ASIC芯片设计从实践到提高

ASIC芯片设计从实践到提高 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:中国电力
作者:池雅庆
出品人:
页数:236
译者:
出版时间:2007-6
价格:26.00元
装帧:
isbn号码:9787508353784
丛书系列:
图书标签:
  • 芯片设计
  • ASIC
  • 芯片设计
  • 数字电路
  • Verilog
  • FPGA
  • 集成电路
  • 半导体
  • 电子工程
  • EDA工具
  • 低功耗设计
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具体描述

本书结合具体的实例,对ASIC芯片设计开发的整个流程及各个阶段所使用的EDA工具进行了系统地介绍。全书共8章,分为4个部分:第1部分介绍了ASIC的基础知识和目前广泛应用的EDA工具;第2部分分别介绍了两种常用的集成电路设计语言Verilog HDL和VHDL;第3部分详细地阐述了ASIC设计的仿真验证及综合技术;第4部分主要介绍了布局布线技术。   本书既阐述了ASIC设计的基本理论,又结合实际的工程项目,给出了一些具体的例子,适合初学ASIC开发的技术人员阅读,也可作为高等院校相关专业本科生和研究生学习ASIC系统开发的参考书。

《集成电路制造工艺与设备:半导体产业的核心驱动力》 内容简介: 本书旨在深入剖析集成电路(IC)制造的每一个关键环节,从晶圆的制备到最终的芯片封装,全面揭示驱动着现代科技发展的半导体产业的幕后英雄。本书并非聚焦于集成电路的设计本身,而是将视角转向那些赋予设计蓝图生命、使其成为可用芯片的精细化、高科技制造过程。读者将踏上一段探索微观世界的旅程,理解一块小小的硅片如何通过一系列复杂而严谨的物理和化学反应,演变成承载着无数计算能力和功能的器件。 第一篇:基础原料与晶圆制造 在任何IC制造的起点,都是高纯度材料的准备。本篇将详细介绍半导体制造中最核心的材料——硅。我们将追溯硅的提纯过程,从原材料石英砂开始,经过冶炼、区域熔炼等关键步骤,最终获得高纯度的多晶硅。随后,深入讲解如何将这些多晶硅转化为具有特定晶向的单晶硅棒,即“晶棒”。这一过程的精准控制,直接影响到后续制造出的芯片的性能和可靠性。 晶棒被切割成薄片,形成了我们熟知的“晶圆”。本篇将重点阐述晶圆的生长技术,例如直拉法(Czochralski method)和区熔法(Floating Zone method),并讨论影响晶圆直径、厚度、平整度以及表面质量的关键工艺参数。此外,还将介绍晶圆的抛光工艺,如化学机械抛光(CMP),以达到原子级的平整度,为后续的光刻等工艺奠定坚实基础。晶圆的完整性和纯度,是决定整个芯片良率的首要因素。 第二篇:光刻技术——微观世界的雕刻艺术 光刻是集成电路制造中最具标志性也最为关键的工艺之一。本篇将全面解析光刻的原理、设备和材料。我们将从基础的光学原理出发,介绍掩模版(Mask)的作用,它如同设计图的“印章”,将电路图案精确地转移到晶圆表面。 详细介绍不同代际的光刻技术,从早期的g线、i线光刻,到深紫外(DUV)光刻,再到当前最前沿的极紫外(EUV)光刻。每一代技术的进步都伴随着光源波长的大幅缩短、数值孔径(NA)的提升以及光学系统的优化,从而能够绘制出更精细的图形。本书将深入探讨曝光机的核心组成部分,包括光源、照明系统、物镜系统和对准系统,并解释其工作流程。 光刻胶(Photoresist)是光刻工艺中的关键材料。本篇将介绍不同类型光刻胶的化学原理,如正性光刻胶和负性光刻胶,以及它们如何响应紫外光而发生化学变化。同时,还将详细阐述光刻胶的涂布、显影、刻蚀等一系列辅助工艺,以及这些工艺的优化对图形质量的影响。读者将了解到,光刻不仅仅是简单的“曝光”,而是一门融合了光学、化学、材料学和精密机械的综合性技术。 第三篇:薄膜沉积与材料工程 在晶圆表面构建复杂的电路结构,需要逐层添加和去除各种功能性薄膜。本篇将深入探讨各种关键的薄膜沉积技术。 物理气相沉积(PVD)是其中一种重要技术,包括溅射(Sputtering)和蒸发(Evaporation)。本书将详细介绍不同PVD技术的设备结构、工作原理以及它们在金属互连、阻挡层等薄膜沉积中的应用。读者将理解如何通过控制溅射功率、气体压力、基板温度等参数,来实现薄膜的均匀性、致密性和附着力。 化学气相沉积(CVD)是另一种广泛应用的沉积技术,包括低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)等。本篇将深入分析CVD反应机理,以及各种CVD技术的优缺点。我们将探讨如何通过控制反应气体、温度、压力和等离子体参数,来沉积氮化物、氧化物、多晶硅和金属薄膜等,并阐述其在绝缘层、介电层和导电层构建中的重要作用。 此外,原子层沉积(ALD)作为一种具有原子级精度控制的沉积技术,也将在本篇中得到详细介绍。ALD的逐层沉积机理和其在超薄、超密薄膜制造中的优势,尤其是在先进逻辑器件和存储器中的应用,将得到深入探讨。 第四篇:刻蚀工艺——精准去除的艺术 刻蚀是IC制造中用于选择性地去除晶圆表面不需要的薄膜,以形成预定电路图案的关键步骤。本篇将详细解析刻蚀的原理、设备和工艺。 干法刻蚀(Dry Etching)是当前主流的刻蚀技术,尤其是反应离子刻蚀(RIE)。本书将深入分析RIE的工作原理,包括等离子体的产生、离子的轰击作用和化学反应的协同效应。我们将详细介绍刻蚀腔体的结构、气体种类(如含氟、含氯气体)、射频功率、压力、温度等工艺参数对刻蚀速率、各向异性(Verticality)和选择性(Selectivity)的影响。读者将了解到,实现高精度、高深宽比(High Aspect Ratio)的刻蚀是制造先进芯片的挑战之一。 湿法刻蚀(Wet Etching)虽然在某些场合仍有应用,但其各向同性(Isotropy)强的特点限制了其在精细图形制造中的使用。本篇也将对湿法刻蚀的原理、常用的腐蚀液以及其适用范围进行简要介绍。 第五篇:离子注入与退火——材料性质的重塑 离子注入是用于改变半导体材料导电类型和掺杂浓度的关键工艺。本篇将深入介绍离子注入的原理和设备。我们将讲解如何通过加速的离子束轰击晶圆表面,将特定杂质原子(如磷、砷、硼)精确地注入到硅衬底的特定区域。本书将详细阐述离子能量、剂量、扫描方式、基板温度等参数对注入深度的分布、杂质浓度的均匀性和注入缺陷的影响。 退火工艺是离子注入后必不可少的步骤,用于激活注入的掺杂剂,修复离子轰击造成的晶格损伤,并促进杂质原子的扩散。本篇将介绍不同类型的退火工艺,如快速热退火(RTA)和炉管退火。我们将探讨退火温度、时间、气氛等工艺参数对掺杂剂激活率、扩散 profile 和晶体损伤修复的效果。先进的退火技术,如激光退火,也将被纳入讨论范围。 第六篇:互连技术与金属化 现代IC芯片内部的晶体管需要通过复杂的导线网络进行连接,实现信号的传输和电源的分配。互连技术是实现这一目标的关键。本篇将聚焦于芯片的金属化过程。 早期芯片主要采用铝(Al)作为互连材料,本书将简要介绍铝的溅射沉积和刻蚀工艺。然而,随着芯片性能的提升和集成度的提高,电阻率更低的铜(Cu)逐渐成为主流。本篇将重点介绍铜互连的制造工艺,包括铜的电化学沉积(ECD)和化学机械抛光(CMP)技术,以及如何通过阻挡层(如TaN)来防止铜的扩散。 多层金属互连的构建是现代芯片设计的核心。本书将详细介绍如何通过介电层的沉积、刻蚀通孔(Via)和接触孔(Contact Hole),然后填充金属,形成层与层之间的连接。低介电常数(Low-k)材料在多层金属互连中的作用,以降低RC延迟,提高芯片速度,也将得到深入讨论。 第七篇:集成与测试 所有的制造工序完成后,晶圆上已经集成了成千上万个甚至数百万个芯片。本篇将介绍集成电路制造的最后阶段——测试。 晶圆测试(Wafer Sort)是在晶圆状态下对每一个芯片进行电学性能的初步检测。本书将介绍晶圆测试的设备,如探针台(Probe Card),以及常用的测试方法,如直流测试、交流测试和功能测试。测试的目的是识别出不合格的芯片,并进行标记,以便后续的切割和封装过程。 第八篇:封装技术——保护与连接的桥梁 芯片制造的最后一步是封装,它将裸露的芯片与外部世界连接起来,并提供物理保护。本篇将全面介绍各种主流的封装技术。 我们将从传统的引线框架封装(Leadframe Package)开始,介绍引线键合(Wire Bonding)工艺,这是将芯片上的焊盘与封装引脚连接起来的关键技术。 随着对芯片性能、散热和体积要求的不断提高,倒装芯片(Flip-chip)技术逐渐成为主流。本书将详细介绍倒装芯片的原理,包括焊球(Solder Bump)的制备、芯片的翻转和回流焊接。 先进封装技术,如晶圆级封装(WLP)、扇出型晶圆级封装(FOPLP)和三维集成(3D IC)技术,也将在本篇中得到深入介绍。这些技术通过在晶圆级别进行封装,或者将多个芯片堆叠起来,极大地提高了集成度和性能,同时减小了封装尺寸。 第九篇:半导体制造中的质量控制与良率提升 贯穿于整个IC制造过程的,是对质量的严苛追求和对良率的不断提升。本篇将探讨影响芯片良率的关键因素,并介绍相应的质量控制和提升策略。 我们将分析在晶圆制造、光刻、刻蚀、沉积等各个环节可能出现的缺陷类型,如颗粒、划痕、尺寸偏差、化学残留等,以及这些缺陷对最终芯片性能的影响。 本书将介绍各种质量检测手段,包括光学检测、电子束检测(E-beam inspection)和原子力显微镜(AFM)等,以及它们在不同制造阶段的应用。 良率提升(Yield Enhancement)是半导体制造的核心竞争力。我们将探讨如何通过工艺优化、设备维护、洁净室管理、材料控制以及失效分析等手段,来系统性地提高芯片的生产良率。 第十篇:半导体制造设备与产业发展 集成电路制造是一个高度依赖先进设备和技术的产业。本篇将聚焦于支撑IC制造的各种关键设备,并探讨整个半导体制造产业的发展趋势。 我们将回顾和介绍在本书各篇中提到的主要设备类型,如光刻机、刻蚀机、沉积设备、离子注入机、检测设备等,并讨论这些设备的技术壁垒和市场格局。 最后,本篇将展望半导体制造技术的未来发展方向,包括更小的工艺节点、新的材料应用、异构集成、人工智能在制造中的应用以及可持续制造等议题。 总结: 《集成电路制造工艺与设备:半导体产业的核心驱动力》为读者提供了一个全面而深入的视角,去理解一块小小的硅片如何历经无数精密的制造步骤,最终成为驱动我们数字世界的强大心脏。本书强调的是“如何制造”,而非“如何设计”,旨在帮助读者理解半导体产业背后的技术深度和工程挑战,认识到每一颗芯片的诞生,都凝聚着人类智慧和汗水的结晶。无论你是对半导体行业充满好奇的学生,还是希望深入了解制造流程的工程师,本书都将为你提供宝贵的知识和深刻的洞察。

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