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具体描述
Fully updated with the latest technologies, this edition covers the fundamental principles underlying fabrication processes for semiconductor devices along with integrated circuits made from silicon and gallium arsenide. Stresses fabrication criteria for such circuits as CMOS, bipolar, MOS, FET, etc. These diverse technologies are introduced separately and then consolidated into complete circuits.
An Instructor's Manual presenting detailed solutions to all the problems in the book is available from the Wiley editorial department.
作者简介
Sorab K. Ghandhi is a professor Emeritus at Rensselaer Polytechnic Institute known for his pioneering work in electrical engineering and microelectronics education, and in the research and development of Organometallic Vapor Phase Epitaxy for compound semiconductors.
目录信息
02. Phase Diagrams and Solid Solubility------------69~101
03. Crystal Growth and Doping------------------------102~149
04. Diffusion------------------------------------------------150~257
05. Epitaxy--------------------------------------------------258~367
06. Ion Implantation---------------------------------------368~450
07. Native Films--------------------------------------------451~509
08. Deposited Films---------------------------------------510~586
09. Etching and Cleaning--------------------------------587~661
10. Lithographic Processes-----------------------------662~703
11. Device and Circuit Fabrication--------------------704~800
12. Appendix: The Mathematics of Diffusion
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读后感
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用户评价
这本书的书写风格非常独特，它既有学术著作的严谨性，又不失科普读物的可读性。我通常会先阅读引言部分，来了解作者写作的初衷和本书的核心价值。从引言中，我能够感受到作者对于 VLSI 制造领域的深厚感情和专业积累。我特别关注书中关于“光刻”的章节。我知道，光刻是制造集成电路中最关键、最复杂、也是成本最高的一个步骤，它直接决定了电路的图形尺寸和密度。我希望书中能够详细介绍不同代际的光刻技术，从紫外光刻到深紫外光刻（DUV），再到极紫外光刻（EUV）。书中是否会深入分析每种技术的光源、曝光系统、光刻胶以及掩模版等关键要素，并探讨它们在分辨率、精度和成本等方面的差异，这对我理解摩尔定律的演进和半导体技术的进步非常有帮助。此外，我对书中关于“刻蚀”的讨论也充满了兴趣。我知道，光刻完成后，就需要通过刻蚀来将图形转移到硅片上。我希望书中能够详细介绍湿法刻蚀和干法刻蚀的原理，特别是各种干法刻蚀技术，例如反应离子刻蚀（RIE）和电感耦合等离子体刻蚀（ICP）的优缺点。书中是否会提供不同材料刻蚀的实例，并分析如何通过调整刻蚀参数来获得所需的刻蚀轮廓和选择性，这对我解决实际工艺问题非常有指导意义。这本书的讲解方式，能够帮助我将理论知识转化为实际的工艺理解，为我未来的工作打下坚实的基础。
评分这本书的封面设计非常吸引人，主色调是沉静的蓝色，搭配着烫金的文字，给人一种专业而又不失高级感。刚拿到手的时候，我就被它厚实的纸张和精美的排版所吸引，这绝对是一本值得仔细品读的书籍。虽然我还没有深入阅读，但仅从外观和触感就能感受到作者和出版社在这本书上倾注的心血。我通常会花一些时间来浏览目录和索引，以期对书的内容有一个大概的了解。这次也不例外，目录的设计逻辑清晰，各个章节的标题都直击核心，让我对 VLSI 制造的整个流程有了初步的认知框架。例如，关于光刻的章节，标题就非常具体，提到了“深紫外光刻技术”和“下一代光刻技术展望”，这表明作者对行业前沿有着深刻的洞察，并且不会停留在基础知识的介绍。我尤其期待关于材料科学的部分，因为我知道 VLSI 制造的成功与否，很大程度上取决于所使用的材料的性能。书中可能涉及的各种半导体材料、绝缘材料、金属材料的特性和选择标准，对于理解整个工艺流程至关重要。同时，我也对书中关于工艺集成和良率控制的讨论很感兴趣，毕竟，理论知识最终要落到实际生产中，如何将复杂的工艺步骤有效地结合起来，并保证生产出来的芯片能够满足各项性能指标，这才是真正的挑战。这本书的字体大小和行距也都很适中，长时间阅读也不会感到疲劳，这对于一本技术类书籍来说，是非常重要的用户体验。总的来说，这本书给我的第一印象非常出色，它不仅仅是一本技术手册，更像是一扇通往微电子制造世界的大门，让我迫不及待地想要探索其中的奥秘。
评分这本书的深度和广度，远远超出了我最初的预期。我一直觉得，VLSI 制造是一个极其庞杂的系统工程，每一个环节都相互关联，牵一发而动全身。而这本书，似乎能够很好地将这些分散的知识点串联起来，形成一个完整的知识网络。我特别关注书中对“掺杂”这一基础但至关重要的过程的阐述。我知道，通过掺杂，我们能够改变半导体材料的导电特性，从而构建出各种半导体器件。书中很可能不仅仅是简单地介绍 p 型和 n 型掺杂，而是会深入分析不同掺杂剂（如磷、砷、硼）的扩散机理，以及它们在不同温度和时间下的分布情况。我还期待书中能够介绍更先进的掺杂技术，例如离子注入，以及如何通过能量和剂量的精确控制来获得所需的掺杂浓度和分布。同时，书中关于“氧化”的章节也引起了我的兴趣。我知道，在硅片表面形成高质量的二氧化硅层是 VLSI 制造中的关键步骤，这层氧化层既可以作为绝缘层，也可以作为光刻的掩膜。我希望书中能够详细介绍湿氧化和干氧化的区别，以及不同温度和气氛对氧化速率和氧化层质量的影响。此外，书中对“扩散”过程的讲解，我认为是理解掺杂和氧化等工艺的基础。我希望书中能够深入分析 Fick 定律在半导体掺杂和扩散过程中的应用，并探讨各种影响扩散速率的因素，例如温度、掺杂剂浓度梯度以及晶格缺陷等。这本书的价值在于，它不仅仅是传授知识，更重要的是培养我们对这些基本物理化学过程的深刻理解，这种理解能力，对于我们在面对复杂问题时，能够找到根本性的解决方案至关重要。
评分这本书的篇幅相当可观，这让我对书中内容的丰富性和系统性充满了信心。我通常会在阅读前，先仔细研究一下书中的图表和插图，因为在技术书籍中，直观的视觉信息往往比枯燥的文字更能帮助理解。这本书的插图和流程图设计得非常精美，清晰地展示了复杂的制造流程和微观结构，这对于我这样视觉型学习者来说，简直是太友好了。我尤其对书中可能出现的关于“外延生长”的讨论充满了期待。我知道，外延生长是获得高质量单晶薄膜的关键技术，它直接影响到后续器件的性能。我希望书中能够详细介绍化学气相沉积（CVD）等外延生长技术，包括其基本原理、反应机理以及影响外延层质量的各种因素，例如前驱体选择、生长温度、压力以及载气流量等。书中是否还会介绍外延生长过程中常见的缺陷，例如位错、层错以及颗粒污染物，并提供相应的解决方法，这对我来说非常实用。此外，我对书中关于“薄膜沉积”的章节也充满了兴趣。我知道，除了外延生长，还有很多其他的薄膜沉积技术，例如物理气相沉积（PVD）和原子层沉积（ALD）。我希望书中能够全面介绍这些技术，并分析它们在不同应用场景下的优劣势，以及如何根据具体需求选择合适的沉积方法。例如，ALD 技术以其优异的原子层控制能力，在制造超薄、均匀的绝缘层和金属层方面具有独特的优势，我非常期待书中对此有深入的探讨。这本书的图文并茂，让学习过程变得更加生动有趣，也更容易将复杂的概念内化于心。
评分这本书的出版，对于许多正在 VLSI 领域深耕或者即将踏入这个行业的工程师和研究人员来说，无疑是一份宝贵的礼物。我之所以这么说，是因为我发现书中对各个制造环节的阐述，并非简单的堆砌概念，而是充满了深入的分析和独到的见解。举个例子，书中可能对离子注入这个过程进行了详细的剖析，不仅仅是介绍其基本原理，更会深入探讨不同注入能量、剂量、离子种类对半导体材料晶格结构的影响，以及如何通过后续的退火工艺来修复损伤并激活掺杂。这种层层递进的讲解方式，能够帮助读者建立起一个完整而深刻的理解，而不是停留在表面。我还注意到，书中可能还会涉及一些目前行业内尚未完全成熟但发展潜力巨大的技术，例如，对 EUV 光刻机的深入分析，它不仅仅是技术上的一个飞跃，更是对整个半导体产业格局的一次重塑。作者很可能从光源技术、掩模版、光学系统等多个角度来阐述 EUV 的挑战和机遇，这对于想要了解行业未来发展方向的读者来说，具有极高的参考价值。此外，书中对晶圆缺陷的检测和控制的讨论，也是我非常看重的一部分。都知道，VLSI 制造是一个极其精密的流程，微小的缺陷都可能导致整个芯片报废，因此，掌握有效的缺陷检测技术和预防措施，对于提高生产效率和降低成本至关重要。我希望书中能提供一些具体的案例分析，说明不同类型缺陷的成因及其影响，并介绍一些先进的检测仪器和方法。这本书的严谨性和深度，预示着它将成为一本在 VLSI 制造领域长期被引用的经典著作，它不仅能解答读者心中的疑问，更能激发他们进行更深入的思考和研究。
评分这本书的精装设计，让我觉得它更像是一件艺术品，而非仅仅一本技术书籍。打开书本，扑面而来的是一种严谨而又生动的学术氛围。我通常会先翻阅书中的参考文献，来了解作者的研究背景和引用体系，这能帮助我评估书的学术价值和可信度。这本书的参考文献列表非常详实，涵盖了大量 seminal 的研究论文和行业报告，这表明作者在撰写本书时，做了大量的资料搜集和研究工作。我特别关注书中关于“清洁和表面处理”的章节。我知道，在 VLSI 制造的每一个步骤中，对硅片表面的清洁都至关重要，任何微小的污染物都可能导致器件失效。我希望书中能够详细介绍各种清洁方法，例如 RCA 清洁、臭氧清洁和化学机械抛光（CMP）后的清洁等，以及它们在去除不同类型污染物时的效果和适用性。书中是否会讨论各种清洁化学品的性能和安全性，以及如何优化清洁工艺以提高良率，这对我来说非常有价值。此外，我对书中关于“缺陷控制和良率提升”的章节也充满了期待。我知道，半导体制造是一个高复杂度的过程，良率是衡量一个工艺技术成熟度的重要指标。我希望书中能够深入分析各种可能导致器件失效的缺陷类型，例如晶体缺陷、工艺缺陷和材料缺陷，并介绍有效的缺陷检测和预防方法。书中是否会提供一些实际的案例分析，说明如何通过工艺优化和严格的质量控制来提高芯片的良率，这对我来说具有极高的参考价值。这本书的深度和广度，让我相信它将成为我在 VLSI 制造领域学习和实践的得力助手。
评分作为一名对半导体制造充满好奇的读者，这本书的出现，就像在茫茫知识海洋中找到了一盏指路明灯。我一直认为，VLSI 制造的成功，离不开对材料科学的深刻理解。这本书的书名本身就点明了这一点，而我从目录和章节标题中，也确实看到了对各种关键材料的详细阐述。我特别关注书中关于“硅”这一核心材料的讨论。我知道，高纯度的单晶硅是制造集成电路的基础，而如何获得高质量的硅晶圆，是整个制造链条的起点。我希望书中能够详细介绍硅的提纯方法，例如西门子法，以及硅单晶的生长技术，例如柴可拉斯基法（CZ 法）和区熔法（FZ 法）。书中是否还会讨论硅晶圆的各种参数，例如电阻率、晶向、缺陷密度，以及它们对器件性能的影响，这对我理解后续的工艺步骤非常有帮助。此外，我对书中关于“金属互连”的章节也充满了期待。我知道，随着集成度的提高，金属互连的尺寸越来越小，对材料的要求也越来越高。我希望书中能够详细介绍铜和铝等常用金属的互连技术，包括其沉积方法、图案化技术以及相关的可靠性问题，例如电迁移和空洞形成。书中是否会讨论如何通过优化互连线设计和材料选择来降低电阻和电容，从而提高芯片的性能和功耗，这对我来说具有极高的参考价值。这本书的专业性和严谨性，让我相信它能够为我打开一扇通往精密半导体制造世界的大门。
评分这本书的装帧设计简洁而现代，给人一种专业而可靠的感觉。我通常会花一些时间来浏览书中的附录和术语表，这些部分往往能为读者提供额外的帮助和参考。这本书的附录部分非常丰富，提供了很多有用的公式、常数和工程指南，这对于我们在实际工作中进行计算和设计非常有帮助。我尤其期待书中关于“工艺集成和模块化设计”的讨论。我知道，VLSI 芯片是由成千上万甚至数十亿个晶体管组成的复杂电路，如何将这些晶体管有效地连接起来，实现复杂的功能，是 VLSI 设计的核心。我希望书中能够详细介绍“自上而下”的设计流程，包括逻辑设计、电路设计、版图设计以及设计规则检查（DRC）和版图验证（LVS）等关键步骤。书中是否会讨论如何将不同的功能模块集成到一颗芯片上，以及如何进行模块之间的接口设计和验证，这对我理解现代集成电路的设计方法非常有帮助。此外，我对书中关于“EDA 工具和自动化设计”的介绍也充满了兴趣。我知道，现代 VLSI 设计高度依赖于电子设计自动化（EDA）工具，例如逻辑综合工具、布局布线工具和仿真工具等。我希望书中能够对这些工具进行简要的介绍，并说明它们在 VLSI 设计流程中的作用。书中是否会提及一些主流的 EDA 工具厂商和软件，并探讨如何有效地利用这些工具来提高设计效率和质量，这对我了解当前半导体设计行业的现状非常有启发。这本书的内容，将不仅仅是教授制造的原理，更重要的是引导我们理解整个 VLSI 生态系统的运作模式。
评分这本书的语言风格非常平实，没有过多华丽的辞藻，而是用最直接、最清晰的方式来阐述复杂的概念。我通常会先关注书中的一些关键术语的定义，确保自己对基本概念有清晰的理解。这本书的术语解释非常到位，并且在后续的章节中会不断地引用和深化。我特别关注书中关于“半导体器件物理”的基础知识。我知道，VLSI 制造的最终目的是为了制造出各种高性能的半导体器件，例如 MOSFET、BJT 等。我希望书中能够简要回顾这些器件的基本工作原理，以及它们在 VLSI 芯片中的作用。书中是否会深入探讨不同器件结构对性能的影响，例如沟道长度、栅极材料和掺杂浓度等，这对我理解后续的工艺选择非常有帮助。此外，我对书中关于“封装和测试”的章节也充满了兴趣。我知道，芯片制造完成后，还需要经过封装和测试才能最终交付给用户。我希望书中能够介绍各种封装技术，例如引线键合、倒装芯片等，以及它们在保护芯片、提供电气连接和散热方面的作用。书中是否会详细介绍芯片测试的流程和方法，例如功能测试、性能测试和可靠性测试，这对我了解芯片从制造到应用的整个生命周期非常有启发。这本书的实用性，能够帮助我将理论知识与实际应用相结合，为我在半导体行业的发展打下坚实的基础。
评分对于任何一个希望在半导体制造领域有所建树的人来说，理解“VLSI Fabrication Principles”这几个字所蕴含的知识体系，就如同建造摩天大楼需要扎实的工程原理一样至关重要。这本书的出现，填补了我对于一些概念模糊地带的空白。例如，我一直对金属化工艺中的互连线电阻和电容问题感到困惑，书中很可能就此进行了详细的数学建模和物理分析，解释了如何通过优化金属材料、线宽、间距以及使用低介电常数材料来降低这些寄生效应，从而提高芯片的性能。我对书中关于“化学机械抛光（CMP）”的章节尤其充满期待。我知道 CMP 是实现平面化和精确图形转移的关键步骤，但其背后的化学和机械协同作用非常复杂。我希望书中能够详细介绍 CMP 的原理，包括研磨液的化学成分、抛光垫的材料特性，以及它们如何协同作用来去除多余材料并实现原子级别的平面化。同时，书中可能还会探讨 CMP 过程中可能出现的各种问题，例如划痕、残留物以及过度的材料去除，并提供相应的解决方案。此外，我还对书中关于“刻蚀”的讨论很感兴趣，特别是干法刻蚀技术。我对等离子体刻蚀的机理，以及如何通过调整等离子体种类、功率、压力等参数来获得高选择性、高各向异性刻蚀图形非常好奇。书中是否会介绍例如反应离子刻蚀（RIE）或电感耦合等离子体刻蚀（ICP）等主流技术，并分析它们在不同材料刻蚀中的优劣势，这对我来说将非常有价值。这本书的讲解方式，我预感会是理论与实践相结合，不会仅仅停留在公式推导，而是会联系实际的工艺设备和参数设置，这对于我们这些在实际工作中需要解决问题的人来说，无疑是极大的福音。
评分《超大规模集成电路工艺原理》，电子工业出版社，1986年译本，二译江绵恒
评分图表详尽文笔读起来太费劲
评分《超大规模集成电路工艺原理》，电子工业出版社，1986年译本，二译江绵恒
评分《超大规模集成电路工艺原理》，电子工业出版社，1986年译本，二译江绵恒
评分《超大规模集成电路工艺原理》，电子工业出版社，1986年译本，二译江绵恒
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