Solutions manual, Electronic devices and circuit theory, 3rd edition

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出版者:Prentice-Hall
作者:Robert L Boylestad
出品人:
页数:0
译者:
出版时间:1982
价格:0
装帧:Unknown Binding
isbn号码:9780132503167
丛书系列:
图书标签:
  • Solutions Manual
  • Electronic Devices
  • Circuit Theory
  • 3rd Edition
  • Electronics
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  • Textbook
  • Study Guide
  • Engineering
  • Robert Boylestad
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具体描述

《电子器件与电路理论》第三版习题解答手册 导言 《电子器件与电路理论》第三版习题解答手册,旨在为学习该教材的读者提供全面、详尽的解题思路与过程。本手册并非对原书内容的简单复述,而是致力于引导读者深入理解电子器件的工作原理、电路分析方法以及系统设计的基本概念。通过对教材中各类习题的逐一解析,我们力求帮助读者巩固课堂所学,提升独立解决问题的能力,最终为掌握电子工程领域的核心知识奠定坚实的基础。 本手册的编写遵循严谨的学术态度,确保解题过程的准确性与逻辑性。我们深入分析了每一道习题所涉及的知识点,并提供了多种解题途径,以适应不同水平的学习者。在解题过程中,我们注重展示分析问题、建立模型、应用理论、推导结果以及验证答案的完整流程,旨在培养读者系统化的思维方式。 手册结构与内容亮点 本手册的结构与原教材保持高度一致,方便读者对照查阅。每一章都对应教材中的相应章节,并包含了该章所有的例题与习题的详细解答。为提升学习效率,我们在解答中融入了以下亮点: 1. 原理回顾与知识梳理: 在每道习题解答之前,我们会简要回顾与该题相关的核心概念与基本原理,帮助读者快速进入解题状态,避免遗忘关键知识点。 2. 解题思路引导: 我们会详细阐述解题的整体思路和策略,分析问题的关键在于何处,以及如何选择合适的工具和方法。这有助于读者理解“为什么”要这样做,而不仅仅是“怎么”做。 3. 详细的步骤推导: 每一个计算或推导步骤都力求清晰明了,确保读者能够理解每一步的逻辑依据。对于关键的公式推导或近似处理,我们会进行详细说明。 4. 图解与示意: 在必要的情况下,我们会提供电路图、波形图或其他示意图,以直观地展示电路结构、信号变化或物理过程,帮助读者更深刻地理解题目。 5. 多种解题方法的探讨: 对于一些复杂的问题,我们可能会提供不止一种解题方法,并对各种方法的优劣进行比较,拓宽读者的解题视野。 6. 结果分析与讨论: 在得到最终答案后,我们会对结果进行分析,探讨其物理意义,并可能进行一些参数变化下的敏感性分析,以加深读者对问题背后规律的认识。 7. 常见错误提示: 我们会指出在解题过程中可能遇到的常见陷阱或易错点,并给出避免这些错误的建议。 8. 与实际应用的联系: 在可能的情况下,我们会简要提及相关理论在实际电子器件和电路设计中的应用,激发读者的学习兴趣。 第一章:半导体基础 本章解答将深入剖析半导体材料的特性,包括其原子结构、能带理论以及载流子(电子和空穴)的产生与运动。读者将通过练习题掌握如何计算本征半导体和杂质半导体的导电类型、载流子浓度,理解费米能级与温度、掺杂浓度的关系。 重点解析: 载流子浓度的计算(热平衡条件)、重组与产生率、温度对载流子浓度的影响。 应用实例: 介绍不同掺杂浓度下半导体电阻率的变化,为理解二极管、三极管等器件的制作奠定基础。 第二章:PN结 本章重点在于理解PN结的形成机制、内建电势、耗尽区宽度以及PN结的伏安特性。习题解答将详细演示如何利用载流子扩散和漂移的概念,推导出PN结的电流方程,并分析在不同偏置(正偏、反偏、零偏)下的PN结行为。 重点解析: PN结的形成过程(扩散与漂移)、耗尽区与内建电势、PN结电容(扩散电容与结电容)、击穿现象(齐纳击穿与雪崩击穿)。 应用实例: 解释二极管的正向导通、反向截止以及击穿特性,为理解整流器、稳压二极管等器件的工作原理做好铺垫。 第三章:二极管 本章习题将围绕各种类型的二极管展开,包括普通PN结二极管、稳压二极管(齐纳二极管)、发光二极管(LED)、光电二极管(PIN)、肖特基二极管等。解答将侧重于分析这些二极管的等效电路模型,并演示如何在不同应用电路(如整流电路、滤波电路、限幅电路、钳位电路)中分析其工作状态。 重点解析: 各类二极管的特性曲线与工作区分析、二极管模型(理想模型、 piecewise linear模型、指数模型)、二极管在开关电路中的应用、整流电路(半波、全波、桥式)的分析与设计。 应用实例: 详细分析单相桥式整流电路的输出电压、电流波形,以及滤波电容的作用。 第四章:双极结型晶体管(BJT) 本章是理解三极管工作原理的关键。习题解答将深入分析BJT的结构、载流子传输机制(发射区注入、基区扩散、集电区收集),以及其在放大、开关两种工作状态下的特点。我们将演示如何利用BJT的输入输出特性曲线、混合参数模型(h参数模型)来分析放大电路的电压增益、电流增益、输入阻抗和输出阻抗。 重点解析: BJT的三个工作区域(截止区、放大区、饱和区)、共射、共基、共集电极三种基本组态的特性比较、BJT的电流放大系数(α和β)、基极电流和集电极电流的关系、BJT作为开关的应用。 应用实例: 分析一个简单的共射放大电路,计算其各项性能参数,并探讨偏置电路对静态工作点的影响。 第五章:场效应晶体管(FET) 本章关注场效应晶体管,包括结型场效应晶体管(JFET)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。解答将详细讲解FET的工作原理,即通过栅极电压控制沟道内的载流子数量来改变漏极电流。我们将分析JFET的跨导特性、MOSFET的增强型和耗尽型模式,以及它们在放大和开关电路中的应用。 重点解析: JFET的夹断电压(Vp)与漏极电流(ID)的关系、MOSFET的阈值电压(Vt)、栅源电压(VGS)与漏极电流(ID)的关系、MOSFET的两种工作模式(线性区、饱和区)、MOSFET作为开关的优势。 应用实例: 分析一个MOSFET共源放大电路,讨论其输入输出特性,并与BJT放大电路进行对比。 第六章:集成电路基础 本章将为读者提供集成电路(IC)的基本概念和设计原理。习题解答将涵盖IC的制作工艺、内部结构,以及如何分析基本的集成运放电路。我们将重点关注差分放大器、电流镜等构成集成运放的关键单元,并深入研究运放的开环特性、闭环特性、虚短虚断等概念。 重点解析: 差分放大器的原理与性能、电流镜的实现与作用、运算放大器的理想模型与实际参数(输入失调电压、输入偏置电流、开环增益、带宽积等)、虚短与虚断在分析闭环运放电路中的应用。 应用实例: 分析反相比例器、同相比例器、加法器、减法器等基本运放电路,计算其输出电压与输入电压的关系。 第七章:信号与系统(与本书相关部分) 虽然本书侧重于器件和电路,但理解信号的性质和系统的响应对于分析电路至关重要。本章的习题解答会涉及一些基础的信号分析概念,例如傅立叶级数和傅立叶变换在分析周期信号和非周期信号中的应用,以及拉普拉斯变换在分析瞬态响应中的作用。 重点解析: 周期信号的频谱分析、非周期信号的频谱特性、拉普拉斯变换在电路暂态分析中的应用。 应用实例: 使用傅立叶分析一个方波信号,了解其包含的各次谐波成分;利用拉普拉斯变换求解RC电路的暂态响应。 第八章:滤波器与振荡器 本章将深入探讨滤波器和振荡器的设计与分析。习题解答将引导读者掌握低通、高通、带通、带阻等滤波器类型的工作原理,并分析其频率响应。对于振荡器,我们将讲解正弦波振荡器的基本条件(增益和相位条件),并分析LC振荡器(如哈特莱、科勒)和RC振荡器(如维恩电桥)的电路结构与输出频率。 重点解析: 滤波器的截止频率、带宽、品质因数(Q值)的计算;振荡器起振条件(Barkhausen判据);正弦波振荡器的工作原理。 应用实例: 设计一个简单的RC有源低通滤波器,计算其截止频率;分析一个基本的多谐振荡器电路。 第九章:功率电子器件 本章将介绍大功率电子器件,如晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)和电力MOSFET等。习题解答将侧重于分析这些器件的触发控制、导通与关断特性,以及它们在电力电子电路中的应用,如可控整流、开关电源等。 重点解析: SCR的触发导通与自锁现象、TRIAC的控制特性、电力MOSFET的驱动电路与开关损耗。 应用实例: 分析一个单相可控整流电路,计算其输出电压的平均值和有效值,并讨论触发角对输出的影响。 总结 《电子器件与电路理论》第三版习题解答手册,是学习原教材的有力补充。我们坚信,通过系统地学习本手册中的解题方法和思路,读者不仅能掌握电子器件和电路分析的各项技能,更能培养出严谨求实的科学态度和解决复杂工程问题的能力。我们鼓励读者在解题过程中积极思考,勇于探索,将理论知识转化为实践能力,为未来的电子工程学习和工作打下坚实的基础。

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