具体描述
本书从人的发音机理和听觉机理出发，以信号模型为基础，在介绍现代信号分析和压缩编码的基本理论之后，沿着激励和声道两条线逐步深入研究，以标准算法为范例，系统地阐述了语音信号压缩编码的基本原理。读者可以沿着这两条线看到各个阶段有代表性的语音信号压缩编码（声码器）的算法分析和典型设备的构成。由于书中收集了大量的实际参数和图表，因此具有较强的可操作性和参考价值。全书共分12章。前5章是语音信号、信号模型和语音信号数字处理的基础知识，后7章是语音信号编码和各种典型的（公布的各种标准）压缩编码算法分析。每章后附有复习思考题或习题，供复习巩固之用。另附有参考文献供深入研究考证。书末附有英汉名词对照，供阅读外文资料时参考。本书可作为高等学校理工科通信和信息处理及相关专业的高年级本科生和（硕士、博士）研究生的教材和参考书，也可供相关专业的工程技术人员和科研人员参考。
电子器件原理与应用 作者： 张伟，李明 出版社： 科技出版社 ISBN： 978-7-5045-9876-5 --- 内容简介 《电子器件原理与应用》是一部全面、深入探讨现代电子学核心——半导体电子器件工作原理、特性及其在各类电路中应用的权威教材与参考手册。本书旨在为电子工程、微电子学、通信工程及相关专业的学生、工程师和研究人员提供坚实的理论基础和丰富的实践指导。全书结构严谨，内容详实，力求在阐述复杂的物理机制时，兼顾工程应用的实际需求。 第一部分：半导体物理基础 本书的开篇部分，我们首先聚焦于理解电子器件运作的根基——半导体材料的物理特性。 第一章：半导体材料基础 本章详细介绍了本征半导体和杂质半导体（N型和P型）的载流子浓度、费米能级等关键概念。深入探讨了晶体结构、晶格振动对电子行为的影响，以及能带理论如何解释导体、绝缘体和半导体的根本区别。我们着重分析了温度对载流子浓度的影响，并引入了漂移电流和扩散电流的概念，为后续理解PN结特性打下基础。此外，还简要介绍了硅、锗等常用半导体材料的提纯和生长工艺。 第二章：载流子输运现象 本章是理解器件动态特性的关键。我们首先从微观层面分析了电子和空穴的运动规律，包括它们的有效质量、迁移率。重点阐述了扩散过程的物理机制，通过菲克定律（Fick's Laws）描述了载流子在浓度梯度下的运动。随后，详细分析了漂移电流，即在电场作用下产生的定向运动。本章还涵盖了复合（Recombination）和产生（Generation）过程，包括俄歇复合（Auger Recombination）和陷阱辅助复合（Trap-Assisted Recombination），这些是影响器件寿命和效率的重要因素。 第二部分：基本半导体器件 本部分是全书的核心，系统地介绍了最基础和最重要的电子器件——PN结、二极管和晶体管。 第三章：PN结理论 本章深入剖析了PN结的形成过程、能带图的变化以及内建电场的形成。我们详细推导了零偏、正偏和反偏条件下结区的宽度、势垒高度和电容特性。重点讨论了雪崩击穿（Avalanche Breakdown）和齐纳击穿（Zener Breakdown）的物理机制及其在稳压电路中的应用。此外，本章还介绍了肖特基势垒（Schottky Barrier）的形成原理及其与PN结的对比。 第四章：半导体二极管 基于第三章的PN结理论，本章讲解了各种实用二极管的工作原理和特性曲线。除了标准的整流二极管，我们还详细介绍了： 1. 稳压管（Zener Diode）： 结构、V-I特性、动态电阻及其在电源稳压电路中的设计考量。 2. 发光二极管（LED）： 电致发光原理、量子效率、封装技术及在显示和照明中的应用。 3. 光敏二极管（Photodiode）： 光电导效应、响应速度、噪声特性及其在光通信和传感中的应用。 4. 变容二极管（Varactor Diode）： 利用结电容随反偏电压变化的特性，在振荡电路和混频器中的应用。 第五章：双极型晶体管（BJT） 本章全面解析了双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）的工作原理，包括NPN和PNP结构。 1. 工作区分析： 详细区分了放大区（有源区）、截止区和饱和区，并推导了不同工作状态下的集电极电流表达式（Ebers-Moll模型基础）。 2. 小型信号模型： 介绍了混合$pi$模型和T模型，用于分析晶体管在低频和高频下的交流信号放大特性。 3. 直流偏置与稳定： 深入探讨了各种偏置电路（如分压式偏置、发射极反馈偏置）的设计方法，确保晶体管工作点稳定，不受温度和$eta$值变化影响。 4. 高频特性： 引入了米勒效应和极点分析，解释了晶体管的频率响应极限。 第六章：场效应晶体管（FET） 本章聚焦于以栅极电压控制电流的场效应晶体管，包括结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。 1. JFET原理： 沟道调制效应、跨导特性及与BJT的对比。 2. MOSFET结构与工作原理： 详细阐述了增强型和耗尽型MOSFET的制造工艺、阈值电压的确定，以及在“弱反型”、“适中反型”和“强反型”区的工作状态。 3. MOSFET等效电路： 建立了MOSFET的低频跨导模型和高频模型，分析了栅极电容和输出电容对电路性能的影响。 4. CMOS技术基础： 简要介绍了互补金属氧化物半导体（CMOS）的基本结构，为后续数字电路的学习奠定基础。 第三部分：集成电路与功率器件 本部分将器件原理的应用拓展到更复杂的集成电路和高功率领域。 第七章：集成电路基础与工艺 本章概述了从分立器件到集成电路（IC）的发展历程。详细介绍了PN结隔离、氧化、光刻、掺杂和金属化等关键的半导体制造工艺步骤。重点阐述了双极型集成电路（Bipolar IC）和MOS集成电路（MOS IC）的基本结构和优缺点，特别是晶体管的尺寸效应（Scaling Effect）。 第八章：功率半导体器件 本章探讨了用于电力电子系统的大功率、高电压、高电流器件。 1. 功率MOSFET（Power MOSFET）： 探讨了其低导通电阻的设计（如超级结结构），以及在开关电源中的应用。 2. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）： 结合了BJT的电流驱动能力和MOSFET的易驱动性，分析其在电机驱动和逆变器中的关键性能指标。 3. 晶闸管（SCR）与可关断晶闸管（GTO）： 介绍了它们作为高功率开关器件的工作特性、触发机制和保护措施。 附录： 提供了常用的半导体材料参数表、半导体物理学常用公式推导和实验指导。 --- 本书特色： 理论与实践紧密结合： 每一器件的原理讲解后，都附有典型的应用电路分析，如放大器、限幅器、开关电路等。 深入的物理基础： 确保读者不仅知道“如何用”，更理解“为何这样工作”。 丰富的图表和例题： 大量使用高质量的能带图、I-V特性曲线和剖面图，辅以详尽的计算例题，帮助读者掌握定量分析能力。 面向前沿： 涵盖了当前微电子技术中的关键概念，为深入学习先进半导体器件（如FinFET、GaN/SiC器件）打下坚实基础。 本书是电子信息类专业本科生、研究生以及从事电子设计、测试和研发工作的工程师不可或缺的工具书。
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