模拟电路设计：分立与集成 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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《国外电子与电气工程技术丛书·模拟电路设计：分立与集成》以半导体物理理论为基础，注重阐述模拟电路技术和BiCMOS技术，注重物理概念的诠释，强调模拟电路的分立和和集成设计。全书主要内容有：pn结二极管、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、模拟集成电路构建、模拟集成电路、频率和时间响应、反馈、稳定性和噪声。

《国外电子与电气工程技术丛书·模拟电路设计：分立与集成》适合作为电类专业本科生和相关专业的模拟电路教材。

赛尔吉欧·弗朗哥（Sergio Franco）出生在意大利，1980年开始在美国旧金山州立大学电气工程系授课，期间获得了伊利诺伊大学香槟分校博士学位，成为该系荣誉教授。在就任现职之前，Franco博士拥有广泛的行业经验，在诸如固态物理学、模式识别、集成电路（IC）设计、医学电子、日用电子和汽车电子等领域工作过，发表论文颇丰，Franco博士还是“Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits”（McGraw-Hill Education，2014）和“Electric Ciruit Fundamentals”（Oxford University Press，1995）两本教科书的作者。

出版者的话
译者序
前言
第1章　二极管和pn结
1.1　理想二极管
1.2　二极管的基本应用
1.3　运算放大器与二极管的应用
1.4　半导体
1.5　平衡态的pn结
1.6　空间电荷区外接偏置的影响
1.7　pn结二极管方程
1.8　反向偏置的pn 32
1.9　正向偏置二极管的特性
1.10　pn结二极管电路的直流分析
1.11　pn结二极管电路的交流分析
1.12　击穿区工作状态
1.13　直流电源
总结
附录1A
参考文献
习题
第2章　双极型晶体管
2.1　BJT的物理结构
2.2　BJT的基本工作原理
2.3　BJT的i-v特性
2.4　工作区与BJT模型
2.5　作为放大器/开关的
2.6　BJT的小信号工作状态
2.7　放大器的BJT偏置设计
2.8　基本双极型电压放大器
2.9　双极型电压和电流缓冲器
附录2A
参考文献
习题
第3章　MOSFET
3.1　MOSFET的物理结构
3.2　阈值电压Vt
3.3　n沟道MOSFET的特性
3.4　MOSFET的i-v特性
3.5　MOSFET在阻性直流电路中的应用
3.6　MOSFET作为放大器/开关
3.7　MOSFET的小信号工作状态
3.8　基本MOSFET电压放大器
3.9　MOSFET电压和电流缓冲器
3.10　CMOS反相器/放大器
附录3A
参考文献
习题
第4章　模拟集成电路单元电路
4.1　集成电路设计注意事项
4.2　BJT的特性和改进模型
4.3　MOSFET特性及其改进模型
4.4　达林顿、共源共栅和级联结构
4.5　差分对
4.6　差分对的共模抑制比
4.7　差分对的输入失调电压/电流
4.8　电流镜
4.9　带有源负载的差分对
4.10　双极型输出级
4.11　CMOS输出级
附录4A
参考文献
习题
第5章　模拟集成电路
5.1　μA741运算放大器
5.2　两级CMOS运算放大器
5.3　折叠式共源共栅CMOS运算放大器
5.4　电压比较器
5.5　电流和电压基准
5.6　电流模集成电路
5.7　全差分运算放大器
5.8　开关电容电路
附录5A
参考文献
习题
第6章　频率和时间响应
6.1　高频BJT模型
6.2　高频MOSFET模型
6.3　共射/共源放大器频率响应
6.4　差分放大器的频率响应
6.5　双极型电压和电流缓冲器
6.6　MOS电压和电流缓冲器
6.7　开路时间常数分析
6.8　共源共栅放大器的频率响应
6.9　运算放大器频率和瞬态响应
6.10　二极管开关瞬态
6.11　BJT开关瞬态
6.12　CMOS门电路和电压比较器瞬态响应
附录6A
参考文献
习题
第7章　反馈、稳定性和噪声
7.1　负反馈基础
7.2　反馈对失真、噪声、带宽的影响
7.3　反馈结构和闭环I/O电阻
7.4　实际结构和负载效应
7.5　反馈比分析
7.6　布莱克曼阻抗公式和注入方法
7.7　负反馈电路的稳定性
7.8　主极点补偿
7.9　单片运算放大器的频率补偿
7.10　噪声
参考文献
习题
· · · · · · (收起)