Digital Simulation In Electrochemistry pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:Springer-Verlag New York Inc

作者:Britz, Dieter

出品人:

页数:338

译者:

出版时间:

价格:$104.00

装帧:HRD

isbn号码:9783540239796

丛书系列:

图书标签:

• Electrochemistry
• Digital Simulation
• Electrochemical Simulation
• Modeling
• Computational Electrochemistry
• Electrode Processes
• Corrosion
• Batteries
• Fuel Cells
• Electrocatalysis

好的，以下是一份关于另一本未命名图书的详细简介，内容聚焦于一个与电化学数字模拟不直接相关的领域： 图书简介：高精度微纳结构制造中的光刻与刻蚀工艺深度解析 书名（暂定）： 纳米尺度光刻与反应性离子刻蚀：从理论到前沿应用的集成制造技术 --- 第一部分：微纳制造的基石——光刻技术的高级理论与实践 本书深入剖析了现代微电子、MEMS（微机电系统）以及光电子器件制造领域最为核心的光刻技术。我们超越了传统的光学成像原理介绍，着重探讨了极紫外（EUV）光刻、浸没式光刻（Immersion Lithography）以及下一代高数值孔径（High-NA）系统的理论基础和工程挑战。 第一章：光刻成像的衍射极限与超越 本章首先回顾了瑞利判据在光刻分辨率中的作用，随后详细阐述了傅里叶光学在解析光刻投影系统中的应用。重点关注“掩模边缘效应”（Mask Edge Effects）和“光刻胶的非线性响应”。我们不仅讨论了光刻掩模的制作精度对最终线宽的影响，还引入了先进的“OPC”（Optical Proximity Correction，光学邻近效应校正）技术，解析了基于算法的掩模优化流程，旨在弥补衍射效应造成的图像失真。 第二章：高分辨率光刻胶材料科学 光刻胶是实现高精度图形转移的关键。本章聚焦于先进的化学放大抗蚀剂（CAR）体系，特别是针对EUV波长的“聚合物敏感性、酸扩散控制与残余物最小化”的优化策略。书中详细对比了ArF液浸光刻胶与EUV光刻胶在敏感度、分辨率与刻蚀选择比方面的差异，并探讨了新型无金属光刻胶的可能性。 第三章：先进光刻系统的硬件与控制 本部分深入探讨了现代光刻机的复杂性。内容涵盖了高精度“步进扫描（Stepper/Scanner）”系统的运动控制、激光光源的稳定性控制（特别是EUV光源的锡等离子体产生与收集效率），以及先进的“在机量测”（In-Situ Metrology）技术，例如利用干涉仪实时监测晶圆与掩模的对准误差。此外，还特别分析了掩模清洗与缺陷检测对良率的决定性影响。 --- 第二部分：图形转移的精确控制——反应性离子刻蚀（RIE）的深度集成 图形转移的精度最终依赖于刻蚀工艺。本书将反应性离子刻蚀（RIE）提升至一个动态、等离子体控制的层面，而非简单的化学反应。 第四章：反应性离子刻蚀的等离子体物理学基础 本章建立了RIE工艺的物理模型。详细分析了电感耦合等离子体（ICP）源的特性，以及通过射频（RF）功率控制实现“离子能量分布函数（IEDF）”的调控。讨论了“离子碰撞理论”在反应腔内的应用，以及如何通过调整气体组分（如CF4/O2/Ar的比例）来控制刻蚀过程中的化学活性物质密度与离子轰击强度。 第五章：各向异性刻蚀的机理与过程控制 实现纳米级结构的垂直侧壁是微纳制造的圣杯。本章深入研究了“侧壁钝化与垂直刻蚀”的竞争机制。我们详细介绍了“黑化效应”（Black Silicon）的形成机理及其对刻蚀速率的影响。此外，对“脉冲式刻蚀”（Pulsed Etching）技术进行了专题讨论，该技术通过交替的注入和去除周期，有效控制了侧壁的侧向刻蚀，以实现接近1:1的剖面转移。 第六章：先进材料的刻蚀挑战与解决方案 随着器件结构的演进，刻蚀目标从单一硅材料扩展到复杂的异质结构。本章针对性地分析了： 1. 高深宽比（HARC）介质（如低k材料）的刻蚀： 重点讨论了如何避免“侧壁残留物”（Etch Residue）的产生，以及如何使用氟化物和氢化物等离子体实现高选择性刻蚀。 2. 金属互连的刻蚀（如钨、钴）： 分析了湿法清洗过程中对金属的损伤，并探讨了“自终止刻蚀”（Self-Limiting Etch）工艺在微小间隙中的应用。 3. III-V族半导体（如GaAs, GaN）的等离子体兼容性： 研究了如何利用自由基（Radicals）控制实现对III族材料的化学刻蚀优势，同时兼顾垂直度。 --- 第三部分：集成与前沿应用 本书的最后部分着眼于光刻与刻蚀的集成化制造流程，以及其在尖端技术中的最新应用。 第七章：先进节点制造中的工艺集成与挑战 在FinFET和GAA（Gate-All-Around）晶体管的制造中，光刻的“关键层”（Critical Layers）对整体器件性能至关重要。本章探讨了多重曝光（MEE）技术（如SADP/SAQP，自对准双图案/多图案）如何克服现有光源的限制，并分析了图案转移过程中由于应力集中导致的“光刻胶剥离与侧壁损伤”问题。 第八章：微纳光学器件与高精度刻蚀 本书的最终应用案例聚焦于光子集成电路（PIC）和光栅结构。高精度刻蚀是构建波导、光栅耦合器和光子晶体的关键。本章详细分析了如何通过“深度反应性离子刻蚀”（DRIE，特别是Bosch工艺的改进），在硅基底上实现具有极低表面粗糙度和极高深宽比的结构，从而确保光信号在微纳尺度下的低损耗传输。 总结： 《纳米尺度光刻与反应性离子刻蚀：从理论到前沿应用的集成制造技术》旨在为材料科学家、工艺工程师和研究生提供一个全面、深入的技术手册。本书强调从基础物理原理出发，连接到可实际操作的工艺窗口控制，是理解和掌握现代半导体和微纳制造核心技术的权威参考资料。它不仅仅是描述“如何做”，更深层次地阐述了“为什么这样做”和“如何将其做得更好”。

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