Microelectronics Circuit Analysis and Design pdf epub mobi txt 电子书下载 2026

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出版者:McGraw-Hill Science/Engineering/Math

作者:Donald Neamen

出品人:

页数:1392

译者:

出版时间:2006-2-21

价格:$ 211.31

装帧:Hardcover

isbn号码:9780073285962

丛书系列:

图书标签:

微电子学
电路分析
电路设计
模拟电路
数字电路
半导体
电子工程
集成电路
射频电路
MOSFET

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具体描述

This junior level electronics text provides a foundation for analyzing and designing analog and digital electronics throughout the book. Extensive pedagogical features including numerous design examples, problem solving technique sections, Test Your Understanding questions, and chapter checkpoints lend to this classic text. The author, Don Neamen, has many years experience as an Engineering Educator. His experience shines through each chapter of the book, rich with realistic examples and practical rules of thumb. The Third Edition continues to offer the same hallmark features that made the previous editions such a success. Extensive Pedagogy: A short introduction at the beginning of each chapter links the new chapter to the material presented in previous chapters. The objectives of the chapter are then presented in the Preview section and then are listed in bullet form for easy reference. Test Your Understanding Exercise Problems with provided answers have all been updated. Design Applications are included at the end of chapters. A specific electronic design related to that chapter is presented. The various stages in the design of an electronic thermometer are explained throughout the text. Specific design problems and examples are highlighted throughout as well.

电子学：从理论到实践的综合探索本书旨在为读者提供一个全面、深入的电子学基础知识体系，重点聚焦于半导体器件的工作原理、模拟电路与数字电路的设计方法以及系统层面的应用。全书结构严谨，内容覆盖面广，既有扎实的理论推导，又不乏贴近实际工程应用的案例分析。第一部分：半导体物理与器件基础本部分将从最基本的材料科学和量子力学原理出发，构建读者对半导体行为的深刻理解。我们将深入探讨能带理论、载流子输运机制（如漂移与扩散）以及PN结的形成与特性。随后，我们将详细剖析两大核心有源器件：双极性结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。对于BJT，我们将解析其Ebers-Moll模型，讨论其在不同工作区（截止、放大、饱和）的电流控制特性，并介绍其在小信号放大中的应用。对于MOSFET，我们将详尽阐述MOS结构的电容-电压特性，推导其长沟道模型，并分析短沟道效应带来的非理想行为。此外，还会涉及功率MOSFET和JFET的基本工作原理及其在开关应用中的优势。第二部分：模拟电路分析与设计模拟电路是实现信号处理、滤波、放大和振荡等功能的基础。本部分将建立一个坚实的模拟电路设计框架。放大器基础：我们将首先介绍小信号模型的构建方法，包括混合-$pi$ 模型，用以准确预测器件在小信号激励下的响应。随后，我们将系统地分析单级和多级放大器的增益、带宽和输入/输出阻抗。特别地，我们将深入研究共源、共射、共集（源极/射极跟随器）以及共栅（集电极共基）等基本组态的性能权衡。反馈理论与运算放大器（Op-Amp）：反馈是稳定和增强电路性能的关键。我们将详细阐述负反馈的四种基本拓扑结构（串联-串联、串联-并联、并联-串联、并联-并联），并应用波德图分析法来评估系统的稳定性和相位裕度。基于此理论，我们将深入剖析理想与非理想运算放大器的特性，并应用到积分器、微分器、有源滤波器（如Sallen-Key拓扑）的设计中。偏置与功放：晶体管的直流偏置是确保其在正确工作区稳定运行的前提。我们将介绍多种偏置电路的设计与分析，重点关注如何实现温度稳定的偏置点。在功率放大器部分，我们将对比甲类、乙类、甲乙类和丙类放大器的效率、失真和工作特性，并讨论散热设计的重要性。第三部分：数字电路与逻辑系统本部分聚焦于如何利用半导体器件构建处理离散信号的逻辑系统，是现代计算技术的核心。逻辑门与开关理论：我们将从CMOS反相器的静态和动态特性入手，分析其噪声容限、传播延迟等关键参数。随后，我们将扩展到基本逻辑门（NAND, NOR, XOR）的设计，并讨论静态CMOS逻辑、动态CMOS逻辑以及传输门的应用。组合逻辑电路：重点是逻辑函数的化简与实现。我们将运用布尔代数、卡诺图（K-map）和格雷码等工具，实现译码器、数据选择器、编码器和全加器等基本功能模块。时序逻辑电路：本节深入研究涉及存储元件的电路。我们将分析锁存器（Latch）和触发器（Flip-Flop，如SR, D, JK, T型）的工作机理，探讨其建立时间（Setup Time）和保持时间（Hold Time）的要求。在此基础上，我们将介绍寄存器、移位寄存器和异步/同步计数器的设计与工作时序图分析。第四部分：电路分析工具与系统集成为了应对复杂的工程问题，本部分强调应用数学工具和系统级思维。频率响应分析：我们将使用复频率s域的概念，通过极点与零点的分布来分析电路在不同频率下的行为。对于放大器，我们将确定单位增益频率（$f_T$）和米勒效应，并设计满足特定带宽要求的电路。开关电源与DC-DC转换器：现代电子系统高度依赖高效的直流电压转换。我们将详细分析开关模式电源（SMPS）的基本原理，包括脉冲宽度调制（PWM）的控制机制。重点讲解降压（Buck）、升压（Boost）和降压-升压（Buck-Boost）转换器的建模、占空比计算以及输出纹波的抑制技术。混合信号接口：介绍如何将模拟世界与数字世界连接起来。我们将探讨模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的架构（如逐次逼近、双积分型），分析其分辨率、量化误差和转换速度等关键指标。全书通过大量的图表、实例电路和详细的计算过程，确保读者不仅能够“知道”电路如何工作，更能够“设计”出满足特定技术指标的电子系统。学习者在完成本书内容后，将具备独立进行中等复杂度集成电路设计和系统级故障排除的能力。

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读后感

评分☆☆☆☆☆

本书错误层出不穷，尤其在习题部分。 TYU 3.7：VDD应该是7.5V TYU 3.10：答案的Vit和Vot应该交换 TYU 3.11：VI应该是2.5V TYU 3.13：应该增加条件VDD=5V EX 4.8：VGSQ应该是VDSQ EX 4.9：Kp=2mA/V^2 TYU 4.17：答案错了。。。。 EX 6.15：集电极静态电流应该是1.25mA（...

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