，甚至还讨论了不同温度和掺杂浓度对其特性的影响。我感觉自己仿佛亲眼看到了电子和空穴在PN结处“相遇”并“湮灭”的过程，那种物理图像瞬间就清晰起来。然后，书中关于晶体管（BJT和MOSFET）的章节，更是让我大开眼界。它不仅详细介绍了它们的结构、工作原理、电学模型，还结合了实际的电路应用，比如放大电路、开关电路等。我特别喜欢书中那些精巧的设计例子，它们展示了如何利用晶体管搭建出复杂的功能模块，让我对“万物皆可电子”有了更深的理解。 而且，这本书的插图和图示也做得非常出色。每一幅图都恰到好处地配合文字解释，有的图直观地展示了电流的流动方向，有的图清晰地描绘了电路的结构，还有的图生动地比喻了抽象的物理概念。我常常觉得，有些地方如果只是看文字，可能需要反复推敲才能理解，但一旦看到配图，那种豁然开朗的感觉就来了。这大大降低了学习的门槛，也让我的学习过程更加轻松愉快。 此外，这本书的编排结构也十分合理。从易到难，循序渐进，每一章都建立在前一章的基础上，确保了知识的连贯性。即使是初学者，也能通过认真学习，逐步掌握核心概念，最终能够理解更复杂的集成电路知识。我个人觉得，这本书的“上册”已经足够厚实，内容也非常详尽，足以构建起一个坚实的电子技术基础。 当然，这本书也并非完美无瑕，我个人觉得有些章节在理论深度上还可以再挖掘一些，比如在半导体材料的物理特性方面，如果能有更深入的探讨，对于理解其内在机理会更有帮助。另外，一些更前沿的集成电路技术，比如FinFET、GAAFET等，如果能在“上册”中有所提及，并给出一些简介，那可能会让读者对未来的技术发展有一个初步的认识，不过考虑到本书的定位是“基础教程”，这或许也是无可厚非的。 但总的来说，这本书的优点是远远大于其可能存在的不足的。它提供了一个非常全面、系统、深入的学习平台，让我能够从零开始，逐步建立起对集成电子技术的深刻理解。我非常推荐这本书给所有对电子技术感兴趣的同学和工程师，它绝对是你学习道路上不可或缺的伙伴。
评分这本书给我留下的最深刻印象，便是它那严谨又不失灵活的讲解风格。拿到《集成电子技术基础教程 第二版 上册》时，我便被它那沉甸甸的纸张和扎实的印刷质量所吸引，这预示着里面蕴含着丰富而可靠的知识。 书的开篇，对于半导体材料的介绍，就让我眼前一亮。作者没有直接抛出专业术语，而是从原子结构、晶体结构这些最基础的概念入手，循序渐进地引导读者理解半导体材料的独特性质。我尤其喜欢书中对于“能带理论”的解释，通过形象的比喻，将复杂的概念变得易于理解。这让我一下子就明白了为什么半导体材料在特定条件下会导电。 PN结的讲解，更是让我对二极管这一基本电子元件有了全新的认识。书中通过大量精美的示意图，详细地描绘了PN结的形成过程、内建电势的产生，以及外加电压对PN结特性的影响。我特别欣赏书中对“载流子扩散”、“载流子漂移”等过程的细致描绘，配合清晰的图示，让我能够直观地理解电流的来源和特性。 对于晶体管（BJT）的讲解，更是让我受益匪浅。作者从“电流放大”这一核心功能出发，逐步剖析了BJT的内部结构、工作原理以及不同工作区的特性。书中对BJT的各种模型，比如Ebers-Moll模型，都给出了详细的解释和应用。我之前在学习过程中，常常困惑于BJT的输入输出特性曲线，但通过这本书的讲解，我终于明白了这些曲线背后的物理意义。 此外，本书还有一个非常大的亮点，就是它将理论与实践相结合。在讲解完各个基本器件后，书中会给出大量的实际应用电路设计实例，比如各种类型的放大器、开关电路等。这些实例让我能够将书本上的理论知识与实际工程问题联系起来，也为我日后的学习和工作提供了宝贵的参考。 总而言之，这本书的优点在于它的深入浅出，它的图文并茂，它的理论联系实际。即使你是初学者，也能通过认真研读这本书，逐步建立起对集成电子技术的扎实基础。
评分拿到这本《集成电子技术基础教程 第二版 上册》的时候，我脑海中闪过的第一个念头就是：这绝对是一本“硬核”的教材，它会是学习集成电子技术的“敲门砖”。果然，当我翻开第一页，我就被它那严谨而又详实的论述所吸引。 书中对半导体材料的介绍，让我耳目一新。它不仅仅停留在概念层面，而是深入到原子结构、晶体结构以及电子能带理论，来解释半导体材料为何具有如此独特的导电性能。我尤其喜欢作者对“能隙”的解释，通过形象的比喻，将这个抽象的概念变得生动易懂。这让我一下子就理解了为什么半导体在不同条件下，导电能力会有如此大的差异。 PN结的讲解，更是让我对二极管这一基本电子元件有了全新的认识。书中不仅详细描述了PN结的形成过程、内建电势的产生，还深入分析了外加电压对PN结特性的影响。我特别欣赏书中对“载流子扩散”、“载流子漂移”等过程的细致描绘，配合精美的示意图，让我仿佛置身于微观世界，亲眼见证了电子和空穴的运动。 接着，对于晶体管（BJT）的讲解，简直是将我的学习推向了一个新的高度。作者并没有回避BJT内部复杂的物理过程，而是层层剥开，将它们一一呈现。从基极电流对集电极电流的控制作用，到发射结和集电结的偏置情况如何决定BJT的工作区域，以及在不同工作区下的电流电压关系，书中的讲解都极其详尽。我之前对BJT的“放大”功能一直停留在模糊的认识，但读完这本书，我终于明白了其背后的物理原理。 此外，这本书的价值还在于，它将理论知识与实际应用紧密结合。书中穿插了大量的实际电路设计实例，比如各种类型的放大电路、开关电路等。这些例子让我能够将书本上的理论知识与实际工程问题联系起来，极大地提升了我的学习兴趣和解决实际问题的能力。 总的来说，这本书是一本非常优秀的集成电子技术入门教材，它不仅内容全面深入，而且讲解清晰易懂，注重理论与实践的结合。
评分拿到这本《集成电子技术基础教程 第二版 上册》的时候，我就被它那沉甸甸的质感所吸引。翻开第一页，作者就用一种非常直观的方式，把我带入到了电子世界的奇妙之旅。这本书的优点在于，它在讲解复杂概念时，并没有回避，而是用一种更加易于理解的方式进行阐释。 比如，在讲解半导体材料的掺杂时，作者并没有仅仅给出N型和P型的定义，而是通过“施主”和““受主””的概念，以及这些杂质原子如何“贡献”或“接受”电子，来形象地解释了材料导电性的变化。我之前对这个概念一直有些模糊，但通过作者的生动描述，我一下子就理解了其本质。 PN结的讲解，更是我印象深刻的部分。书中使用了大量的示意图，清晰地展示了PN结形成过程中的载流子扩散、复合以及内建电势的产生。然后，在外加电压的作用下，PN结的耗尽层是如何变化的，电流是如何流动的，这些都讲解得非常细致。我特别喜欢书中对于“雪崩击穿”和“齐纳击穿”的解释，它不仅仅是给出了一个现象，而是从微观粒子行为的角度，深入分析了击穿的原因。 对于晶体管（BJT）的讲解，这本书也做得非常出色。它从“电流控制电流”的宏观角度出发，逐步深入到BJT的内部结构和物理模型。书中对BJT的放大作用的解释，让我对“增益”这个概念有了更深的理解。而且，书中还详细地分析了BJT在不同工作模式下的特性，以及如何通过改变偏置电压来控制BJT的工作状态。 本书还有一个非常大的亮点，就是它将理论与实践相结合。在讲解完各个基本器件后，书中会给出大量的实际应用电路设计实例，比如各种类型的放大器、开关电路等。这些实例让我能够将书本上的理论知识与实际工程问题联系起来，也为我日后的学习和工作提供了宝贵的参考。 总的来说，这本书的优点在于它的深入浅出，它的图文并茂，它的理论联系实际。即使你是初学者，也能通过认真研读这本书，逐步建立起对集成电子技术的扎实基础。
评分这本书绝对是我近期阅读过最“硬核”但又最“有用”的教材之一。刚拿到《集成电子技术基础教程 第二版 上册》时，我就被它厚实的体积和密密麻麻的文字给“镇住”了。说实话，我之前对电子技术，尤其是集成电路这块，一直感觉是高深莫测。但这本书的出现，彻底颠覆了我的看法。 书的开篇，对于半导体材料的介绍，就做得非常扎实。它不是简单地告诉你什么是硅，什么是锗，而是从晶体结构、电子能带理论等最根本的物理原理入手，来解释半导体材料为何能成为电子技术的基础。我尤其欣赏作者在解释“能隙”时，运用了很多形象的比喻，比如把电子比作能量不同的“小球”，在不同的“能量台阶”上跳跃，这样就更容易理解为什么在特定条件下，材料会导电。 接着，PN结的部分，简直是一场视觉和认知的盛宴。作者通过多幅精美的示意图，一步步展示了PN结的形成过程：载流子的扩散、复合、内建电场的形成，以及外加电压如何改变这一切。我感觉自己仿佛置身于那个微观世界，亲眼看到了电子和空穴在PN结处的“舞蹈”。书中对二极管的正反偏压特性曲线的解释，也极其到位，让我明白了为什么二极管在正向电压下能导通，在反向电压下却能阻断电流。 然后，进入到三极管（BJT）的部分，这本书更是把我“征服”了。作者没有回避BJT内部复杂的物理过程，而是将它们层层剥开，一一呈现在我面前。从基极电流对集电极电流的控制作用，到发射结和集电结的偏置情况如何决定BJT的工作区域，以及在不同工作区下的电流电压关系，书中的讲解都非常详尽。我之前对BJT的几个电极（基极、集电极、发射极）的功能一直有些模糊，但读完这本书，我仿佛一下子“打通了任督二脉”，对BJT的理解达到了一个新的高度。 这本书的价值还在于，它不仅仅是理论的堆砌，而是将理论与实际应用紧密结合。在讲解完基本器件后，书中会给出大量的实际电路设计实例，比如不同类型的放大电路、开关电路等。这些例子让我能够看到，书本上的理论是如何被用来解决实际工程问题的，这对于激发学习兴趣和培养解决问题的能力非常有帮助。
评分坦白说，我之前对“集成电子技术”这个概念，一直抱着一种敬畏又有些距离感的心态。总觉得它离我的日常学习和工作比较遥远，更像是那些专业大神才能触及的领域。然而，当我拿到这本《集成电子技术基础教程 第二版 上册》之后，我的看法彻底改变了。这本书就像一位循循善诱的良师益友，用一种我能够理解的方式，把我领进了集成电子技术的大门。 最让我印象深刻的是，这本书在介绍基础概念时，非常注重建立直观的物理图像。比如，在讲解半导体材料的掺杂时，它不仅仅给出了N型和P型的定义，而是通过“施主”和“受主”的概念，以及载流子在晶格中的运动轨迹，来解释杂质原子如何影响材料的导电性。这种“看得见”的解释，比单纯的公式推导要有效得多。 在PN结二极管的章节，书中的讲解更是细致入微。从PN结的形成，到内建电势的产生，再到外加电压对内建电势和耗尽层宽度的影响，每一个环节都讲解得十分透彻。它不仅展示了正向导通和反向击穿的现象，还详细分析了其背后的微观机制。我尤其喜欢书中对于“载流子复合”和“载流子产生”过程的描述，配合示意图，让我能够清晰地理解二极管电流的来源和特性。 对于晶体管（BJT）的介绍，这本书也是花足了功夫。它从一个“电流放大器”的角度来引入，然后逐步深入到三极管的内部结构、不同工作区域的特性分析。书中的电流方程、电压方程都给出了详细的推导过程，而且还解释了这些方程的物理意义。我之前在学习过程中，经常会困惑于不同偏置模式下三极管的特性差异，这本书通过表格和图示，将这些差异清晰地呈现出来，让我豁然开朗。 而且，这本书的案例分析非常丰富。它不仅仅停留在理论层面，而是将理论知识应用到实际的电路设计中。比如，在讲解放大电路时，它会给出多种不同结构的放大器，并分析它们的优缺点。这让我不仅学到了知识，还学会了如何将知识转化为实际应用。 总的来说，这本书的编排逻辑非常清晰，内容由浅入深，循序渐进，非常适合初学者。它让我对集成电子技术这个曾经遥不可及的领域，产生了浓厚的兴趣，并建立了坚实的基础。
评分这本书给我最大的感受就是它的“厚重感”，不仅仅是物理上的重量，更是知识上的分量。当我第一次拿到《集成电子技术基础教程 第二版 上册》时，我就知道这不仅仅是一本教材，更是一本能够引导我深入理解集成电子技术世界宝典。 书的开篇，对半导体材料的讲解，就让我看到了作者的用心。它不是简单地罗列各种材料的性质，而是从微观的原子结构、晶体结构以及更深层次的电子能带理论入手，来解释半导体为何具备独特的导电特性。我印象深刻的是，作者用“能量空隙”来比喻禁带，这让我一下子就理解了为什么半导体在特定条件下会导电。 PN结的讲解，更是这本书的亮点之一。书中通过大量精美的示意图，一步步地展示了PN结的形成过程：载流子的扩散、复合、内建电场的产生，以及外加电压如何影响耗尽层和电流。我尤其喜欢书中对“载流子”这一概念的阐释，它将电子和空穴描绘得非常生动，让我能够直观地理解它们在PN结中的行为。 对于晶体管（BJT）的讲解，更是让我大开眼界。作者没有回避BJT内部复杂的物理过程，而是层层剥开，将它们一一呈现在我面前。从基极电流对集电极电流的控制作用，到发射结和集电结的偏置情况如何决定BJT的工作区域，以及在不同工作区下的电流电压关系，书中的讲解都极其详尽。我之前对BJT的“放大”功能一直停留在模糊的认识，但读完这本书，我终于明白了其背后的物理原理。 这本书的另一个突出优点是，它将理论知识与实际应用紧密结合。书中穿插了大量的实际电路设计实例，比如各种类型的放大电路、开关电路等。这些例子让我能够将书本上的理论知识与实际工程问题联系起来，极大地提升了我的学习兴趣和解决实际问题的能力。 总的来说，这本书是一本非常优秀的集成电子技术入门教材，它不仅内容全面深入，而且讲解清晰易懂，注重理论与实践的结合。
评分这本书给我的第一印象，就是它那厚重的纸张和扎实的印刷质量，给人一种“有料”的感觉。拿到手里，沉甸甸的，仿佛里面蕴含着无数的知识宝藏。当我开始翻阅，尤其是认真阅读其中关于半导体物理基础的部分时，这种感觉就更加强烈了。作者并没有一开始就抛出一些让人望而生畏的专业术语，而是从原子结构、晶体结构入手，循序渐进地引导读者理解半导体材料的独特之处。 书中对“能带理论”的解释，我个人觉得做得非常出色。它没有过于强调复杂的数学推导，而是通过形象的比喻和清晰的图示，将禁带、导带、价带的概念解释得明明白白。这让我一下子就理解了为什么半导体在某些条件下能导电，在某些条件下又不能。这种由宏观到微观，由现象到本质的讲解方式，极大地降低了我的学习门槛。 接着，PN结的形成和特性，更是这本书的重头戏。作者详细地分析了PN结形成过程中载流子的扩散、复合以及内建电场的产生。然后，在外加电压的作用下，PN结的耗尽层宽度如何变化，电流是如何流动的，这些都讲解得非常细致。特别是关于正向导通和反向击穿的原理，书中的解释可以说是条理清晰，让我对二极管这个最基本的电子元件有了深刻的认识。 对于晶体管（BJT）的讲解，这本书也做得非常到位。它不仅仅是给出了BJT的等效电路模型，而是从物理结构和载流子运动的角度，深入分析了BJT的放大作用。书中对不同工作区的划分，以及相应的伏安特性曲线，都给出了详细的解释。我之前一直对“跨导”和“输出电阻”这些参数的物理意义感到模糊，但通过这本书的讲解，我终于明白了它们在电路中的作用。 此外，书中还穿插了不少实际电路的例子，比如简单的放大电路、整流电路等。这些例子让我能够将书本上的理论知识与实际应用联系起来，感受到电子技术在生活中的重要性。 我特别喜欢这本书的章节结构，它就像一个精心设计的迷宫，每一个转角都能发现新的知识点，但又始终有一个清晰的主线引领着你前进。即使是对电子技术完全没有基础的读者，也能通过认真阅读这本书，逐步建立起扎实的知识体系。
评分当我第一次翻开这本《集成电子技术基础教程 第二版 上册》，我就被它那朴实而又严谨的语言风格所吸引。这本书不像市面上很多教材那样，充斥着华丽的辞藻和晦涩的概念，而是用一种非常接地气的方式，把我带入了集成电子技术的殿堂。 最让我欣喜的是，书中对于半导体基础知识的讲解，非常注重物理图像的建立。例如，在解释PN结的形成时，作者没有直接抛出复杂的数学公式，而是通过生动的比喻，将载流子的扩散、复合过程描绘得栩栩如生。我仿佛看到了电子和空穴在PN结处“相遇”、“湮灭”的景象，这种直观的理解，远比死记硬背公式要深刻得多。 关于二极管的章节，书中对正向导通和反向击穿的原理，进行了深入浅出的分析。我特别喜欢书中关于“载流子寿命”的讨论，它解释了为什么二极管在反向电压下并非完全不导通，以及不同材料和结构对载流子寿命的影响。这让我对二极管的工作机制有了更全面的认识。 接着，对于晶体管（BJT）的讲解，更是让我受益匪浅。作者从“电流放大”这一核心功能出发，逐步剖析了BJT的内部结构、工作原理以及不同工作区的特性。书中对BJT的各种模型，比如Ebers-Moll模型，都给出了详细的解释和应用。我之前在学习过程中，常常困惑于BJT的输入输出特性曲线，但通过这本书的讲解，我终于明白了这些曲线背后的物理意义。 此外，本书还有一个非常大的优点，就是它的案例分析非常丰富。它不仅仅停留在理论层面，而是将所学的知识应用到实际的电路设计中。比如，在讲解放大电路时，它会给出多种不同结构的放大器，并分析它们的优缺点。这不仅加深了我对理论知识的理解，还培养了我解决实际问题的能力。 总而言之，这本书是一本非常值得推荐的集成电子技术入门教材。它的讲解清晰易懂，内容全面深入，而且注重理论与实践的结合。我强烈建议所有对电子技术感兴趣的学习者，都应该认真阅读这本书。
评分我必须承认，拿到这本《集成电子技术基础教程 第二版 上册》的时候，内心是有点忐忑的。毕竟“十一五国家级规划教材”这个名头，总让人觉得这本书会非常艰深，充满枯燥的公式和理论。但当我真正翻阅它，特别是认真研究里面的内容时，这种担忧就被一种惊喜所取代。这本书的讲解方式，比我想象中的要生动和具象化得多。 书的开头部分，对于半导体材料和PN结的介绍，就做得非常用心。它没有直接抛出复杂的物理模型，而是从原子结构、电子能带理论等基础概念入手，层层递进地解释了半导体为何会成为电子技术的核心。我尤其喜欢书中对“能隙”的解释，它用了一个非常形象的比喻，让我一下子就理解了不同材料导电性的差异。接着，PN结的部分，作者通过图示和生动的语言，剖析了耗尽层、内建电场以及正反偏压下的电流特性。那些关于载流子扩散、漂移的描述，配合清晰的示意图，让我对二极管的工作原理有了透彻的认识，不再是死记硬背的公式。 然后，对于三极管（BJT）的讲解，更是我学习的重点和难点。这本书并没有回避复杂的模型，但它提供了多种角度来理解三极管的工作机制。从电流控制电流的宏观描述，到基极电流、集电极电流、发射极电流之间的精密关系，再到不同偏置模式下的工作区域划分，书中的讲解都极其细致。我特别赞赏书中对三极管放大作用的阐释，通过加载信号，观察不同偏置下的输出波形变化，让我直观地感受到了“信号放大”是如何实现的。 此外，书中对于MOSFET的介绍，同样精彩。它详细解释了MOSFET的结构、栅极电压如何控制沟道电导，以及不同偏置下（截止区、线性区、饱和区）的特性曲线。这本书的优点在于，它不仅介绍了理论，还结合了大量的实际应用电路，比如各种放大器电路、开关电路、逻辑门电路等。我通过阅读这些例子，发现那些复杂的集成电路，其实都是由这些基本电子器件组合而成的，这让我对整个电子技术体系有了更宏观的认识。 这本书的语言风格也比较朴实，没有过多的华丽辞藻，但字字句句都直击核心。而且，它对公式的推导过程也清晰可见，这对于喜欢钻研理论细节的读者来说，无疑是极大的福音。我常常在阅读过程中，自己动手推导一遍，加深理解。 当然，如果非要提一些改进建议，我希望书中能在一些具体器件的选型和电路设计的优化方面，提供更多的案例和讨论。例如，在设计一个高性能放大器时，如何选择合适的器件参数，如何避免寄生效应等，这些实际工程中会遇到的问题，如果能有更深入的探讨，那就更完美了。
评分这本书的错误之多，已经到了令人发指的程度。
评分模电，沈连丰，可惜没满绩
评分模电，沈连丰，可惜没满绩
评分这本书的错误之多，已经到了令人发指的程度。
评分不是很适合初学者，更适合学懂之后的总结与复习。
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