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出版者:

作者:老虎工作室

出品人:

页数:364

译者:

出版时间:2008-8

价格:45.00元

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isbn号码:9787115177520

丛书系列:

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好的，这是一份关于《现代集成电路制造工艺》的图书简介，内容详细，字数约1500字，旨在涵盖半导体制造的前沿技术和理论，不涉及电路设计与版图绘制的内容。 --- 图书名称：《现代集成电路制造工艺：从硅片到先进封装》 图书简介 本书旨在全面、深入地剖析现代集成电路（IC）制造过程中的核心技术、关键物理机制以及前沿发展趋势。它不仅仅是对现有制造流程的描述，更是对支撑当前乃至未来半导体技术飞跃的底层科学与工程原理的系统阐述。全书内容紧密围绕晶圆的制备、薄膜沉积、光刻、刻蚀、掺杂、金属互连以及先进封装技术展开，力求为读者提供一个从原子尺度到宏观器件性能的完整制造图景。 第一部分：半导体材料基础与硅晶圆制备 本部分是理解后续所有制造步骤的基石。我们首先从半导体物理学的基本概念入手，重点阐述硅晶体结构、晶格缺陷及其对电子迁移率的影响。随后，详细探讨高纯度多晶硅的提纯过程，包括西门子法和改良西门子法，并深入解析单晶硅的生长技术——直拉法（CZ法）与区熔法（FZ法）。特别地，本书对CZ法生长过程中，氧、碳等杂质的引入机制、分布控制及其对晶圆电学性能的影响进行了细致的分析。 晶圆的加工环节是制造的起点，本书详尽描述了从铸锭、切片、研磨、化学机械抛光（CMP）到最终清洗的每一个步骤。其中，CMP技术被视为决定后续光刻精度的关键环节，本书不仅介绍了传统的氧化硅和金属CMP过程，更深入探讨了先进节点中对表面粗糙度、残余应力和金属污染的极严苛控制要求。 第二部分：薄膜沉积与外延生长技术 集成电路的性能高度依赖于精确控制的薄膜层。本部分系统介绍了各类关键薄膜的制备技术。 介质薄膜的制备： 重点关注栅氧化层、高介电常数（High-k）材料和低介电常数（Low-k）材料的沉积。对于栅极氧化层，我们探讨了热氧化和化学气相沉积（CVD）的演变，尤其是在FinFET结构中采用的原子层沉积（ALD）技术，阐述了ALD如何实现亚纳米级厚度的精确控制和优异的均匀性，这是防止栅极漏电的关键。对于High-k/Metal Gate（HKMG）技术栈，本书详述了HfO2、ZrO2等材料的ALD制备工艺、退火对晶相和介电常数的影响，以及金属栅极的共面化（EAC）挑战。 导电薄膜与互连技术： 详细描述了多晶硅、氮化硅以及钨（W）作为接触孔填充材料的沉积工艺。在金属互连方面，本书的核心内容聚焦于大马士革（Damascene）工艺，特别是铜互连技术的发展历程。从铜的溅射沉积、阻挡层/籽晶层的选择，到后续的电化学沉积（ECD）填充技术，以及至关重要的CMP平坦化，本书解析了这些步骤中引发的空洞（Void）、侧壁污染和界面态密度升高等关键制程瓶颈的物理成因及应对策略。 外延生长： 深入分析了外延硅（Epi-Si）在构建SOI（Silicon-On-Insulator）结构和应变硅（Strained Silicon）中的应用。我们探讨了分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）在控制晶体取向、掺杂梯度和应变程度方面的精细调控能力。 第三部分：光刻、刻蚀与掺杂——图案的定义与转移 本部分是决定器件特征尺寸和密度的核心环节。 光刻技术（Lithography）： 本书从深紫外光刻（DUV）开始，系统梳理了从i线、KrF到ArF技术的演进，重点分析了掩模版（Mask）的制造、套刻精度（Overlay）的控制以及像差校正技术。随后，本书将笔墨集中于极紫外光刻（EUVL）的原理、关键挑战（如光源效率、反射式光学系统、掩模版缺陷控制与修复）及其对节点缩进的决定性作用。对于亚10nm节点，我们详尽介绍了多重曝光技术，如相移掩模（PSM）、离轴照明（OAI）以及双图案化（DPT）和四图案化（QPT）技术，揭示了光刻工艺窗口的复杂权衡。 刻蚀技术（Etching）： 刻蚀是图案从光刻胶到硅基底的精确转移过程。本书区分了干法刻蚀和湿法刻蚀的原理与应用。干法刻蚀部分，重点论述了反应离子刻蚀（RIE）、深度反应离子刻蚀（DRIE）——特别是Bosch工艺，以及等离子体的诊断与控制。我们详细分析了刻蚀的选择性、各向异性（侧壁的垂直度）、以及侧壁钝化层（Passivation Layer）的形成与剥离过程，这些直接决定了FinFET和Trench结构的侧壁质量。 离子注入与掺杂（Ion Implantation and Doping）： 本部分解释了通过高能离子注入实现半导体区域P型或N型调控的物理过程。内容涵盖了注入设备的原理、剂量和能量的控制、以及注入后的退火（Annealing）过程，特别是快速热退火（RTA）和激光退火（LSA）如何影响掺杂剂的激活率、扩散深度以及对晶格损伤的修复。 第四部分：先进封装与系统集成 随着摩尔定律的放缓，先进封装已成为提升系统性能的关键驱动力。本书将目光投向了三维集成电路（3D-IC）和异构集成领域。 晶圆键合与互连技术： 详细介绍了直接键合（Direct Bonding）、聚合物键合（Polymer Bonding）和混合键合（Hybrid Bonding）的工艺原理、界面控制和键合强度测试方法。特别是对于3D堆叠中的TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技术，本书涵盖了TSV的制造流程（包括深孔刻蚀、介电层沉积、铜填充和TSV暴露的CMP）、性能影响以及电迁移效应的应对。 扇出型封装（Fan-Out）： 探讨了先进的扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，如嵌入式晶圆级封装（E-WLP）和重布线层（RDL）的制造。我们分析了如何通过RDL实现更精细的布线密度和更短的I/O延迟，以及如何应对高密度布线中的串扰问题。 可靠性与测试： 最后，本书探讨了制造过程中引入的可靠性隐患，包括TDDB（时间依赖性介质击穿）、HCI（热载流子注入）以及电迁移（EM）效应的物理模型。并阐述了集成电路制造过程中的缺陷检测、良率分析（Yield Analysis）以及如何利用统计过程控制（SPC）确保产品质量的稳定。 总结 《现代集成电路制造工艺：从硅片到先进封装》是一本面向半导体工程师、材料科学家以及研究生深度学习的专业参考书。它系统整合了从原子尺度控制到宏观系统集成的全链条知识，不仅为理解当前前沿制程的“如何做”提供了指导，更深刻揭示了“为什么这样做”背后的物理和化学原理。阅读本书，读者将能够建立起对半导体制造复杂性和精密度的高度认识，为应对未来技术挑战奠定坚实基础。

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我拿到《现代通信原理的奥秘》这本书时，其实是抱着一种挑战的心态的，毕竟通信原理听起来就挺“高大上”的。然而，这本书的作者显然深谙如何将深奥的理论用一种极具逻辑性的方式呈现出来。它不像某些教科书那样干巴巴地堆砌公式，而是先从历史背景和实际应用需求出发，引导读者理解为什么需要这些复杂的编码和调制技术。我特别欣赏作者在阐述傅里叶变换和拉普拉斯变换时所采用的“场景代入法”，通过模拟真实世界的信号干扰和传输损耗，让那些抽象的数学工具立刻有了实际的意义和价值。整本书的论述脉络非常清晰，从基带传输到带通传输，从模拟到数字，每一步的过渡都衔接得天衣<bos>缝。读完之后，我感觉自己对5G、Wi-Fi这些日常技术背后的原理有了一种全新的、更深刻的认识，不再仅仅停留在“知道它能用”的层面，而是开始理解“它为什么能这样工作”。这本书的深度和广度都拿捏得恰到好处，适合有一定基础，想要进一步系统化提升理论水平的工程师或学生。

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《嵌入式系统开发实战指南》这本书，简直就是为我们这些急着上手做项目的工程师量身定制的。它完全摒弃了空泛的理论说教，开篇就直接带你进入实际的开发环境搭建。从选型微控制器到编写第一个点亮LED的程序，每一步骤都详略得当，甚至连最容易让人抓狂的交叉编译环境配置问题，作者都给出了非常细致的排错建议。我最欣赏的是它对实时操作系统（RTOS）的讲解，没有直接丢出FreeRTOS的API，而是先模拟了一个多任务调度场景，让我们直观感受到为什么需要RTOS，然后才引入具体的实现细节。书中大量的代码示例都是可以直接在开发板上运行的，而且作者对代码的注释非常详尽，很多底层操作的原理都用通俗的语言解释清楚了。这本书真正做到了“实战”，读完后，我立刻就能将书中学到的知识应用到我手头的项目中去，大大缩短了摸索的时间，性价比极高。

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说实话，我对《信号与系统分析》这本书的看法比较复杂，它无疑是一本极具学术价值的著作，但对于初学者来说，门槛确实不低。这本书的严谨性毋庸置疑，每一个定义、每一个定理的推导都遵循着最严格的数学逻辑。它不是那种提供“快速解决方案”的书，而是旨在构建一个坚不可摧的理论框架。作者在处理离散时间信号和连续时间信号的统一性问题上，展现了极高的数学功力，尤其是对Z变换和频域分析的深入探讨，非常深刻。然而，正因为其学术深度，阅读过程中需要极大的耐心和专注力，我常常需要反复阅读同一章节，对照着后面的习题才能真正消化吸收其中的精髓。对于那些希望在信号处理领域深耕，未来打算从事研究工作的读者，这本书是不可或缺的基石，它教会的不仅仅是方法，更是一种严谨的工程思维。

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我近期翻阅的《数据结构与算法可视化解读》这本书，彻底颠覆了我对传统算法书籍的刻板印象。我以前总觉得数据结构和算法是枯燥的，充斥着晦涩的伪代码和复杂的复杂度分析。但这本书的创新之处在于，它将每一个核心结构——无论是链表、树还是图——都配上了高质量的动态图示或交互式说明。例如，在讲解“平衡二叉树的旋转操作”时，屏幕上树节点的移动和重组过程清晰可见，比看一堆静态的文字描述有效率高出百倍。作者似乎非常懂得如何“说服”读者的眼睛，而不是只用文字来描述逻辑。此外，作者在分析算法效率时，也巧妙地融入了对现实世界中计算资源限制的考量，让原本纯理论的复杂度分析变得更具“人情味”。这本书的价值在于，它成功地架设了一座连接抽象逻辑和直观理解的桥梁，极大地激发了我学习算法的热情。

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这本《电子学入门基础》真是让我这个零基础的门外汉受益匪浅。书中的讲解非常贴近生活，没有太多晦涩难懂的公式，而是通过大量生动的例子来解释电荷、电流、电压这些基本概念。我记得最清楚的是作者用自来水管来比喻电路的原理，一下子就豁然开朗了。特别是对于电阻和电容的介绍，从宏观到微观，循序渐进，让我明白了它们在电路中到底扮演着什么样的角色。作者的语言风格很亲切，就像一位经验丰富的前辈在手把手地教导，完全没有高高在上的感觉。这本书的排版也很友好，图文并茂，很多关键点都有加粗和重点标注，即便是偶尔走神了，回过头来看也能很快找到思路。对于想要了解电子世界，但又害怕被复杂的理论吓退的人来说，这本书绝对是最好的敲门砖。我本来以为要啃很久才能看明白，没想到这本书的结构设计得如此合理，让人忍不住一口气读下去，迫不及待地想知道下一页会讲什么新的知识点。

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