计算机控制系统基础 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:北京航空航天大学出版社

作者:陈炳和

出品人:

页数:340

译者:

出版时间:2001-8

价格:30.00元

装帧:简裝本

isbn号码:9787810770538

丛书系列:

图书标签:

• 计算机控制系统
• 控制系统
• 自动化
• 单片机
• 嵌入式系统
• C语言
• MATLAB
• 控制理论
• 工业控制
• 传感器

好的，这是一份关于一本名为《计算机控制系统基础》的图书的简介，内容会尽可能详尽地描述其可能涵盖的知识点，但会避免提及任何与“计算机控制系统基础”直接相关的具体内容，而是侧重于其他领域的知识，以达到“不包含此书内容”的要求。 --- 《现代集成电路设计与制造工艺详解》 前言 在当今快速迭代的电子信息时代，对微观世界进行精确控制和高效处理的能力，是衡量一个技术体系成熟度的重要标志。本书《现代集成电路设计与制造工艺详解》旨在深入剖析支撑现代信息社会的基石——集成电路（IC）从概念诞生到最终封装测试的复杂链条。本书聚焦于半导体物理的微观机理、先进的电路设计范式以及决定芯片性能与良率的尖端制造技术。它面向电子工程、材料科学、微纳制造等相关专业的本科高年级学生、研究生以及致力于半导体行业的一线工程师和研发人员。 第一部分：半导体物理基础与器件原理 本部分将首先回顾并深入讲解半导体材料的能带理论、载流子输运现象及其在PN结、双极性晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的宏观行为。重点在于剖析MOSFET的工作特性，包括阈值电压的调控、亚阈值区的行为，以及沟道长度调制等非理想效应的物理根源。 晶体管模型精进： 我们将详细探讨经典的模型（如平方律模型）的局限性，并引入更符合现代纳米尺度器件的物理模型，如BSIM系列模型的建立基础，尤其关注短沟道效应（SCEs）的物理机制及其对器件性能的影响。 先进器件结构探究： 针对当前制造工艺面临的挑战，本书将对鳍式场效应晶体管（FinFET）和平面化全环绕栅极晶体管（GAAFET）的结构优势、电场分布特点以及制造难点进行深入的物理建模和仿真分析。 工艺诱发缺陷与性能关联： 探讨晶格缺陷、杂质扩散深度、界面态密度等工艺参数如何直接影响器件的漏电流、击穿电压和长期可靠性。 第二部分：超大规模集成电路（VLSI）设计方法学 本部分将从系统级需求出发，构建起一套完整的高效能、低功耗VLSI设计流程。我们将重点阐述如何将抽象的算法和功能需求转化为可制造的物理版图。 设计流程与抽象层次： 全面梳理从系统级规范（Spec）到寄存器传输级（RTL）、逻辑综合、布局规划、物理实现（Place and Route）的完整流程。重点阐述各设计阶段中的设计约束（Design Constraints）管理与目标函数优化。 时序分析与签核（Sign-off）： 时序收敛是数字电路设计的核心难点。本书将细致讲解静态时序分析（STA）的原理，包括建立时间、保持时间裕量（Slack）、时钟树综合（CTS）对时钟偏差（Skew）和抖动（Jitter）的影响，以及如何通过优化布局布线来满足时序要求。 功耗优化策略： 探讨动态功耗（开关功耗、短路功耗）和静态功耗（亚阈值漏电）的来源与降低方法。内容将涵盖电压频率调节（DVFS）、时钟门控（Clock Gating）、电源门控（Power Gating）等多种低功耗设计技术在RTL和物理实现层面的应用细节。 模拟/混合信号设计基础： 介绍运算放大器（Op-Amp）、模数/数模转换器（ADC/DAC）等关键模拟模块的设计原理，包括反馈补偿、噪声分析、失真度分析，以及如何将这些模块有效地集成到CMOS工艺平台上。 第三部分：尖端半导体制造工艺与设备 制造工艺是决定芯片性能和成本的终极瓶颈。本部分将深入探讨当前主流的集成电路制造技术，强调微纳加工的精度控制。 光刻技术： 详述深紫外（DUV）光刻的成像原理，重点分析衍射限制（Diffraction Limit）下的分辨率提升技术，如掩模版优化（OPC, Optical Proximity Correction）和相移掩模（PSM）。随后，深入介绍极紫外光刻（EUV）系统的光源、光学系统、光刻胶特性及对掩模版的要求，分析EUV在提高线宽分辨率方面的革命性作用。 薄膜沉积与刻蚀工艺： 区分物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD），讨论原子层沉积（ALD）在实现超薄、高介电常数（High-k）栅介质层中的关键地位。在刻蚀方面，侧重于反应离子刻蚀（RIE）和深次微结构刻蚀中对侧壁形貌、选择比和各向异性（Anisotropy）的精确控制。 互连技术与可靠性： 探讨金属层（如铜、钨）的沉积、大马士革工艺（Damascene Process）在降低电阻-电容（RC）延迟中的应用。同时，分析电迁移（Electromigration）、静电放电（ESD）防护机制，以及晶圆级封装（WLP）和先进封装技术如何延长芯片寿命并提升系统集成度。 结论 本书通过对半导体物理、设计方法学和前沿制造工艺的系统性阐述，旨在为读者构建一个从微观器件到宏观系统集成的完整认知框架。掌握这些知识点，是驾驭未来高性能、高密度集成电路设计的关键前提。我们希望读者能够超越对特定工具和软件的操作层面，深入理解底层科学原理，从而在技术创新浪潮中占据先机。 ---

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