晶圆键合手册

晶圆键合手册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:国防工业出版社
作者:Peter Ramm
出品人:
页数:276
译者:安兵
出版时间:2016-11
价格:71.20元
装帧:平装
isbn号码:9787118103175
丛书系列:
图书标签:
  • 晶圆键合
  • 工程技术
  • 晶圆键合
  • 半导体封装
  • 集成电路
  • 材料科学
  • 微电子
  • 键合技术
  • 工艺流程
  • 设备
  • 可靠性
  • 测试
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具体描述

彼得·拉姆、詹姆斯·卢建强、马艾克·M.V.塔克鲁编安兵、杨兵译的《晶圆键合手册》系统介绍了晶圆级封装的材料选择、工艺集成和应用,包括三维(3D)集成、临时键合、混合材料键合等诸多新涌现的连接技术。第一部分描绘了四类晶圆键合技术:胶粘剂和阳极键合;直接晶圆接合;金属键合;和金属/绝缘材料混合键合。第二部分总结了最近开发的一些晶圆键合技术,包括3D集成、微机电系统(MEMS)、临时键合等,让读者领略晶圆键合技术的重大应用。

《晶圆键合手册》 引言 半导体产业的飞速发展,离不开微电子制造技术的不断革新。晶圆键合,作为集成电路制造中的关键工艺环节,直接关系到芯片的性能、可靠性以及封装形式的实现。从最初的简单连接,到如今复杂多样的三维堆叠,晶圆键合技术的进步极大地拓展了半导体器件的应用边界。本书旨在系统性地梳理晶圆键合领域的理论基础、主流技术、关键工艺参数以及实际应用中的挑战与对策,为相关领域的科研人员、工程师以及行业从业者提供一本详实可信的参考指南。 第一章:晶圆键合概述与基础原理 本章将深入剖析晶圆键合的基本概念,界定其在整个半导体制造流程中的位置与重要性。我们将从原子层面和分子层面,探讨晶圆表面特性、清洁度以及活性在键合过程中的作用。重点介绍不同键合机制的物理化学原理,包括范德华力、静电力、化学键的形成机理等。此外,本章还将阐述晶圆键合过程中的关键界面现象,如界面缺陷、应力分布以及热膨胀系数失配带来的影响。通过对这些基础理论的深入理解,读者将为后续章节的学习奠定坚实的理论基础。 第二章:主流晶圆键合技术详解 本章将详细介绍当前半导体产业中最具代表性的几种晶圆键合技术。 热压键合(Thermal Bonding):涵盖了阳极键合(Anodic Bonding)和直接键合(Direct Bonding)两大类。对于阳极键合,我们将深入探讨其玻璃与硅的键合机理,电场、温度和表面状态的协同作用。对于直接键合,则重点分析其在超净环境下的表面活化、亲水性处理以及键合过程中的温度、压力和时间参数控制,并区分无应力键合和有应力键合。 金属键合(Metallurgical Bonding):主要包括共晶键合(Eutectic Bonding)和回流键合(Reflow Bonding)。前者将分析不同金属体系的共晶点、合金形成过程以及键合界面的微观结构。后者则侧重于焊料的熔化、铺展和凝固过程,以及对焊料成分、表面涂层和加热速率的要求。 黏接剂键合(Adhesive Bonding):涵盖了聚合物黏合剂和低熔点金属(LMP)等。我们将讨论不同类型黏接剂的化学结构、固化机理(热固化、UV固化等)、机械性能和耐环境性。对于LMP,将分析其在键合过程中的熔化、润湿和固化特性。 混合键合(Hybrid Bonding):作为一种新兴且极具潜力的技术,本章将对其进行重点介绍。我们将剖析其结合了金属再分配层(RDL)和直接键合的优势,实现金属到金属和介质到介质的低电阻、低缺陷连接,并探讨其在先进封装中的应用前景。 第三章:晶圆键合的关键工艺参数与影响 本章将聚焦于影响晶圆键合质量的核心工艺参数,并深入分析其对键合强度、可靠性及缺陷的影响。 表面处理与清洁度:详述各种表面处理方法,如湿法清洗(SC-1, SC-2等)、等离子体活化(O2, N2, H2等)以及超临界流体清洗。强调表面粗糙度、表面能以及表面化学态在键合前的重要性。 温度与压力:分析不同键合技术对温度和压力的具体要求,以及这些参数如何影响界面原子间的扩散、化学反应和应力分布。 时间与环境:阐述键合时间对键合过程完成度的影响,以及键合过程所需环境(如真空度、惰性气体保护)的重要性,特别是对于避免氧化和杂质污染。 键合界面缺陷:系统性地介绍晶圆键合过程中可能产生的各种缺陷,包括气泡、空洞、杂质夹杂、界面剥离以及金属扩散。并对这些缺陷的形成机理进行分析。 第四章:晶圆键合的表征与可靠性评估 本章将介绍用于评估晶圆键合质量和可靠性的常用表征技术与方法。 微观形貌表征:包括扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及原子力显微镜(AFM),用于观察键合界面的微观结构、缺陷形貌以及表面形貌。 化学成分分析:如能量色散X射线光谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES),用于分析键合界面元素的分布、化学态以及杂质含量。 力学性能测试:包括拉伸测试、剪切测试、弯曲测试以及纳米压痕测试,用于量化键合强度和界面韧性。 电学性能测试:如电阻率测量、漏电流测试和可靠性加速测试(如高低温循环、湿度偏压测试),用于评估键合对器件电学性能和长期可靠性的影响。 第五章:晶圆键合在先进制造中的应用 本章将探讨晶圆键合技术在现代半导体制造中的广泛应用,并展望其未来发展趋势。 三维集成与堆叠:重点介绍TSV(硅通孔)技术与晶圆键合的协同应用,实现多层芯片的垂直互联,提升集成度与性能。 MEMS(微机电系统)制造:阐述晶圆键合在封装、腔体形成、微流控芯片等MEMS器件制造中的作用。 先进封装技术:如扇出型晶圆级封装(Fan-Out WLP)、2.5D/3D封装等,分析晶圆键合在其中扮演的关键角色。 传感器与光电器件:介绍晶圆键合在构建高性能传感器、图像传感器以及光电器件中的应用。 第六章:晶圆键合的挑战与发展趋势 本章将梳理当前晶圆键合技术面临的主要挑战,并展望未来的发展方向。 成本与良率:探讨如何降低键合工艺成本、提高键合良率,以适应大规模生产的需求。 工艺窗口控制:分析如何精确控制复杂的键合工艺参数,以实现稳定可靠的键合。 新材料与新结构:关注新型键合材料(如新型黏合剂、金属合金)和创新键合结构(如纳米线键合、异质材料键合)的发展。 智能化与自动化:探讨如何将人工智能、机器学习等技术应用于键合过程的优化与控制,实现生产的智能化。 结论 晶圆键合技术是推动半导体产业进步的核心技术之一。本书通过对晶圆键合基础原理、主流技术、工艺参数、表征评估及实际应用的深入探讨,旨在为读者提供一个全面而系统的知识体系。随着半导体技术的不断演进,晶圆键合领域仍将持续创新,为下一代电子器件的发展奠定坚实基础。

作者简介

目录信息

第一部分 技术
A.黏合剂和阳极键合
第1章 玻璃料晶圆键合
1.1 玻璃料键合原理
1.2 玻璃料材料
1.3 丝网印刷:将玻璃料涂覆到晶圆上的工艺
1.4 热处理:将印刷浆料转变为玻璃的键合工艺
1.5 晶圆键合工艺:由玻璃料中间层形成基本的晶圆到晶圆黏合
1.6 玻璃料键合的特性
1.7 玻璃料晶圆键合的应用
1.8 结论
参考文献
第2章 利用旋涂玻璃作为键合材料的晶圆键合
2.1 旋涂玻璃材料
2.2 采用SOG层的晶圆键合
2.2.1 试验
2.2.2 利用硅酸盐SOG层的晶圆键合
2.2.3 平坦化SOG的晶圆键合
2.2.4 利用SOG层进行晶圆键合的应用
2.2.5 结论
参考文献
第3章 聚合物晶圆键合
3.1 引言
3.2 聚合物黏合剂
3.2.1 聚合物黏结机制
3.2.2 聚合物黏合剂的性能
3.2.3 用于晶圆键合的聚合物黏合剂
3.3 聚合物黏合剂晶圆键合技术
3.3.1 聚合物黏合剂晶圆键合工艺
3.3.2 局部聚合物黏合剂晶圆键合
3.4 在聚合物黏合剂晶圆键合中晶圆到晶圆对准
3.5 聚合物黏合剂晶圆键合工艺和流程实例
3.5.1 用热固性聚合物键合进行永久晶圆键合(BCB)或临时晶圆键合(mr-I9000)
3.5.2 采用热塑性聚合物(HD-3007)的临时和永久性晶圆键合
3.6 总结和结论
参考文献
第4章 阳极键合
4.1 引言
4.2 阳极键合机制
4.2.1 玻璃极化
4.2.2 实现紧密接触
4.2.3 界面反应
4.3 键合电流
4.4 阳极键合所用的玻璃
4.5 键合质量的表征
4.6 真空密封腔体内的气压
4.7 阳极键合对柔性结构的影响
4.8 阳极键合过程中器件的电学退化
4.8.1 钠污染导致的退化
4.8.2 高电场导致的退化
4.9 薄膜键合
4.10 结论
参考文献
B.直接晶圆键合
第5章 直接晶圆键合
5.1 引言
5.2 表面化学与物理
5.3 晶圆键合技术
5.3.1 亲水性表面晶圆键合
5.3.2 疏水性晶圆键合
5.3.3 低温晶圆键合
5.3.4 超高真空下的晶圆键合
5.4 键合的界面特性
5.5 晶圆键合的应用
5.5.1 先进微电子的衬底
5.5.2 微机电系统(MEMS)和纳机电系统(NEMS)
5.6 结论
参考文献
第6章 等离子体活化键合
C.金属键合
第7章 Au/Sn焊料
第8章 共晶Au-In键合
第9章 全覆铜和图案化晶圆的Cu-Cu热压键合
……
第二部分 应用
第14章 微机电系统
第15章 三维集成
第16章 三维集成和封装中的临时键合
第17章 用于三维系统集成的合格芯片重构的临时黏合剂键合
第18章 250°C以上处理和冷键合剥离的薄晶圆支撑系统
第19章 临时键合:静电
· · · · · · (收起)

读后感

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用户评价

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拿到这本《晶圆键合手册》,我本以为能从中一窥现代微纳加工领域的核心秘密,毕竟晶圆键合是实现异质集成和先进封装的基石。但这本书的内容深度明显偏向于基础理论的介绍,对于实际生产线上面临的挑战,比如大面积键合的均匀性控制、键合后的应力管理,以及不同材料体系(如Si-Si、Si-玻璃、Si-III-V族半导体)的特定工艺要求,论述得非常保守和初步。例如,在讨论高精度对准技术时,书中只是简单提到了光学对准的原理,但对于现代对准系统中使用的纳米级传感器反馈机制,几乎没有涉及。这让我感到遗憾,因为在今天的半导体行业,精度就是一切。这本书的价值更可能体现在为行业新人建立一个初步的知识框架,但对于已经拥有扎实背景的读者来说,它提供的增量信息价值非常低,难以支撑其作为一本“手册”的重量。

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我花了一个下午的时间浏览了这本书,总体感觉上,这本书似乎更像是一本技术综述而非一本实用的“手册”。作为一名长期从事材料科学研究的人员,我期待的“手册”应该包含大量的参数、具体的工艺窗口、材料的兼容性矩阵,以及解决常见问题的故障排除指南。这本书虽然提到了键合的重要性,但缺乏对关键工艺变量——比如温度曲线、压力分布、清洁度标准——的量化描述。举个例子,在谈到直接键合时,书中对表面活化机制的解释停留在了理论层面,而没有给出实际操作中如何精确控制表面能、如何评估键合成功率的实用指标。阅读过程中,我不断地在寻找那些能直接指导我进行实验设计的内容,但发现更多的是对历史发展脉络的回顾,这对于一个急需优化现有流程的专业人士来说,吸引力大打折扣。可以说,它的“手册”之名,名不副实,更像是一篇不够深入的学术论文集。

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说实话,这本书的排版和图表质量是值得称赞的,印刷清晰,图示也算直观。但是,内容上的薄弱,使得再好的装帧也无法挽救阅读体验的下滑。我尤其关注的是键合质量的无损检测方法,这是评估键合可靠性的关键环节。书中对超声波扫描声学显微镜(SAM)的应用只是蜻蜓点水,没有详细说明如何通过其成像来识别键合界面中的微小空洞、未键合区域的尺寸分布,以及如何将这些缺陷与键合过程中的参数波动联系起来。一个真正的“手册”应该提供详尽的故障模式和对应的诊断流程图,帮助操作者快速定位问题。这本书在这方面显得非常欠缺,更多的是在描述“是什么”,而非“如何做”和“为什么会坏”。因此,如果我的工作需要依赖精确的质量控制,我不会将这本书作为首选参考工具。

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这本号称“晶圆键合手册”的书,我抱着极大的期待打开了它,希望能找到一些关于半导体制造领域前沿技术的真知灼见。然而,阅读完大半后,我不得不说,我的期望落空了。这本书在深入讲解晶圆键合这一关键工艺的细节上显得力不从心。它似乎更像是一本面向完全初学者的入门指南,罗列了一些基础概念和历史背景,但对于那些希望了解当前工业界主流键合技术(比如直接键合、共晶键合的最新进展,或者涉及先进封装,如3D IC中的挑战)的工程师或研究生来说,信息量实在太少。我尤其希望看到关于表面处理、键合界面缺陷分析以及不同键合模式的优缺点对比,但这些内容往往被一笔带过,缺乏具体的数据支持和实验案例。整本书的结构有些松散,似乎更侧重于描述性的文字,而非严谨的工程分析。这种“泛泛而谈”的叙述方式,让原本复杂的技术问题显得过于简单化,对于寻求解决实际工程难题的读者而言,帮助有限。如果想深入了解键合工艺的每一个环节,恐怕需要借助其他更专业的参考资料。

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我花费了时间去理解这本书对于不同键合技术之间权衡的论述。在当前快速迭代的技术环境中,选择合适的键合技术往往需要在成本、可靠性和兼容性之间做出艰难抉择。我希望这本书能提供一个基于应用场景的决策框架,比如针对功率器件和MEMS器件,哪种键合方式更具优势,以及引入新材料时需要进行哪些特定的预处理验证。然而,这本书的讨论大多是孤立的,缺乏将不同技术置于一个系统工程的背景下进行比较分析。它似乎未能捕捉到行业向更高集成度、更异构化方向发展的趋势。对于希望进行技术路线选择或工艺流程优化的专业人士而言,这本书提供的理论基础虽然扎实,但在实用性和前瞻性方面,明显不足以应对当前的工程挑战。它更像是一本停留在上世纪末期技术水平的教科书,而非一本面向未来的“手册”。

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翻译烂到可怕,这是这么多年见过翻译最烂的一本书(图片里还缺东西)。特到豆瓣给个差评!

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