新编晶体管实用手册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:辽宁科学技术出版社

作者:杨崇志

出品人:

页数:0

译者:

出版时间:2000-01-01

价格:138.00元

装帧:简裝本

isbn号码:9787538128130

丛书系列:

图书标签:

• 晶体管
• 电子技术
• 电路分析
• 模拟电路
• 数字电路
• 电子工程
• 实用手册
• 电子元件
• 维修
• 设计

《新编晶体管实用手册》内容概述：深度剖析半导体器件的基石与前沿应用 本书《新编晶体管实用手册》旨在为电子工程技术人员、科研人员以及对半导体器件有深入学习需求的读者，提供一本内容详实、结构严谨、兼具理论深度与工程实践指导意义的权威参考书。本书紧密围绕晶体管这一现代电子技术的核心元件，系统梳理了其从基础物理原理到先进集成电路应用的完整知识体系。全书共分为六大部分，共计二十五章，力求做到对晶体管的理解“无死角”。 --- 第一部分：晶体管的物理基础与结构原理 (Chapters 1-4) 本部分是全书的理论基石，为理解后续复杂的器件工作机制奠定坚实的基础。 第一章：半导体材料的电学特性 详细介绍了本征半导体、N型和P型掺杂半导体的载流子迁移率、扩散系数和费米能级理论。重点分析了温度对电导率的影响，并引入了霍尔效应的测量方法在材料表征中的应用。 第二章：PN结的形成与特性 深入探讨了PN结的形成过程，包括势垒区、内建电场以及电势分布。详尽阐述了PN结在正向偏置、反向偏置下的伏安特性曲线，包括雪崩击穿和齐纳击穿的物理机制及其在电路设计中的影响。 第三章：双极型晶体管（BJT）的基本原理 本章是BJT理论的核心。它从扩散电流和迁移电流的角度，系统推导了理想BJT的电流传输机制，包括Ebers-Moll模型的基础框架。详细分析了晶体管的三个工作区（截止、放大、饱和）的电流增益（$eta$）和跨导（$g_m$）的物理意义。 第四章：MOSFET的电学特性与制造基础 本章聚焦于金属氧化物半导体场效应晶体管。详细描述了MOS结构的电容-电压（C-V）特性曲线，包括积累态、耗尽态和反型态。重点讲解了增强型和结型MOSFET的工作原理，特别是阈值电压（$V_{th}$）的精确计算及其对器件性能的决定性作用。 --- 第二部分：晶体管的等效电路与小信号分析 (Chapters 5-8) 本部分将理论模型转化为可用于电路分析的等效电路，是电路设计人员必备的技能。 第五章：BJT的小信号等效模型 详细推导了混合$pi$模型和T模型，并解释了它们在不同频率和不同偏置条件下的适用性。重点分析了高频下的米勒效应（Miller Effect）及其对电路带宽的影响，并给出了修正的高频等效模型。 第六章：MOSFET的小信号模型与参数提取 全面介绍了几种主要的MOSFET小信号模型，包括简化模型和考虑沟道长度调制效应的精确模型。详细论述了跨导 $g_m$、输出电阻 $r_o$ 以及输入电阻的测量与计算方法，为精确的放大器设计提供工具。 第七章：晶体管的噪声特性 深入探讨了晶体管引入的随机噪声源，包括热噪声（Johnson Noise）、散弹噪声（Shot Noise）和闪烁噪声（Flicker Noise，$1/f$ Noise）。给出了噪声因子（Noise Figure, NF）的计算方法，并指导读者如何在设计中实现低噪声放大器（LNA）。 第八章：晶体管的开关特性与延迟时间 侧重于晶体管在数字电路中作为开关元件时的行为。详细分析了存储时间、上升时间、下降时间等关键参数，并讨论了如何通过优化集电极电流或栅极驱动来减小开关损耗和延迟。 --- 第三部分：经典晶体管电路的应用实例 (Chapters 9-13) 本部分将理论与实践紧密结合，通过经典的放大电路和偏置电路，展示晶体管的工程应用。 第九章：晶体管的直流偏置电路设计 系统讲解了固定偏置、发射极反馈偏置、分压器偏置等多种BJT偏置电路的稳定性分析。重点介绍了使用MOSFET实现偏置的“镜像电流源”和“高精度恒流源”的设计与热稳定性补偿技术。 第十章：单级放大器电路分析 详尽分析了共射极、共集电极（射极跟随器）和共基极放大器的输入/输出阻抗、电压增益、电流增益和相位关系。对比了它们在不同应用场景下的优缺点。 第十一章：多级放大器与频率响应 阐述了级联放大器的设计原理，包括如何通过级联提高总增益。深入分析了放大器频率响应曲线的形成机制，重点讲解了波特图的绘制和低频、高频截止频率（$f_L, f_H$）的确定。 第十二章：差动放大器与运算放大器基础 详细分析了差分对的共模抑制比（CMRR）和差模增益，这是现代集成电路的基础结构。介绍了使用BJT和MOSFET搭建的经典运算放大器结构，如推挽输出级和输入级的设计考虑。 第十三章：振荡器与波形发生器 介绍了晶体管在正弦波振荡电路中的应用，包括Hartley、Colpitts和晶体管反馈振荡器。同时，也涵盖了RC振荡器和弛张振荡器的设计，用于产生特定频率或方波信号。 --- 第四部分：功率晶体管与效率优化 (Chapters 14-16) 本部分聚焦于需要处理大电流和高电压的应用，如电源管理和射频功率放大器。 第十四章：功率晶体管的特殊考量 区别于小信号器件，重点分析了功率BJT和功率MOSFET（如VDMOS/LDMOS）的特点。讨论了热设计的重要性，包括结温的计算、热阻的评估以及安全工作区（SOA）的界限。 第十五章：线性功率放大器（Class A, B, AB） 详细分析了不同工作类别（A类、B类、AB类）的效率和失真特性。重点解析了AB类放大器中交叉失真（Crossover Distortion）的产生机理及其消除方法，如使用二极管补偿。 第十六章：开关模式电源中的晶体管应用 介绍了晶体管在开关电源（如Buck, Boost, Buck-Boost）中的工作模式。强调了开关损耗、导通损耗与器件的关断速度之间的权衡关系，以及如何选择合适的驱动电路。 --- 第五部分：先进晶体管结构与制造工艺 (Chapters 17-20) 本部分将视角提升到半导体制造层面，探讨了现代集成电路中使用的先进晶体管类型。 第十七章：结型场效应晶体管（JFET） 系统阐述了JFET的电流控制特性，并将其与BJT和MOSFET进行对比。着重分析了JFET在输入级设计中因其极高输入阻抗的优势。 第十八章：先进MOS结构：FinFET与SOI技术 介绍了弥补传统平面MOS器件短板的新型结构，如鳍式场效应晶体管（FinFET）。深入剖析了这些结构如何有效控制短沟道效应（SCE）和亚阈值泄露（Subthreshold Leakage）。 第十九章：异质结晶体管（HBT） 重点讲解了砷化镓（GaAs）基HBT等材料异质结器件的物理基础，以及它们在高频、高功率密度应用中超越硅基BJT的优势，这是现代射频前端的关键。 第二十章：半导体集成与互连技术 简要介绍了晶圆制造的基本流程，包括光刻、刻蚀和薄膜沉积。讨论了集成电路中金属互连线的寄生电阻和电容对晶体管速度的影响。 --- 第六部分：特定领域的高级应用与设计挑战 (Chapters 21-25) 本部分面向特定专业领域，提供晶体管在射频、高速数字和高精度模拟电路中的具体设计指南。 第二十一章：射频（RF）晶体管电路设计 探讨了射频晶体管的阻抗匹配技术，包括史密斯圆图的应用。详细分析了功率放大器的线性化技术（如负反馈和预失真）以及晶体管在混频器和本地振荡器中的应用。 第二十二章：高速数字电路中的晶体管逻辑 分析了基于BJT（如ECL）和MOSFET（如CMOS）的各种逻辑门电路的性能指标，包括噪声容限、功耗和速度。重点讨论了互补金属氧化物半导体（CMOS）的超低功耗优势。 第二十三章：传感器接口与数据转换电路 讲解了晶体管如何用于设计高精度的信号调理电路，如开关电容滤波器、仪表放大器和电压基准源。特别阐述了晶体管在模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）中的关键角色。 第二十四章：电路的热管理与可靠性工程 深入探讨了晶体管工作时的热点效应和寿命预测。介绍了热仿真方法，以及如何通过散热片、导热材料和冗余设计来提高系统的长期工作可靠性。 第二十五章：面向未来的晶体管技术展望 对碳纳米管晶体管、二维材料（如石墨烯）器件的潜在优势和挑战进行了前瞻性讨论，展望了后摩尔时代半导体器件的发展方向。 全书的结构设计，从微观的物理现象到宏观的系统应用，层层递进，辅以大量的工程实例和公式推导，旨在使读者不仅知其“然”，更能知其“所以然”，成为能够驾驭各类晶体管电路的专家。

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这本书简直是电子爱好者和专业人士的福音啊！我记得刚接触晶体管那会儿，资料散乱得让人头疼，各种参数和应用电路像迷宫一样。但拿到这本《新编晶体管实用手册》后，感觉就像找到了藏宝图。首先，它的结构编排非常人性化，从最基础的半导体物理知识讲起，逐步深入到BJT和FET的各种工作模式。最让我惊喜的是，它对那些复杂的工作点分析和等效电路模型讲解得极其透彻，即便是初次接触的读者也能很快掌握精髓。书里大量的实例电路图清晰、规范，每一个参数的选取都有理有据，完全不是那种空泛的理论堆砌。我特别喜欢它对新型器件如MOSFET和IGBT的详细介绍，这些在老教材里往往一带而过的内容，在这里却有着详尽的特性曲线和应用考量。可以说，这本书不仅仅是一本手册，更像一位耐心的导师，手把手地带你领略晶体管世界的奥秘。即便是多年经验的老工程师，翻阅其中的高级应用章节，也常能获得新的启发，比如在高频放大电路设计中的噪声抑制技巧，以及开关电源中功率管的选择策略，都体现了编者深厚的实践功底。这本书的实用价值是无可替代的，它让原本枯燥的半导体知识变得鲜活起来，真正做到了“学以致用”。

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我是一个动手能力很强的爱好者，更看重“实战”价值，理论基础对我来说是辅助。所以，一本好的手册必须能直接指导我搭建和调试电路。《新编晶体管实用手册》在这方面做得极其出色。它的设计思路清晰，每一个应用电路都配有详细的原理分析和参数解释，让你明白“为什么这么搭”，而不是简单地照搬。比如，书中对不同偏置电路的稳定性分析，结合了分压偏置、集电极反馈偏置等多种主流方式的优缺点对比，并辅以实际的输出波形对比图，这种直观的展示方式极大地加速了我的理解。我尤其欣赏它对一些“黑科技”电路的剖析，例如如何利用晶体管实现高精度电流源或恒流负载，这些在商业产品中常见的模块，书中给出了不止一种实现方案，并分析了各自的精度和成本权衡。说实话，我以前花了好几个晚上在论坛上请教的问题，在这本书里找到了系统性的解决方案。它不只是告诉你公式，而是告诉你如何用这些公式去解决一个现实世界中的电子问题。对于那些想从理论跨越到实践的读者来说，这本书就是最好的桥梁。

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这本书的排版和细节处理，体现了编者对知识传承的尊重和对读者的关怀。首先，纸张质量很好，印刷清晰，即便是电路图中密密麻麻的元件符号和标注，看起来也不会感到吃力，这对于长时间阅读和查阅来说太重要了。其次，全书的术语规范统一，没有出现那种不同章节使用不同符号系统造成的混乱。让我觉得特别贴心的是，书中附带的附录部分，汇总了大量常用的晶体管等效电阻、电容的典型值范围，以及各种标准测试条件的说明，这极大地减少了读者在查阅原始器件数据手册时的跳转频率。如果说有什么不足，可能就是它的篇幅略显厚重，但这恰恰说明了内容的详实。它没有为了追求“轻薄”而牺牲掉关键的探讨深度。我发现，即便是对一些相对冷门的领域，比如晶体管在高Q值谐振电路中的应用，这本书也进行了较为深入的探讨。阅读过程中，我感受到这绝不是赶工出来的敷衍之作，而是倾注了大量心血和长期实践经验的结晶，它在内容的广度、深度和实用性之间找到了一个近乎完美的平衡点。

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坦白讲，我一开始对“新编”两个字持保留态度，总觉得技术手册翻新不过是换个封面，内容大同小异。但事实证明我错了，这本《新编晶体管实用手册》在对当前主流技术的覆盖上，远超我预期的广度和深度。它没有沉湎于早已被淘汰的锗管或老式硅管的冗余信息，而是将重点放在了当前工业界应用最广泛的硅基CMOS、功率半导体以及一些特种晶体管类型上。让我印象深刻的是，它对器件选型中的“非理想效应”描述得非常到位，比如寄生电容、开关损耗和热效应的分析，这些是教科书里经常忽略，但在实际电路设计中至关重要的环节。书中提供的各种参数表格，更新及时，查阅起来极为方便，特别是针对不同温度、不同频率下的性能衰减曲线，比翻阅 Datasheet 更直观高效。我最近在做一个高精度传感器接口项目时，就是参考了书中的低失真前置放大电路设计章节，受益匪浅。而且，作者似乎非常理解读者的痛点，对常见的设计误区和调试技巧进行了专门的总结，这些“经验之谈”的价值，有时甚至高于那些复杂的公式推导。这本书真正做到了立足当下，放眼未来，是工程师案头必备的“工具箱”。

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这本书给我最直观的感受是，它成功地架设起了一座从基础电子学到复杂系统集成的桥梁。很多市面上的手册要么过于偏重基础理论，让你觉得离实际应用太远；要么就是一味罗列应用电路，让你知其然不知其所以然。但这本《新编晶体管实用手册》却将两者紧密地结合了起来。它在介绍完器件的输入特性和输出特性曲线后，紧接着就会展示如何在不同的放大电路（共射、共集、共基）中利用这些特性进行精确的静态和动态分析。尤其是它对频率响应和反馈原理的阐述，结合晶体管的跨导和极点分析，讲解得非常透彻，帮助我彻底理解了放大器带宽限制的本质原因。我尝试用书中的方法优化了一个音频功放的输入级，仅仅通过调整几个偏置点的配置和引入小信号模型分析，就显著改善了中频的增益平坦度。这本书的逻辑主线非常清晰，层层递进，每深入一层都会让你对前一层的内容有更深刻的认识。它不仅仅是一本工具书，更是一套完整的晶体管电路设计方法论的传授。对于希望系统性提升自己模拟电路设计能力的读者来说，这本书的价值远超其标价。

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