Thin Films and Heterostructures for Oxide Electronics

Thin Films and Heterostructures for Oxide Electronics pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:Springer Verlag
作者:Ogale, Satishchandra B. 编
出品人:
页数:430
译者:
出版时间:2005-7
价格:$ 247.47
装帧:HRD
isbn号码:9780387258027
丛书系列:
图书标签:
  • 界面
  • 氧化物
  • 凝聚态物理
  • 氧化物电子学
  • 薄膜
  • 异质结构
  • 材料科学
  • 电子器件
  • 物理
  • 化学
  • 半导体
  • 功能材料
  • 纳米技术
想要找书就要到 小美书屋
立刻按 ctrl+D收藏本页
你会得到大惊喜!!

具体描述

Oxides form a broad subject area of research and technology development which encompasses different disciplines such as materials science, solid state chemistry, physics etc. The aim of this book is to demonstrate the interplay of these fields and to provide an introduction to the techniques and methodologies involving film growth, characterization and device processing. The literature in this field is thus fairly scattered in different research journals covering one or the other aspect of the specific activity. This situation calls for a book that will consolidate this information and thus enable a beginner as well as an expert to get an overall perspective of the field, its foundations, and its projected progress.

《薄膜与异质结在氧化物电子学中的应用》 简介 本书深入探讨了薄膜与异质结在氧化物电子学领域的关键作用及其前沿应用。氧化物材料以其独特的电学、磁学、光学和介电性能,为下一代电子器件的设计与制造提供了广阔的空间。而薄膜与异质结的制备技术,则是实现这些高性能氧化物器件的基石。 本书首先从基础层面出发,详细阐述了制备高质量氧化物薄膜的各种先进技术,包括但不限于脉冲激光沉积(PLD)、分子束外延(MBE)、磁控溅射(Sputtering)、溶胶-凝胶法(Sol-Gel)以及原子层沉积(ALD)等。书中将逐一解析这些技术的原理、优缺点、工艺参数对薄膜生长过程的影响,以及如何通过精确控制实现对薄膜厚度、结晶度、组分、表面形貌和界面特性的调控。此外,还将介绍晶体取向控制、外延生长技术以及多层薄膜的构筑策略,为读者构建坚实的薄膜制备知识体系。 接着,本书将聚焦于氧化物异质结的构筑与特性。异质结的形成,是将两种或多种不同性质的氧化物材料或氧化物与非氧化物材料层叠而成的结构。这种界面处的协同效应和量子效应,往往能够催生出比单一材料更丰富的物理现象和更优异的器件性能。书中将系统介绍不同氧化物异质结体系的构建方法,例如通过界面工程调控能带对齐、形成二维电子气(2DEG)以及激发电荷有序等。读者将了解到如何通过精确设计异质结的组分、层序、厚度以及界面化学环境,来优化载流子传输、界面磁耦合、铁电/反铁电耦合等关键特性。 在理论分析方面,本书将引入第一性原理计算、动力学蒙特卡洛模拟等理论工具,来深入理解薄膜生长机制、界面形成过程以及异质结中的电子行为。通过理论与实验的紧密结合,揭示材料在纳米尺度下的量子行为和集体激发,为器件设计提供理论指导。 本书的核心内容之一,是详细阐述氧化物薄膜与异质结在各类氧化物电子学应用中的实际案例。这包括: 铁电与介电材料器件: 聚焦于高性能铁电薄膜(如BaTiO₃, PZT, HfO₂-based ferroelectrics)在存储器(FeRAM)、传感器、执行器和能量收集器件中的应用。介绍如何通过薄膜厚度、电极材料、晶界工程以及异质结构筑来优化器件的切换速度、存储密度、耐久性和工作电压。 磁性氧化物器件: 探讨了如LCMO, LaCoO₃等巨磁电阻(GMR)、隧道磁电阻(TMR)材料在磁性传感器、非易失性存储器(MRAM)和自旋电子器件中的应用。重点分析界面磁耦合、自旋注入/输运以及磁畴动力学。 导电氧化物与透明导电氧化物(TCOs): 详细介绍了如ITO, AZO, FTO等TCOs材料在显示器、太阳能电池、触摸屏和LED等光电器件中的应用。同时,也会探讨具有优异载流子浓度的其他导电氧化物,如SrRuO₃, LaNiO₃在电极和沟道材料中的潜力。 二维氧化物材料与界面效应: 随着二维材料研究的深入,氧化物二维材料(如h-BN, transition metal dichalcogenides的氧化物衍生物)及其与氧化物衬底或金属形成的异质结,在高性能晶体管、传感器和忆阻器方面的应用潜力被进一步挖掘。 催化与传感应用: 氧化物薄膜在光催化(如TiO₂, WO₃)和气体传感(如SnO₂, ZnO)领域展现出巨大的应用前景。本书将介绍如何通过形貌控制、掺杂改性以及异质结构建来提升催化活性和传感灵敏度、选择性。 忆阻器与类脑计算: 忆阻器作为未来非冯·诺依曼计算架构的关键组件,氧化物材料因其可调的阻变特性,在构筑忆阻器方面表现出色。本书将深入研究不同氧化物体系的阻变机制(如氧空位迁移、界面注入等),以及如何利用薄膜与异质结技术来设计高密度、高性能的忆阻器阵列,迈向类脑计算。 本书的每一章都将包含大量的实验数据、器件性能曲线、微观结构表征图像以及理论模拟结果,力求为读者提供直观、详实的理解。同时,书中还会梳理各领域的最新研究进展、面临的挑战以及未来的发展方向,为从事氧化物电子学研究的学者、工程师以及相关专业的学生提供一本不可或缺的参考书。通过本书的学习,读者将能够深入掌握氧化物薄膜与异质结的制备、表征、理论理解及其在设计与实现下一代高性能电子器件中的关键技术与应用策略。

作者简介

目录信息

读后感

评分

评分

评分

评分

评分

用户评价

评分

这部书的封面设计真是引人注目,深邃的蓝色调中夹杂着微妙的金色线条,仿佛暗示着材料科学的深奥与光辉。我是在寻找关于新型半导体材料应用的资料时偶然接触到它的,虽然我对薄膜技术已有一定的了解,但这本书的视角显然更为前沿和综合。它不仅仅是技术手册,更像是一份邀请函,邀请读者进入一个由原子层构建的奇妙世界。我尤其欣赏它在结构与性能之间建立联系的叙述方式,这种深入浅出的讲解,使得即便是初涉该领域的学生也能迅速抓住核心概念。书中对于异质结界面物理特性的探讨,更是令人耳目一新,它巧妙地平衡了理论深度与实际工程应用的紧密结合,让人感觉这本书的作者不仅是位理论大师,更是一位深谙实际挑战的实践者。那种对微观世界精准控制的渴望,在字里行间都清晰可感,读罢让人对未来电子器件的发展充满了无限的想象和期待。

评分

我特别欣赏书中对“异质结构”这一概念的哲学式阐述。作者似乎在强调,真正的创新往往发生在材料的交界之处,而非单一材料的内部性能堆砌。书中关于应变工程如何被用来“设计”新的电子结构,而不是仅仅“发现”现有材料的特性,这一观点给我留下了深刻的印象。它促使我重新审视自己手头正在进行的项目,不再满足于现成的材料组合,而是开始主动思考如何通过界面工程来诱导出目标材料所不具备的全新功能。书中对铁电/半导体异质结的讨论,尤其体现了这种前瞻性思维,它不仅仅局限于描述现象,更进一步探讨了电场耦合对界面势垒的影响机制,这种深度思考的氛围,让整本书读起来充满了探索的乐趣和知识的增益感。

评分

坦白说,这本书的阅读体验是一次高强度的思维体操。它的语言风格是高度凝练且充满专业术语的,这对于非专业背景的读者构成了不小的挑战。然而,正是这种毫不妥协的专业性,保证了信息的密度和准确性。我发现自己不得不频繁地查阅相关的凝聚态物理基础知识,但每一次的“回头查找”都带来了豁然开朗的感觉。这本书没有试图用通俗的语言去稀释科学的本质,而是鼓励读者主动去掌握必要的工具。其中关于脉冲激光沉积(PLD)参数调控对薄膜相纯度的影响分析,简直像是一位资深工程师在耳边细语经验之谈,那些关于靶材选择和氧气分压微调的细节,是教科书上轻易不会提及的“真知灼见”。这使得这本书更像是一位导师,引导你直接面对工业界和尖端实验室中最真实的挑战。

评分

初翻阅这本书,我立刻被它那极其严谨的学术态度所折服。每一章的论证都建立在坚实的实验数据和精确的物理模型之上,绝无半点浮夸或空泛之词。它在探讨氧化物薄膜的生长动力学时,那种对晶格失配、界面应力等复杂因素的细致剖析,简直可以说是教科书级别的典范。我过去在处理某些特定氧化物界面时遇到的瓶颈,似乎都能在这本书中找到对应的理论解释和可能的优化路径。特别是关于电荷中性面和电子气形成机制的章节,作者运用了非常清晰的能带图示,极大地帮助我理解了那些抽象的量子效应是如何转化为宏观可测的电学性质。对于那些希望将研究工作推进到纳米尺度精度的人来说,这本书提供了一个近乎完美的理论框架作为支撑,其深度和广度都远超我预期的同类书籍。

评分

这本书的排版和图表质量堪称业界一流。我手中的精装本,纸张的质感极佳,即便是大量高分辨率的透射电子显微镜(TEM)图像和X射线衍射(XRD)谱图也清晰锐利,细节一览无余。清晰的图表是理解复杂材料科学问题的关键,而这本书在这方面做得无可挑剔。例如,在描述钙钛矿氧化物中氧空位对导电性的影响时,配图不仅展示了晶格结构,还直观地标示了缺陷的分布,这种视觉辅助极大地降低了理解复杂晶体缺陷物理的难度。总而言之,这是一部制作精良、内容扎实、且富有启发性的专著,它不仅仅是提供信息,更是在塑造研究者看待和设计下一代电子材料的思维方式,绝对是这个领域研究人员书架上不可或缺的重磅参考书。

评分

评分

评分

评分

评分

本站所有内容均为互联网搜索引擎提供的公开搜索信息,本站不存储任何数据与内容,任何内容与数据均与本站无关,如有需要请联系相关搜索引擎包括但不限于百度google,bing,sogou

© 2026 book.quotespace.org All Rights Reserved. 小美书屋 版权所有