Lithography Primer pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:Graphic Arts Technical Fndtn

作者:Wilson, Daniel G.

出品人:

页数:161

译者:

出版时间:

价格:580.55元

装帧:Pap

isbn号码:9780883625217

丛书系列:

图书标签:

• Lithography
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• Technique
• Process
• Stone
• Plate
• History
• Education
• Manual

好的，这是一份关于《光刻技术基础》的图书简介，内容详实，旨在介绍该领域的核心概念和应用，完全不涉及您提到的《Lithography Primer》这本书的内容。 --- 图书名称：《光刻技术基础：从原理到前沿应用》 图书简介 一、 书籍概述与定位 《光刻技术基础：从原理到前沿应用》是一本系统性、深入浅出的专业技术著作，旨在为半导体制造、微电子、精密光学以及相关工程领域的学生、研究人员和工程师提供一个全面且扎实的光刻技术知识体系。本书不仅涵盖了光刻技术的基本物理原理、关键工艺步骤和设备原理，更紧密结合当前产业需求，探讨了从经典深紫外光刻（DUV）到极紫外光刻（EUV）等尖端技术的演进与挑战。 本书的定位是成为一本兼具理论深度与实践指导价值的参考书。我们力求以清晰的逻辑结构，将复杂的光刻物理和化学过程分解，使得读者能够理解从光刻胶的分子设计到最终的图形转移过程中的每一个关键环节。 二、 核心内容模块详解 本书内容结构围绕光刻技术的核心流程展开，共分为六大部分： 第一部分：光刻技术基础与历史沿革 本部分为全书的理论基石。首先追溯了光刻技术自20世纪60年代诞生以来的发展脉络，重点阐述了摩尔定律（Moore’s Law）驱动下的尺寸不断微缩趋势。随后，详细介绍了光刻过程的基本流程图，包括表面准备、涂胶、曝光、显影、刻蚀和清洗等步骤。更重要的是，本章深入探讨了光刻所依赖的核心物理学基础，如衍射理论、夫琅禾费衍射与菲涅耳衍射在光刻成像中的应用，以及光刻分辨率的极限分析，明确了决定分辨率的关键参数——数值孔径（NA）和曝光波长（$lambda$）。 第二部分：光刻材料科学：光刻胶（Photoresist）的奥秘 光刻胶是实现图形转移的活性介质，其性能直接决定了光刻工艺的分辨率、对比度和套刻精度。本部分专注于光刻胶的化学结构、作用机理和分类。 化学放大抗蚀剂（CAR）原理： 详细解析了当前主流的化学放大型光刻胶，包括光致产酸剂（PAG）、聚合物基体、溶剂和添加剂的作用。重点解释了曝光过程中的光化学反应、酸的扩散与催化反应，以及显影过程中聚合物溶解速率的变化机制。 光刻胶性能表征： 介绍了评估光刻胶性能的关键指标，如敏感度（Sensitivity）、分辨率（Resolution）、粘滞性（Adhesion）和残余物（Outgassing）控制。 先进光刻胶的挑战： 讨论了面对短波长曝光时，光刻胶中存在的线边缘粗糙度（LER）、关键尺寸均匀性（CDU）和光学邻近效应（RIE Lag）等问题及其材料层面的解决方案。 第三部分：曝光系统与光学成像 曝光系统是光刻机的“心脏”，负责将掩模版上的图形精确转移至晶圆表面。本章聚焦于照明系统和投影系统的设计与优化。 照明系统： 详细解释了传统平行光照明、会聚光照明以及先进的数值孔径填充技术，如欠定相照明（Oblique Illumination）和高对比度光刻（HCL）技术。重点分析了不同照明模式对成像对比度和焦点深度的影响。 投影物镜（Projection Lens）： 讨论了投影物镜的光学设计要求，包括对色差、球差和像散的校正。阐述了如何通过多层抗反射镀膜（ARC）和提高数值孔径（NA）来增强成像性能。 掩模版（Mask）技术： 介绍了用于不同波长（如i线、KrF、ArF）的掩模版结构、制造工艺以及光掩模版上的图形与晶圆上图形之间的关系（如放大倍率）。 第四部分：关键工艺控制与优化技术 本部分深入探讨了提高光刻精度和产率的辅助工艺和校正技术。 光刻工艺流程控制： 涵盖了表面预处理（如HMDS处理）以确保光刻胶附着力，涂胶工艺（如旋涂、喷涂）的流体力学模型，以及匀胶均匀性的控制。 先进成像技术（Optical Proximity Correction, OPC）： 详细介绍了OPC的原理，包括为补偿衍射效应而对掩模版图形进行的预先设计调整，如添加助版结构（SRAFs）和“锤头”结构。 焦点与曝光剂量优化： 阐述了通过焦点扫描（Focus Monitoring）和剂量优化（Exposure Dose Optimization）来最大限度地增加工艺窗口（Process Window）的方法。 第五部分：进阶技术：浸润式光刻与EUV技术 随着技术节点的推进，传统干式光刻已达极限，本章重点介绍当前最前沿的两种技术。 浸润式光刻（Immersion Lithography）： 深入分析了利用高折射率液体填充物（通常是超纯水）以有效提高数值孔径（NA > 1.0）的物理原理。讨论了液滴控制、液体中的光传播、缺陷控制和清洗技术的复杂性。 极紫外光刻（Extreme Ultraviolet, EUV）： 作为下一代核心技术，本章详细介绍了EUV的独特挑战和解决方案。包括： 光源系统： 详细描述了激光等离子体光源（LPP）的产生机制、能量收集与滤波技术。 反射光学系统： 解释了在13.5 nm波长下必须使用多层膜镜（Multilayer Mirrors）替代透镜的原因，以及这些镜片的设计与制造精度要求。 真空环境与光刻胶： 讨论了EUV光刻必须在高度真空下进行的原因，以及EUV光刻胶的敏感度和线宽控制挑战。 第六部分：后光刻工艺与集成 光刻只是图形转移的第一步，本章连接了光刻与后续的材料去除和结构形成过程。 显影工艺： 介绍了湿法显影和干法显影的机理，重点是控制显影过程对光刻胶侧壁形状的影响（如“U”形或“T”形）。 刻蚀技术（Etching）： 简要概述了干法刻蚀（如反应离子刻蚀 RIE）的原理，阐述了光刻图形如何通过刻蚀工序被转移到衬底材料上，并强调了保持光刻CD控制在刻蚀过程中的重要性。 三、 目标读者与价值 本书适合以下群体： 1. 高校学生： 微电子、材料科学、光电工程等专业的本科高年级及研究生。 2. 研发工程师： 从事半导体集成电路（IC）、存储器（Memory）、微机电系统（MEMS）或先进封装的工艺开发人员。 3. 设备制造商： 从事光刻设备、光刻胶及相关化学品研发和制造的技术人员。 通过阅读本书，读者不仅能掌握光刻技术的核心理论，还能建立起对整个半导体制造流程中光刻环节的关键作用的深刻理解，为应对未来更精细化制造挑战打下坚实基础。本书的详实图表、案例分析和对前沿技术的剖析，确保了其作为行业内权威参考书的地位。

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