Microscopy of Semiconducting Materials pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:Springer Verlag

作者:Cullis, A. G. (EDT)/ Hutchison, J. L. (EDT)

出品人:

页数:600

译者:

出版时间:

价格:259

装帧:HRD

isbn号码:9783540319146

丛书系列:

图书标签:

• 半导体材料
• 显微镜
• 材料科学
• 电子显微镜
• 材料表征
• 半导体物理
• 纳米材料
• 薄膜材料
• 晶体结构
• 材料分析

晶体生长、结构与性能的探索：新一代半导体材料的机遇与挑战 导言 在信息技术飞速发展的浪潮中，半导体材料作为信息时代的基石，其性能的每一次突破都直接驱动着计算能力、通信效率和能源利用率的飞跃。传统的硅基技术虽然取得了辉煌成就，但在面对摩尔定律放缓、功耗瓶颈以及对更高集成度和特殊功能需求的压力时，新型半导体材料的研究与开发正成为全球前沿科技竞争的焦点。本书旨在系统梳理当前半导体材料科学领域中最具前瞻性和颠覆性的研究方向，聚焦于新颖晶体结构的设计、先进薄膜生长技术、界面工程的精妙调控，以及由此带来的光电器件和电子器件性能的革命性提升。我们将深入探讨从基础理论到尖端应用的完整链条，为材料科学家、器件工程师及相关领域的研究人员提供一份详尽的参考指南。 第一部分：前沿半导体材料体系的构建与筛选 本部分将聚焦于当前学术界和工业界关注的几大类“下一代”半导体材料，这些材料的设计逻辑不再局限于传统的窄带隙或宽带隙半导体，而是着眼于实现更优异的电荷输运特性、独特的光学响应或更低成本的制造工艺。 第一章：二维材料的范式革命 二维（2D）材料，尤其是基于过渡金属硫族化合物（TMDs）和石墨烯的衍生物，因其原子级的厚度和奇异的电子结构，正在重新定义半导体器件的最小尺寸极限。 单层与少层TMDs的能带工程： 详细分析 $ ext{MoS}_2$, $ ext{WSe}_2$ 等材料从块体到单层的能带结构变化，特别是其从间接到直接带隙的转变如何应用于高效发光二极管（LED）和光电探测器。讨论如何通过外加电场（Stark效应）或应变工程来精确调控其带隙。 异质结的构建与界面物理： 深入探讨范德华异质结（vdW heterostructures）的构建原理，即如何将不同材料（如 $ ext{MoS}_2$ 与 $ ext{hBN}$ 或 $ ext{WSe}_2$）精确堆叠以形成具有内置电场或新颖电子态的结构。分析界面电荷转移、能级对齐以及由此产生的隧道效应和电荷分离效率。 二维材料的掺杂与接触问题： 阐述在原子尺度上实现稳定、可控的p型和n型掺杂的技术挑战，以及如何优化金属电极与2D材料的接触电阻，这是实现高性能晶体管的关键瓶颈。 第二章：钙钛矿与非晶态半导体的新机遇 除了晶体材料，具有灵活结构和优异光吸收特性的钙钛矿和非晶态半导体材料也展现出巨大的潜力，尤其是在光伏和柔性电子领域。 有机-无机杂化钙钛矿的结构稳定性与缺陷钝化： 深入分析卤化物钙钛矿 ($ ext{ABX}_3$) 结构中的离子迁移和环境敏感性问题。重点探讨通过引入大分子有机阳离子或无机钝化剂来提高器件长期稳定性的最新策略。 非晶态氧化物半导体（IGZO）： 剖析氧空位在 $ ext{In-Ga-Zn-O}$ (IGZO) 中作为导电载流子来源的作用机制。研究不同退火气氛和组分比例对薄膜薄膜晶体管（TFT）迁移率、阈值电压稳定性和亚阈值摆幅的影响。 玻璃基底上的高性能集成： 探讨利用溶液法或低温物理气相沉积技术在柔性或玻璃基底上制备高质量非晶/多晶薄膜的可能性，及其在大型显示器和可穿戴设备中的应用前景。 第二部分：先进薄膜生长与精确界面控制技术 材料性能在很大程度上取决于其微观结构和晶体质量。本部分侧重于实现高结晶度、低缺陷密度薄膜所需的精密生长技术和原位表征手段。 第三章：原子层沉积（ALD）与分子束外延（MBE）的协同 ALD 和 MBE 是构建复杂多层结构和控制界面化学的两种核心技术。 ALD在原子级厚度控制中的应用： 详细介绍ALD的自限制性反应机理，并探讨其如何用于制备具有极高均匀性和共面性的超薄栅氧化物、高介电常数（High-k）材料以及原子级厚度的缓冲层。关注反应温度窗口、前驱体选择对薄膜形貌和化学组态的影响。 MBE在超晶格生长中的精度： 阐述 MBE 利用分子束的超高真空环境实现对生长速率的亚单层控制能力。重点讨论如何利用 RHEED（反射高能电子衍射）进行实时、原位监控，以精确控制界面锐度和超晶格周期。 新型前驱体化学与生长动力学： 探讨针对新型 III-V, II-VI 或氮化物半导体，如何开发出更稳定、反应活性适中的有机金属或氢化物前驱体，以优化低温或复杂化学环境下的生长质量。 第四章：异质结与缺陷工程：界面态的量化与调控 半导体器件的性能往往受限于材料界面处的缺陷态密度和电荷陷阱。 界面态密度的表征方法： 系统对比DLTS（深能级瞬态谱）、高频 $ ext{C-V}$ 测量以及光致发光（PL）衰减分析在量化界面陷阱密度和能级分布上的优缺点。 钝化技术的发展： 介绍针对特定材料体系（如 $ ext{GaAs}$ 或 $ ext{GaN}$）的表面钝化策略，包括使用氢化处理、等离子体刻蚀后处理、以及沉积 $ ext{Al}_2 ext{O}_3$ 或 $ ext{SiO}_2$ 等高介电常数材料作为隔离层的方法。 应变工程与晶格失配的优化： 讨论如何在异质结生长中，通过精确控制缓冲层厚度和外延层应变，来减少位错的形成和扩展，从而提高器件的载流子迁移率和击穿电压。 第三部分：器件应用与性能优化 本部分将连接材料科学的最新进展与实际器件的性能提升，重点关注高频电子学、高效率光电子学和功率电子学中的关键挑战。 第五章：高电子迁移率晶体管（HEMTs）的极限突破 HEMTs 是实现高功率、高频率通信的核心器件。新型半导体材料正在推动其性能迈向太赫兹（THz）频率范围。 $ ext{AlGaN/GaN}$ 系统的改进： 深入分析二维电子气（2DEG）的形成机制及其在 $ ext{AlGaN/GaN}$ 异质结构中的密度和电子有效质量。讨论如何通过 $ ext{GaN}$ 极性控制和台面结构设计来降低基态散射和提高击穿电场。 新型宽禁带半导体 HEMT： 探讨 $ ext{AlInAs/InP}$ 和 $ ext{AlGaN/AlN}$ 系统的优势。特别关注 $ ext{AlN}$ 基 HEMT 在更高温度下运行的潜力，以及如何通过优化 $ ext{AlN}$ 层组分来抑制漏电流。 高频下的载流子输运模型： 建立考虑空间电荷限制效应（SCLC）和陷阱辅助隧穿效应的先进输运模型，以预测和指导高工作频率下晶体管的性能优化。 第六章：新型光电器件中的量子效率提升 光伏、光电探测和激光器的效率受限于材料对光子的吸收、激子的产生与分离效率。 III-V族半导体的表面缺陷控制在激光器中的应用： 针对量子阱激光器（QW Lasers），研究室摩尔定律对有源区（如 $ ext{InGaAsP}$）的缺陷敏感性，以及如何通过改进外延界面来减少非辐射复合。 太阳能电池的多结结构与带隙匹配： 分析如何利用新型半导体材料（如 $ ext{InGaP}$ 或高组分 $ ext{InAs}$）来构建更优化的多结太阳能电池，以更好地匹配太阳光谱，最大限度地捕获光子能量。 探测器中的暗电流抑制： 在红外探测器中，分析由材料缺陷和界面态引起的暗电流的主要来源，并介绍通过超纯净材料生长和精确的欧姆接触设计来降低探测器噪声的工作原理。 结论与展望 本书的讨论清晰地表明，下一代半导体材料的研究正处于一个多学科交叉、技术快速迭代的关键时期。从原子尺度的晶体生长控制到宏观器件性能的优化，每一个环节都需要材料科学的深刻洞察力。未来的发展方向将更加侧重于材料的集成化、低能耗化以及功能化，特别是异质结的复杂堆叠和新颖电子态的发现，将是推动半导体技术持续前行的核心驱动力。

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