无线发送/接收IC芯片及其数据通信技术选编1 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

简体网页||繁体网页

☆☆☆☆☆

出版者:北京航空航天大学出版社

作者:李朝青

出品人:

页数:575

译者:

出版时间:2003-5-1

价格:55.00元

装帧:平装(无盘)

isbn号码:9787810772662

丛书系列:

图书标签:

• 无线通信
• 射频IC
• 数据通信
• 芯片选型
• 无线接收
• 无线发送
• 电子工程
• 通信技术
• 嵌入式系统
• 微电子

现代集成电路设计与应用前沿 本书旨在全面深入地探讨当代集成电路设计领域的前沿技术、关键理论与实际应用案例，重点聚焦于面向高性能、低功耗和高集成度系统的创新解决方案。 本书内容涵盖了从器件物理到系统级集成的多个层面，力求为读者构建一个坚实而全面的微电子技术知识体系。 第一部分：先进半导体器件物理与建模 本部分深入剖析了当前主流和新兴半导体器件的工作原理、物理极限以及先进制造工艺对其特性的影响。 第一章：CMOS工艺演进与短沟道效应 详细阐述了从亚微米到纳米尺度的CMOS晶体管结构演变，包括应变硅技术（Strained Silicon）、高K/金属栅（HKMG）的引入及其对器件性能的提升机制。深入分析了短沟道效应的物理根源，如DIBL、漏致势垒降低和亚阈值摆幅（SS）退化，并探讨了SOI（绝缘体上硅）技术在抑制这些效应中的作用。 第二章：新型晶体管结构 着重介绍了为克服传统平面MOSFET局限性而开发的新型器件架构，包括鳍式场效应晶体管（FinFET）的三维结构优势、工作机理及其在提供更优异的短沟道控制能力和亚阈值特性方面的表现。此外，还探讨了超薄体SOI（UTB-SOI）和隧道场效应晶体管（TFET）等下一代器件的物理基础、设计挑战与潜在应用。 第三章：半导体器件的先进建模与仿真 系统介绍了用于精确描述器件特性的物理模型，包括BSIM系列模型的发展脉络与关键参数的提取方法。重点讲解了如何利用TCAD（半导体器件计算机辅助设计）工具进行器件结构的优化设计与电学特性的仿真预测，包括热载流子效应、电场分布和可靠性分析（如NBTI/PBTI）。 第二部分：模拟与射频集成电路设计 本部分聚焦于对精度、线性度和噪声性能要求极高的模拟和射频电路的设计方法与优化策略。 第四章：高精度模拟电路设计技术 详细讨论了低噪声放大器（LNA）、跨导放大器（OTA）以及高分辨率模数/数模转换器（ADC/DAC）的设计要点。重点阐述了失调电路（Mismatch）的建模与抑制技术，如共质心布局、匹配技术，以及提高线性度（如引入负反馈、消除高阶谐波失真）的线性化设计技巧。对开关电容电路和数据转换器的系统级噪声分析进行了深入探讨。 第五章：射频电路与系统集成 全面覆盖了从基带到毫米波频段的射频电路设计挑战。内容包括振荡器的相位噪声分析与抑制、混频器的非线性特性与噪声系数优化、功率放大器（PA）的效率提升技术（如Doherty、Cartesian反馈结构）。探讨了片上无源器件（电感、电容）的寄生效应建模与补偿方法，以及如何在高Q值设计与芯片面积之间进行权衡。 第六章：低功耗电路设计与电源管理 阐述了实现超低功耗系统所需的关键电路设计策略。包括亚阈值偏置（Subthreshold Operation）的原理与限制、电压/频率调节（DVFS）技术在功耗管理中的应用。深入分析了高性能低压差线性稳压器（LDO）的设计，侧重于瞬态响应、带宽与PSRR的优化；并介绍了开关型DC-DC转换器的拓扑结构、控制环路设计与电磁兼容性（EMC）考虑。 第三部分：数字电路与系统级验证 本部分关注大规模数字电路的设计流程、时序分析以及系统级验证方法学。 第七章：超深亚微米数字设计与时序分析 详细讲解了同步数字设计的时钟树综合（CTS）技术，包括时钟偏斜（Skew）和时钟抖动（Jitter）的精确分析与控制。深入探讨了静态时序分析（STA）的原理，包括建立时间（Tsu）和保持时间（Th）的计算，以及对工艺、电压和温度（PVT）角变化的裕量分析。重点介绍了先进的布线拥塞（Congestion）预测与缓解策略。 第八章：低功耗数字设计技术 系统介绍了降低数字电路动态功耗和静态功耗的方法。动态功耗管理方面，包括时钟门控（Clock Gating）、电源门控（Power Gating）的自动插入与验证流程。静态功耗方面，则探讨了多阈值电压（Multi-Vt）分配策略、保持电路（Retention Flip-Flops）的设计与功耗隔离单元的实现。 第九章：硬件描述语言与高层次综合（HLS） 本书强调现代设计流程中对硬件描述语言（VHDL/Verilog/SystemVerilog）的熟练掌握，特别是其在设计验证和形式化验证中的应用。同时，系统介绍了高层次综合（HLS）工具的工作流程，如何利用C/C++等高级语言描述算法，并自动生成优化后的RTL代码，从而加速设计迭代和验证周期。 第四部分：集成电路可靠性与先进封装技术 本部分着眼于芯片全生命周期中的可靠性保障以及后摩尔时代下的系统集成趋势。 第十章：集成电路可靠性工程 全面分析了影响芯片长期可靠性的关键因素，包括热应力导致的电迁移（EM）、黑箱效应（BTI/HCI）的物理机制及设计应对措施。详细阐述了辐射效应（Single Event Effects, SEE）在SoC中的影响及加固技术，以及ESD（静电放电）保护电路的设计标准与防护网络。 第十一章：先进封装与异构集成 探讨了超越传统平面封装的先进集成技术，如2.5D（2.5维）和3D（3维）集成。重点分析了硅中介层（Interposer）技术在解决高带宽I/O瓶颈中的作用，以及3D堆叠中TSV（硅通孔）的制造工艺、电气特性和热管理挑战。讨论了Chiplet（小芯片）架构在实现高复杂度、高良率系统中的潜力与设计协同。 总结与展望 本书内容紧密围绕高性能计算、物联网（IoT）和通信系统对集成电路提出的严苛要求，为读者提供了从半导体器件到复杂系统集成的全面技术视角。全书内容基于前沿的学术研究和工业实践，旨在培养读者解决实际工程问题的能力，预见未来微电子技术的发展方向。

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆