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出版者:清华大学出版社

作者:杨之廉

出品人:

页数:204

译者:

出版时间:2003-3-1

价格:18.00元

装帧:平装(无盘)

isbn号码:9787302062622

丛书系列:

图书标签:

• 2009
• 集成电路
• 模拟电路
• 数字电路
• 半导体
• 电子学
• 电路分析
• 微电子学
• VLSI
• EDA
• 电路设计

电子工程领域基石：半导体器件物理与制造工艺 本书聚焦于现代电子技术的心脏——半导体器件的微观世界及其工业化制造的宏伟蓝图。 它旨在为电子工程、材料科学及相关领域的学生、研究人员和工程师提供一套全面、深入且严谨的理论框架与实践指导，用以理解和驾驭半导体技术从原子层面到晶圆规模的演进。 第一部分：半导体物理基础——微观世界的运行法则 本卷深入剖析了构成所有现代电子系统的基础材料——半导体的内在物理特性。我们将从晶体结构、能带理论入手，构建理解载流子行为的理论基石。 第一章：晶体结构与能带理论 详细阐述硅、锗等晶体材料的晶格结构，包括晶面指数和缺陷分析。继而，通过紧束缚模型和周期性势场理论，推导出电子在周期性晶格中的能带结构。重点解析价带、导带的形成，以及禁带宽度对材料导电特性的决定性影响。对比分析直接带隙和间接带隙半导体的特性及其在光电器件中的应用潜力。 第二章：载流子动力学与输运现象 本章聚焦于电场、温度梯度等外部激励下，半导体内部电荷的流动机制。内容涵盖： 平衡态与非平衡态载流子分布： 深入探讨费米-狄拉克统计在不同掺杂浓度和温度下的应用，理解本征、n型、p型半导体的载流子浓度分布。 漂移与扩散： 严格推导欧姆定律在半导体中的微观形式，详细阐述载流子的漂移速度、迁移率的温度和场强依赖性。重点分析浓度梯度引起的扩散电流，以及爱因斯坦关系式的物理意义。 陷阱态与复合机制： 系统性地介绍晶格缺陷（如空位、间隙原子）引入的深能级陷阱（Shockley-Read-Hall, SRH 机制）在载流子复合中的作用。讨论辐射复合和俄歇复合在高功率器件中的重要性。 第三章：半导体异质结与界面效应 界面是现代器件功能实现的关键。本章着重分析不同材料或不同掺杂区域交界面处的物理现象。 pn 结的建立与特性： 建立肖特基势垒模型，推导内建电场、耗尽区宽度、以及理想二极管方程（包括暗电流和理想因子）。详细分析温度对击穿电压和漏电流的影响。 金属-半导体接触： 区分欧姆接触和肖特基接触的形成条件（功函数匹配、表面势垒），阐述如何通过接触工程优化器件性能。 异质结的能带对齐： 基于电子亲合势和禁带宽度，应用密斯纳（Mizner）规则分析不同材料（如GaAs/AlGaAs）界面上的能带弯曲，为量子阱结构和异质结双极晶体管（HBT）的理解奠定基础。 第二部分：关键半导体器件的物理原理 本卷将理论物理与工程应用紧密结合，剖析构成计算和通信系统的核心有源和无源器件的工作机制。 第四章：晶体管基础——场效应管（FET） 详细分析 MOSFET 的核心工作原理，这是当代集成电路的基石。 MOS 电容器的电学特性： 从阈值电压的确定（考虑固定界面电荷、氧化物电容），到“弱反型”、“强反型”状态的物理机制。 沟道输运与短沟道效应： 建立平方律模型，分析跨导的饱和现象。深入探讨当特征尺寸缩小到纳米级别时，源/漏势垒降低（DIBL）、载流子速度饱和等短沟道效应的物理根源及其对器件特性的影响。 功率与噪声特性： 分析晶体管的寄生电阻、电容对开关速度的限制，并引入 $1/f$ 噪声和散弹噪声的物理模型。 第五章：双极型晶体管（BJT） 探讨双极型晶体管在特定高频和高线性度应用中的优势。 载流子注入与传输： 阐述基区窄化对电流增益 $eta$ 的影响，分析少数载流子的扩散和复合过程。 Ebers-Moll 模型与混合 $pi$ 模型： 建立描述 BJT 动态特性的电路模型，解释高频响应的限制因素（如过渡频率 $f_T$）。 第六章：光电器件物理 本章聚焦于光与电的相互转换器件。 光电二极管与光电导： 分析光生载流子的产生、漂移与收集效率，阐述雪崩光电二极管（APD）的增益机制。 半导体激光器原理： 深入探讨受激辐射、粒子数反转的物理条件，分析激光腔的谐振条件和阈值电流密度。 第三部分：半导体制造工艺——从沙子到芯片 本卷转向工业制造层面，详述实现复杂集成电路所必需的精密加工技术。这部分内容强调了材料科学、化学和物理学的交叉应用。 第七章：晶圆制备与薄膜生长 硅材料提纯与单晶生长： 介绍柴氏法（Czochralski Process）的原理及对晶体缺陷的控制。 薄膜沉积技术： 详细区分物理气相沉积（PVD，如溅射）和化学气相沉积（CVD）的物理过程。重点阐述原子层沉积（ALD）如何实现亚纳米级的厚度和优异的均匀性，以及外延生长在异质结构建中的重要性。 热氧化与介质层： 分析硅表面热氧化（生成 $ ext{SiO}_2$）的动力学过程，探讨氧化速率的控制和界面的钝化效果。 第八章：光刻技术——图案转移的核心 光刻是决定集成电路特征尺寸的关键工艺。 光学成像原理： 深入分析衍射限制、数值孔径（NA）、和瑞利判据在分辨率限制中的作用。 光刻胶化学： 介绍正性胶和负性胶的化学反应机制，特别是化学放大抗蚀剂（CAR）的工作原理。 先进光刻： 综述深紫外（DUV）光刻中的掩模版、投影系统挑战，并引入极紫外（EUV）光刻的真空环境、反射式光学系统和锡等离子源技术。 第九章：刻蚀与掺杂技术 干法刻蚀技术： 详述反应离子刻蚀（RIE）和深反应离子刻蚀（DRIE）的等离子体化学，分析各向异性刻蚀的物理机制，以及对侧壁保护的控制（如 Bosch 工艺）。 离子注入： 阐述高能离子注入的能量、剂量控制，以及粒子在晶格中的能量损失（LSS 理论基础）。重点讨论注入后的热退火过程对激活电荷和修复晶格损伤的关键作用。 第十章：互连技术与先进封装 随着器件尺寸的缩小，金属互连线的电阻和电容对速度的影响日益显著。 低介电常数（Low-k）材料： 介绍引入孔隙率和氟元素来降低互连线的RC延迟。 大马士革工艺： 详细描述铜（Copper）在先进制造中替代铝的集成流程，包括阻挡层、籽晶生长和电化学抛光（CMP）在实现无缝填充中的作用。 晶圆级封装与 3D 芯片集成： 探讨硅通孔（TSV）技术在垂直堆叠和异构集成中的关键挑战与机遇。 全书以严谨的工程物理思维贯穿始终，力求在理论深度和工程实用性之间取得完美的平衡。它不仅仅是介绍既有器件的教科书，更是一部引导读者理解未来半导体技术发展方向的思维导引。

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适合初学者，清晰介绍集成电路基本知识，菜鸟指南。

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