新编国内外场效应管、晶闸管速查手册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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作者:本书编写组 编

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页数:762

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出版时间:2008-6

价格:108.00元

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isbn号码:9787121063879

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现代电子技术前沿：集成电路与微处理器应用精解 前言 在信息技术飞速发展的今天，电子系统已渗透到我们生活的方方面面。从消费电子到工业控制，从通信网络到航空航天，对高性能、高集成度电子元器件的需求从未如此迫切。本书旨在深入剖析当前电子系统设计中最核心的组成部分——现代集成电路（IC）与微处理器（Microprocessor）的原理、架构、应用及最新发展趋势。我们聚焦于如何有效地利用这些“电子大脑”与“功能模块”来构建稳定、高效、智能化的电子产品，而非局限于某一特定分立器件的查找与参数速查。 第一章：现代集成电路设计原理与工艺基础 本章将首先奠定坚实的理论基础。我们将探讨超大规模集成电路（VLSI）的基本构成单元——晶体管的工作原理，但侧重于其在集成电路内部的优化与集成，而非单独的器件特性。 1.1 CMOS 技术的深化理解：详细解析互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的结构、工作区模型，以及其在低功耗设计中的重要性。重点分析阈值电压（$V_{th}$）的控制、亚阈值泄漏电流的抑制技术。 1.2 集成电路的物理实现：深入讲解半导体制造工艺的几个关键步骤，包括光刻、刻蚀、薄膜沉积等，这些决定了芯片的最终性能和良率。讨论先进封装技术（如Flip Chip, BGA）对系统性能的提升作用。 1.3 电路设计与验证流程：介绍从系统级架构定义到后端物理实现的全过程。详细阐述逻辑综合、布局布线（Place and Route）的优化目标和方法，以及仿真验证（Spice, HDL仿真）在确保设计正确性中的关键作用。 第二章：微处理器架构与性能优化 微处理器是现代计算系统的核心。本章将完全专注于复杂指令集计算机（CISC）和精简指令集计算机（RISC）的架构演变，以及如何通过架构优化来提升计算效率。 2.1 流水线技术与指令级并行性（ILP）：详述五级、七级乃至超长指令字（VLIW）流水线的结构、数据冒险和控制冒险的处理机制。深入探讨分支预测算法（如Two-Bit Predictor）对性能的影响。 2.2 存储器层次结构与缓存管理：系统地分析多级缓存（L1, L2, L3）的设计参数（块大小、关联度、替换策略如LRU）。阐述缓存一致性协议（如MESI协议）在多核系统中的核心地位及其实现细节。 2.3 现代CPU的高级特性：解析乱序执行（Out-of-Order Execution）的执行单元、重排序缓冲器（Reorder Buffer, ROB）的工作流程。讨论向量处理单元（SIMD/AVX）在数据密集型计算中的加速作用。 第三章：嵌入式系统与专用处理器 本章将视角转向特定领域的计算需求，重点介绍嵌入式系统中广泛应用的微控制器（MCU）和数字信号处理器（DSP）。 3.1 微控制器（MCU）的系统集成：区别于通用CPU，MCU强调片上集成度。详细解析片上外设模块（ADC/DAC、定时器、PWM、通信接口如SPI/I2C/UART）的配置与编程技巧。 3.2 实时性与操作系统：讨论嵌入式实时操作系统（RTOS）的任务调度机制（如优先级继承、时间片轮转）。分析中断延迟和上下文切换时间对系统实时性能的约束。 3.3 数字信号处理（DSP）的应用：探讨DSP架构中乘加单元（MAC）的优化、零开销循环（Zero-Overhead Looping）以及快速傅里叶变换（FFT）算法在DSP上的高效实现。 第四章：接口技术与系统互联 现代系统需要高速、可靠的数据传输通路。本章将聚焦于系统级的高速通信协议和接口标准。 4.1 高速串行接口：深入PCI Express（PCIe）的事务层、数据链路层和物理层协议。分析其通道的建立、错误检测与重传机制，以及Lane Reversal等高级特性。 4.2 存储器接口标准：全面解析DDR SDRAM（如DDR4/DDR5）的时序参数、信号完整性要求（SI/PI）。探讨如何进行时钟补偿和数据眼图的分析与优化。 4.3 片间与片内通信总线：对比分析AMBA AXI/AHB/APB总线的架构差异，理解它们在SoC（系统级芯片）内部数据流控制中的角色。讨论最新的CXL（Compute Express Link）技术对内存一致性的扩展影响。 第五章：电源管理与系统可靠性 高性能系统对功耗和热管理提出了严峻挑战。本章将探讨如何设计高效的电源电路和确保系统在极端条件下的稳定性。 5.1 先进的电源转换技术：分析同步降压/升压转换器的拓扑结构、环路补偿设计，以及如何通过频率调制（PFM/PWM）来提高轻负载效率。 5.2 功耗优化与动态电压频率调节（DVFS）：探讨软件和硬件协同工作，根据负载动态调整核心电压和时钟频率的策略，以实现最佳能效比。 5.3 电磁兼容性（EMC）与热设计：介绍PCB布局中电源平面、地平面和信号走线的关键规则，以抑制辐射和传导干扰。讨论散热设计中热阻的计算与散热器的选型原则。 结论 本书提供了一个全面、深入的视角，涵盖了从底层半导体工艺到顶层系统架构的现代电子设计知识体系。它侧重于理解为什么和如何构建复杂电子系统的核心逻辑与机制，为电子工程师、系统架构师以及相关领域的研究人员提供了一套系统性的参考框架，以应对当前和未来的技术挑战。本书的目标是培养读者运用集成电路的整体能力，而非仅仅依赖于查阅特定分立元件的参数手册。

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我是一名在职的电子维修技术人员，我的工作环境常常是充满变数和突发状况的。面对一块故障电路板，快速识别上面使用的半导体器件的性能参数，是决定维修效率的关键。过去，我需要背诵大量的器件代码，或者依赖一台可以上网的设备，但这在信号干扰严重的工厂车间是行不通的。这本《新编国内外场效应管、晶闸管速查手册》的便携性和信息密度完美地解决了我的痛点。它的纸张选择适中，拿在手里有分量，但又不至于重到让人不想随身携带。更让我惊喜的是，它对于那些军工或特定领域使用的、在国内市场上不太常见的晶闸管型号，也进行了收录和标注，这极大地拓宽了我维修的范围。有一次我处理一个进口医疗设备，上面的一个特定SCR型号在市面上根本找不到任何公开信息，但我抱着试一试的心态，在这本手册的厚厚章节里竟然找到了一个参数高度匹配的替代品，虽然封装略有差异，但通过简单的转接就可以实现替换，为客户节省了昂贵的进口备件等待时间。这种“救急”的能力，是任何电子书或在线数据库暂时无法比拟的，它代表的是一种沉淀和积累。

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说实话，我拿到这本书的时候，是抱着“试试看”的心态。毕竟市面上的“速查手册”很多时候都是徒有虚名，要么信息滞后，要么就是把一堆数据堆砌在一起，缺乏有效的组织和解读。然而，这本《新编国内外场效应管、晶闸管速查手册》彻底颠覆了我的固有印象。它的精妙之处，在于它不仅仅罗列了参数，更是在某些关键的器件类型下，对应用场景进行了简要的说明。比如，在讲解高频开关型晶闸管时，它会特别指出其关断时间（tq）的优劣势对比，这对于射频和电源领域的设计者来说，是非常有价值的参考信息。我尤其欣赏它对于器件封装的介绍部分。通常，手册只会给出一个代号，但这本书里，不仅有标准封装的图示，还标注了大致的尺寸范围，这对于PCB布局设计时预留空间至关重要，避免了为了确认封装尺寸而浪费时间去查找其他资料。那些复杂的参数图表，如转移特性曲线（Transfer Characteristics），虽然没有像原厂PDF那样提供多条曲线，但它选取了几个最具代表性的工作点进行标示，简洁而有力，足以满足大多数“速查”的需求。这本手册的编辑团队显然深谙工程师的阅读习惯，他们知道我们到底需要什么，不需要什么。

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这本厚厚的《新编国内外场效应管、晶闸管速查手册》的封面设计，着实让我这个电子爱好者眼前一亮。它不像那些充斥着花哨设计的商业手册，反而有一种务实、严谨的气质。初次翻阅时，我立刻被它详尽的目录和清晰的结构所吸引。我手里拿着的这本，显然是经过了多次修订和优化的版本，每一页都散发着技术资料特有的那种“干货”气息。我主要关注的是那些新近推出的MOSFET型号，想在我的下一个项目中寻找替换方案。我发现，它收录的器件覆盖面广得惊人，从工业级到消费级，甚至是一些已经被市场淡忘但依然在某些老设备中扮演关键角色的老型号，都有详细的参数表。特别是对那些参数的描述，没有丝毫的含糊不清，电压、电流、导通电阻（RDS(on)）的上下限都标注得清清楚楚。这对我这种需要进行精确电路设计的工程师来说，简直是福音。我过去常常为了核对几个关键参数，不得不翻阅多个原厂数据手册，费时费力，但现在，大部分我需要的信息，都能在这本“大黄页”里快速定位。它的索引系统做得非常友好，即便是查找那些以字母和数字组合命名的复杂型号，也能迅速找到对应页码，这极大地提升了我的工作效率。

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我是一名正在准备职业资格认证的学生，需要对半导体器件的知识体系有一个宏观和微观相结合的认识。这本手册无疑为我构建知识框架提供了坚实的基础。它不是一本教科书，缺乏深入的物理原理推导，但它用最直观的方式，将成百上千个具体器件的“体检报告”汇集成册。我发现，通过反复对比不同厂家、不同系列的同类器件参数变化，我能更深刻地理解“工艺优化”在实际产品设计中的意义。比如，观察了几款同额定电流的功率MOSFET，它们的导通电阻差异显著，这直接关系到器件的散热设计和效率，这比单纯背诵公式要来得实在得多。另外，这本书的命名规范和分类逻辑，也体现了很强的专业性，它遵循了行业内的主流标准，使得我在后续查阅其他国际标准资料时，能够快速建立起对应关系。它就像一座信息的桥梁，连接了理论学习与工程实践之间的那段鸿沟，让我能够带着书本上的具体数据，去分析实际电路中的器件选择逻辑。这本书的价值，不在于它能教你如何“制造”这些管子，而在于它能让你在需要“选择”和“判断”时，拥有最坚实的数据后盾。

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这本书的印刷质量，我必须点个赞。在翻阅这种技术手册时，最怕的就是印刷模糊不清，尤其是那些参数表格里的数字和单位，一旦看错，后果不堪设想。我对比了手头上的几本同类书籍，这本《新编国内外场效应管、晶闸管速查手册》的油墨着色均匀，线条锐利，即便是最小的字体，也清晰可辨。这说明在出版环节上，出版社是下了真功夫的。而且，对于晶闸管的触发条件，如栅极电压、电流阈值等关键信息，它采用了加粗或者不同字号的方式突出显示，这种视觉上的引导非常有效。我个人最看重的是它对不同制造工艺器件的区分。例如，对于JFET和MOSFET，它在分类时就考虑到了它们在输入阻抗和功耗上的本质区别，并在描述中暗示了不同工艺下的典型应用限制。这种深层次的对比分析，虽然不是大段的理论讲解，但对于需要快速切换思维模式的设计师来说，是极其宝贵的“背景信息”，它帮助我们避免了将一个类型的器件错误地套用到另一种类型的应用场景中去。

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