具體描述
《半導體異質結構與納米結構錶徵(導讀版)》主要討論瞭用於確定半導體量子阱和超晶格結構性質(結構、物理，化學、電氣等)的專門錶徵技術。此外，介紹瞭采用第一原理進行的模擬、建模方法，以及異質結構的電學與光學特性。
《半導體異質結構與納米結構錶徵(導讀版)》結構基於雙重目標：以物理、化學，材料科學、工程學和納米技術領域的本科生與研究生能夠理解的程度，提供每一個被挑選的專門技術的基本概念；從最新的文獻中挑選采用這些專門技術得到的最佳結果作為例子，這些技術用來理解半導體異質結構的性質。這些章節綜閤瞭基本概念的講解和最有關聯的創新例子的討論。此外，有關量子阱、量子綫和量子點的內容可以看作是將先進錶徵技術應用到亞納米尺度下材料的結構與電學性質的實例。
在學術界與工業實驗室內從事異質結構器件設計，生長，錶徵與測試的研究人員，也可以用作更為廣泛的納米技術領域的參考書。
著者簡介
圖書目錄
前言第1章 導論：納米技術的多學科性質與探索前沿錶徵技術的必要性第2章 結構性質與電子性質的第一原理(從頭算起)模擬研究第3章 納米結構的電學性質錶徵第4章 采用高分辨率x射綫衍射技術(XRD)的半導體異質結構的應變與組分確定第5章 透射電子顯微鏡(TEM)技術用於成像與半導體異質結構的組分確定第6章 通過光緻發光技術(PL)以瞭解半導體納米結構的結構性質與電子性質第7章 Ⅲ族元素氮化物(Ⅲ-nitride)的異質結構中的與功率大小有關的陰極發光：從內部場屏蔽到可控能帶帶隙調製第8章 拉曼譜技術第9章 用於半導體異質結構與納米結構研究的X射綫吸收精細結構(XAPS)方法第10章 受同步輻射光照的納米結構：對錶麵敏感的X射綫技術及異常散射第11章 用於研究納米結構的結構性質的掠入射衍射異常精細結構(GIDAPS)方法第12章 光發射譜在異質結研究中的作用第13章 半導體異質結構界麵與界麵層的電子自鏇諧振(ESR)譜分析方法名稱索引
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