涂料工艺:(第三版) pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:化学工业出版社

作者:涂料工艺编委会

出品人:

页数:2064

译者:

出版时间:1997-12-1

价格:198.00

装帧:精装(无盘)

isbn号码:9787502518943

丛书系列:

图书标签:

• 涂料
• 涂料工艺
• 油漆
• 表面处理
• 材料科学
• 化学工程
• 工业技术
• 高分子材料
• 建筑材料
• 工艺技术

好的，这是一份关于另一本不同图书的详细简介，内容完全不涉及《涂料工艺（第三版）》： --- 《现代集成电路设计与制造技术》 前言：硅基世界的深度探索 我们正处于一个由信息技术驱动的时代，集成电路（IC）作为现代电子设备的核心“心脏”，其设计与制造水平直接决定了科技进步的速度。本书《现代集成电路设计与制造技术》旨在为电子工程、微电子学、材料科学等相关领域的专业人士、高级学生以及对半导体产业前沿技术充满热情的读者，提供一个系统、深入且与时俱进的技术全景图。 本书内容覆盖了从概念设计到晶圆级制造、再到先进封装测试的完整产业链环节，重点阐述了当前业界最前沿的工艺节点（如 7nm 及以下）所面临的挑战与解决方案。我们摒弃了过于基础的入门级概念，而是聚焦于现代高性能计算、物联网（IoT）和人工智能（AI）对芯片提出的苛刻要求。 --- 第一部分：超大规模集成电路（VLSI）设计方法论 本部分详述了现代 IC 设计流程（Front-End to Back-End）的精髓，强调了设计自动化（EDA）工具在实现复杂系统级芯片（SoC）设计中的核心作用。 第一章：系统级抽象与架构定义 深入探讨了系统级设计（System-Level Design）的重要性。内容包括如何利用高层次综合（HLS）工具将 C/C++ 或系统描述语言快速映射到硬件结构。着重分析了异构计算架构（如 CPU-GPU-NPU 协同设计）的功耗、性能与面积（PPA）权衡模型。介绍了新的指令集架构（ISA）趋势，特别是RISC-V生态系统在定制化处理器设计中的崛起。 第二章：数字前端设计与验证 详细讲解了硬件描述语言（HDL，如 SystemVerilog）在描述复杂逻辑时的最佳实践。重点阐述了形式验证（Formal Verification）在确保设计正确性方面的应用，尤其是在避免亚稳态和时序违例方面的技术细节。内容延伸至静态时序分析（STA）在深亚微米工艺中的精度提升策略，以及低功耗设计技术，如时钟门控（Clock Gating）和电源门控（Power Gating）在实际IP核中的实现。 第三章：物理后端实现与优化 本章是连接逻辑设计与实际物理布局的关键。涵盖了先进的布局规划（Floorplanning）技术，旨在优化全局布线拥堵和热点分布。详述了标准单元库的特性分析、时钟树综合（CTS）的层次化设计方法，以应对更小的时钟偏差（Skew）。特别关注了基于机器学习（ML）的自动布局布线算法在提高设计收敛速度方面的最新进展。 --- 第二部分：先进半导体制造工艺与物理极限 本部分是全书的技术核心，深入剖析了半导体制造领域，特别是逻辑器件和存储器技术如何突破传统硅基材料的物理限制。 第四章：极紫外光刻（EUV）技术解析 EUV 光刻是实现 7nm 以下节点的核心技术。本章详细介绍了 EUV 系统的基本原理，包括光源（激光产生等离子体）、反射式光学系统（真空环境下的透镜设计）和掩模版（Mask）的结构与缺陷控制。探讨了掩模版污染、光刻胶敏感性以及关键尺寸（CD）均匀性控制等工程难题。 第五章：先进晶体管结构与器件物理 超越传统的平面 MOSFET，本章聚焦于 FinFET（鳍式场效应晶体管）的结构优化、电荷共享效应以及多晶桥接技术。同时，对下一代器件，如 Gate-All-Around (GAA) 晶体管（如 Nanosheet/Nanowire 结构）的制造挑战、静电控制能力及其对短沟道效应的抑制进行了深入的理论分析与工艺对比。 第六章：先进互连与材料科学 随着晶体管尺寸的缩小，互连延迟和串扰成为性能瓶颈。本章探讨了先进互连线的材料选择，如 Cobalt（钴）和 Ruthenium（钌）在接触孔和晶体管电极中的应用，以替代传统的铜（Cu）在小尺寸下的可靠性问题。深入讲解了低介电常数（Low-k）材料的应用及其在应对 RC 延迟和电迁移方面的技术细节。 --- 第三部分：集成电路的可靠性、封装与测试 本部分关注芯片在投入实际应用前所需保证的长期稳定性、系统集成能力和质量控制。 第七章：制造工艺的可靠性挑战 详细分析了在先进工艺节点下面临的几个主要可靠性问题： 1. 电迁移（Electromigration, EM）： 特别是针对先进金属层和接触孔的物理模型和设计裕度计算。 2. 静电放电（ESD）防护： 针对高密度 I/O 结构和薄栅氧化层的定制化保护电路设计。 3. TDDB (Time-Dependent Dielectric Breakdown)： 栅极氧化层和高 K 介质的长期击穿风险评估。 第八章：异构集成与先进封装技术 传统封装已无法满足 SoC 的 I/O 和散热需求。本章全面介绍了 2.5D 和 3D 异构集成技术，包括： 中介层（Interposer）技术： 有机中介层（RDL）与硅中介层（Si-Interposer）的对比及其关键制造工艺（如 TSV，硅通孔）。 Chiplet 架构： 讨论了如何通过高带宽内存（HBM）和 Chip-to-Chip 接口（如 UCIe 标准）实现模块化设计和良率提升。 第九章：测试与可测试性设计（DFT） DFT 是确保大规模芯片可制造性和良率的基础。本章重点讲解了扫描链（Scan Chain）插入与优化、基于边界扫描（Boundary Scan）的在线测试，以及在 3D 结构中实现高覆盖率的内部 BIST（Built-In Self-Test）方案，特别是针对逻辑和存储器阵列的故障诊断技术。 --- 结语 《现代集成电路设计与制造技术》不仅是理论知识的汇编，更是一本面向未来产业发展方向的工具书。通过对当前最棘手工程问题的剖析，本书旨在培养读者在极小尺度下进行系统级思考和精确制造控制的能力，为推动下一代计算平台的发展奠定坚实的技术基础。

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