System-level Test And Validation Of Hardware/software Systems pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:Springer Verlag

作者:Reorda, M. Sonza (EDT)/ Peng, Zebo (EDT)/ Violante, M. (EDT)/ Sonza Reorda, M. (EDT)

出品人:

页数:179

译者:

出版时间:

价格:1305.00 元

装帧:HRD

isbn号码:9781852338992

丛书系列:

图书标签:

• 硬件测试
• 软件测试
• 系统测试
• 验证
• 硬件/软件协同验证
• 嵌入式系统
• 测试方法学
• 可靠性
• 功能安全
• 测试自动化

好的，以下是一份不包含您提到的那本书内容的图书简介，旨在详细介绍一个不同主题的工程或技术书籍。 --- 书名： 先进半导体制造工艺与器件可靠性深度解析 作者： [此处可填写虚构作者名或留空] 出版社： [此处可填写虚构出版社名或留空] 书籍简介 随着信息技术的飞速发展，集成电路（IC）已成为现代电子设备的核心驱动力。从智能手机到高性能计算（HPC），再到物联网（IoT）设备，芯片的性能、功耗和面积（PPA）持续受到严峻的挑战。本书《先进半导体制造工艺与器件可靠性深度解析》聚焦于当前半导体行业最前沿的制造技术和至关重要的可靠性工程，旨在为半导体研发工程师、工艺工程师、器件物理学家以及相关领域的研究生提供一本全面、深入且具有实践指导意义的参考手册。 本书内容紧密围绕半导体技术从前沿节点到实际应用中的关键瓶颈展开，其核心目标是揭示如何通过精密的制造流程和严格的质量控制，实现下一代高性能、高可靠性半导体器件的批量生产。我们避免了对基础半导体物理的冗长回顾，而是直接切入当代半导体技术面临的工程挑战。 第一部分：前沿制造工艺的演进与挑战 本部分深入探讨了自7nm节点以来，半导体制造工艺在光刻、薄膜沉积和刻蚀三大支柱技术中取得的突破及其伴随的难题。 1. 极紫外光刻（EUV）技术的成熟与挑战： 我们详尽分析了EUV光刻系统的工作原理，包括光源的产生、反射镜系统的像差控制、光刻胶的选择与反应机理。重点讨论了在纳米尺度下面临的线宽粗糙度（LWR）、随机缺陷（Stochastic Defects）的建模与抑制策略，以及多图案化技术（Multi-Patterning）在过渡阶段的应用及其对工序复杂度和成本的影响。 2. 先进薄膜沉积技术： 随着器件尺寸的缩小，原子层沉积（ALD）已不再仅仅是可选技术，而是成为了必需品。本书详细对比了等离子体增强型ALD（PEALD）和热ALD在介电常数（High-k）材料、金属栅极材料（如Ru, TaN）沉积中的优势与劣势。我们还讨论了选择性沉积（Selective Deposition）在实现高纵横比结构填充和减少侧壁腐蚀方面的最新进展。 3. 高精度刻蚀工艺的控制： 刻蚀是决定器件三维结构精确性的关键步骤。本章聚焦于深宽比（Aspect Ratio）极高的沟槽和接触孔的刻蚀，探讨了反应离子刻蚀（RIE）中离子能量分布、反应物流量比（Flow Ratio）对侧壁轮廓（Taper Angle）和均匀性的影响。此外，对先进的原子层刻蚀（ALE）技术在实现超精细等向性（Isotropic）控制方面的应用潜力进行了深入分析。 第二部分：新型晶体管结构与集成挑战 本部分关注在FinFET架构趋于极限时，新兴晶体管结构（如Gate-All-Around, GAAFET/Nanosheet FET）的制造难点和性能提升潜力。 1. GAAFET/Nanosheet的结构构建： 我们详细剖析了硅锗（SiGe）/Si多层膜的应变工程，以及如何通过选择性硅锗刻蚀（Selective Etching）来分离纳米片（Nanosheet）。书中提供了关于通道材料选择（如Si、SiGe、III-V族材料）对载流子迁移率影响的量化分析。 2. 极小尺寸下的载流子注入与势垒问题： 在极小尺寸下，源/漏极接触电阻和界面态密度成为限制器件性能的主要因素。本书探讨了先进的自对准接触（Self-Aligned Contact, SAC）技术如何最小化接触电阻，并评估了不同接触金属（如W, Co, Ru）在高温工艺下的可靠性表现。 3. 互连技术与先进封装的协同： 随着芯片尺寸的受限，互连线的电阻和电容（RC延迟）对整体性能的影响日益显著。本部分阐述了超低介电常数（Ultra Low-k）材料在多层金属堆叠中的应用，以及如何通过先进的3D集成技术（如混合键合 Hybrid Bonding）来解决信号延迟和热管理问题。 第三部分：器件可靠性与失效分析 可靠性是决定半导体产品生命周期和市场接受度的生命线。本部分专注于在先进工艺节点下，器件面临的特有可靠性风险及其应对策略。 1. 载流子注入诱导的可靠性问题（NBTI/PBTI）： 针对现代CMOS器件中普遍存在的负偏压/正偏置温度不稳定性（NBTI/PBTI），本书提供了基于物理模型预测界面电荷捕获和陷阱生成的定量分析方法。重点讨论了如何通过优化栅介质的界面质量来增强对这些效应的抵抗力。 2. 电迁移（Electromigration）与金属线的寿命预测： 在高电流密度和先进金属材料（如Cu）的应用下，电迁移成为了互连可靠性的核心挑战。本书介绍了Black’s方程的修正模型，并结合加速寿命测试（ALT）数据，为互连设计提供了基于风险的寿命评估框架。 3. 击穿机制与介电层退化： 探讨了薄膜介电材料（如High-k栅氧化物和衬底隔离层）的介质击穿（Dielectric Breakdown）机制，包括时间依赖性介电击穿（TDBI）和统计随机击穿。书中详细介绍了加速测试方法，如TDDB（时间依赖性介电耐压）测试，以及如何将测试数据转化为实际操作条件下的寿命预测。 4. 先进的失效分析技术（FA）： 本部分涵盖了用于纳米尺度器件的尖端失效分析工具。这包括聚焦离子束（FIB）的精修应用、扫描透射电子显微镜（STEM）的亚纳米级材料分析、以及光电注入（Photon Emission Microscopy, PEM）技术在定位漏电流和短路点上的应用。我们强调了非破坏性分析与破坏性分析的有机结合，以快速准确地定位潜在的制造缺陷。 目标读者群体 本书内容深度覆盖了半导体工艺研发的理论基础与工程实践的交叉点，非常适合： 半导体制造工艺工程师： 寻求优化现有制程参数，解决下一代节点（如2nm及以下）制造难题的专业人士。 器件设计与建模工程师： 需要理解制造工艺对器件性能和可靠性影响的设计人员。 半导体设备供应商与材料科学家： 致力于开发下一代光刻、刻蚀和薄膜沉积设备的研发人员。 高等院校相关专业的硕博士研究生： 作为半导体技术前沿课程的教材或参考书，提供扎实的理论支撑和前沿的案例研究。 通过对这些核心领域的系统性、深度性阐述，本书旨在帮助读者建立起从材料选择到最终产品可靠性评估的完整知识体系，推动集成电路技术向更高性能、更低功耗、更长寿命的目标迈进。

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