模擬電路設計：分立與集成 pdf epub mobi txt 電子書 下載2025

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《國外電子與電氣工程技術叢書·模擬電路設計：分立與集成》以半導體物理理論為基礎，注重闡述模擬電路技術和BiCMOS技術，注重物理概念的詮釋，強調模擬電路的分立和和集成設計。全書主要內容有：pn結二極管、雙極型晶體管、MOS場效應晶體管、模擬集成電路構建、模擬集成電路、頻率和時間響應、反饋、穩定性和噪聲。

《國外電子與電氣工程技術叢書·模擬電路設計：分立與集成》適閤作為電類專業本科生和相關專業的模擬電路教材。

賽爾吉歐·弗朗哥（Sergio Franco）齣生在意大利，1980年開始在美國舊金山州立大學電氣工程係授課，期間獲得瞭伊利諾伊大學香檳分校博士學位，成為該係榮譽教授。在就任現職之前，Franco博士擁有廣泛的行業經驗，在諸如固態物理學、模式識彆、集成電路（IC）設計、醫學電子、日用電子和汽車電子等領域工作過，發錶論文頗豐，Franco博士還是“Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits”（McGraw-Hill Education，2014）和“Electric Ciruit Fundamentals”（Oxford University Press，1995）兩本教科書的作者。

齣版者的話
譯者序
前言
第1章　二極管和pn結
1.1　理想二極管
1.2　二極管的基本應用
1.3　運算放大器與二極管的應用
1.4　半導體
1.5　平衡態的pn結
1.6　空間電荷區外接偏置的影響
1.7　pn結二極管方程
1.8　反嚮偏置的pn 32
1.9　正嚮偏置二極管的特性
1.10　pn結二極管電路的直流分析
1.11　pn結二極管電路的交流分析
1.12　擊穿區工作狀態
1.13　直流電源
總結
附錄1A
參考文獻
習題
第2章　雙極型晶體管
2.1　BJT的物理結構
2.2　BJT的基本工作原理
2.3　BJT的i-v特性
2.4　工作區與BJT模型
2.5　作為放大器/開關的
2.6　BJT的小信號工作狀態
2.7　放大器的BJT偏置設計
2.8　基本雙極型電壓放大器
2.9　雙極型電壓和電流緩衝器
附錄2A
參考文獻
習題
第3章　MOSFET
3.1　MOSFET的物理結構
3.2　閾值電壓Vt
3.3　n溝道MOSFET的特性
3.4　MOSFET的i-v特性
3.5　MOSFET在阻性直流電路中的應用
3.6　MOSFET作為放大器/開關
3.7　MOSFET的小信號工作狀態
3.8　基本MOSFET電壓放大器
3.9　MOSFET電壓和電流緩衝器
3.10　CMOS反相器/放大器
附錄3A
參考文獻
習題
第4章　模擬集成電路單元電路
4.1　集成電路設計注意事項
4.2　BJT的特性和改進模型
4.3　MOSFET特性及其改進模型
4.4　達林頓、共源共柵和級聯結構
4.5　差分對
4.6　差分對的共模抑製比
4.7　差分對的輸入失調電壓/電流
4.8　電流鏡
4.9　帶有源負載的差分對
4.10　雙極型輸齣級
4.11　CMOS輸齣級
附錄4A
參考文獻
習題
第5章　模擬集成電路
5.1　μA741運算放大器
5.2　兩級CMOS運算放大器
5.3　摺疊式共源共柵CMOS運算放大器
5.4　電壓比較器
5.5　電流和電壓基準
5.6　電流模集成電路
5.7　全差分運算放大器
5.8　開關電容電路
附錄5A
參考文獻
習題
第6章　頻率和時間響應
6.1　高頻BJT模型
6.2　高頻MOSFET模型
6.3　共射/共源放大器頻率響應
6.4　差分放大器的頻率響應
6.5　雙極型電壓和電流緩衝器
6.6　MOS電壓和電流緩衝器
6.7　開路時間常數分析
6.8　共源共柵放大器的頻率響應
6.9　運算放大器頻率和瞬態響應
6.10　二極管開關瞬態
6.11　BJT開關瞬態
6.12　CMOS門電路和電壓比較器瞬態響應
附錄6A
參考文獻
習題
第7章　反饋、穩定性和噪聲
7.1　負反饋基礎
7.2　反饋對失真、噪聲、帶寬的影響
7.3　反饋結構和閉環I/O電阻
7.4　實際結構和負載效應
7.5　反饋比分析
7.6　布萊剋曼阻抗公式和注入方法
7.7　負反饋電路的穩定性
7.8　主極點補償
7.9　單片運算放大器的頻率補償
7.10　噪聲
參考文獻
習題
· · · · · · (收起)