Strained-si Heterostructure Field Effect Devices pdf epub mobi txt 电子书下载 2026

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☆☆☆☆☆

出版者:

作者:Maiti, C. K.

出品人:

页数:440

译者:

出版时间:2007-1

价格:$ 225.94

装帧:

isbn号码:9780750309936

丛书系列:

图书标签:

Si heterostructure
Field-effect transistors
Strained silicon
Semiconductor devices
Material science
Electronics
Nanotechnology
Device physics
Thin films
Heterojunctions

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具体描述

The combination of the materials science, manufacturing processes, and pioneering research and developments of SiGe and strained-Si have offered an unprecedented high level of performance enhancement at low manufacturing costs. Encompassing all of these areas, "Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices" addresses the research needs associated with the front-end aspects of extending CMOS technology via strain engineering. The book provides the basis to compare existing technologies with the future technological directions of silicon heterostructure CMOS. After an introduction to the material, subsequent chapters focus on microelectronics, engineered substrates, MOSFETs, and hetero-FETs.In this book, each chapter presents recent research findings, industrial devices and circuits, numerous tables and figures, important references, and, where applicable, computer simulations. Topics covered include applications of strained-Si films in SiGe-based CMOS technology, electronic properties of biaxial strained-Si films, and the developments of the gate dielectric formation on strained-Si/SiGe heterolayers. The book also describes silicon hetero-FETs in SiGe and SiGeC material systems, MOSFET performance enhancement, and process-induced stress simulation in MOSFETs. From substrate materials and electronic properties to strained-Si/SiGe process technology and devices, the diversity of R&D activities and results presented in this book will no doubt spark further development in the field.

好的，这是一份关于另一本假设图书的详细简介，内容严格限制在不提及“Strained-si Heterostructure Field Effect Devices”这本书的任何信息。 --- 《量子点光电器件的物理与工程实现》作者： [此处填写一位虚构的资深材料物理学家姓名] 出版社： [此处填写一家知名的学术出版社名称] 出版年份： [此处填写一个具体的年份] 内容概述本书深入探讨了基于半导体量子点（Quantum Dots, QDs）的各类光电器件——从基础的光吸收到高效的光子发射与探测——的物理原理、材料选择、结构设计、制造工艺以及实际应用性能。全书分为四大核心部分，旨在为研究生、科研人员以及电子工程领域的专业人士提供一个全面且深入的技术参考。量子点，因其独特的三维量子限制效应而展现出可调谐的光谱特性、高斯带宽的光发射以及出色的载流子分离效率，已成为下一代光电子技术的核心要素。本书系统梳理了从尺寸量子效应的理论基础到实际器件工作机制的演进历程。第一部分：量子点基础物理与材料科学本部分首先建立理解量子点光电器件所需的基本物理框架。重点解析了在纳米尺度下，半导体材料的电子能带结构如何因尺寸限制而发生显著变化，并详细阐述了库仑阻塞、激子形成与动力学等关键现象。材料科学方面，本书对当前主流的量子点体系进行了详尽的比较分析，包括： 1. 基于II-VI族和III-V族半导体的传统量子点：着重讨论了它们的局限性，特别是表面缺陷态和载流子复合机制。 2. 基于卤化铅钙钛矿的量子点（Perovskite QDs, PQDs）：深入分析了PQDs的超高光致发光量子效率（PLQY）的来源，同时对它们在稳定性、光漂白和有毒元素（如铅）替代方面所面临的挑战进行了客观评估。 3. 碳基量子点（Carbon Dots, CDs）与硅基量子点：探讨了这些环境友好型材料在生物成像和光催化方面的潜力及其面临的性能瓶颈。此外，本部分还专门开辟章节讨论了先进的表面钝化技术（如配体工程和核壳结构设计），如何有效抑制非辐射复合中心，从而极大地提升材料的光电性能。第二部分：量子点发光器件（QLEDs）的设计与驱动本部分聚焦于量子点发光二极管（QLEDs）的架构设计、优化策略和驱动电子学。这是目前量子点技术商业化最前沿的领域之一。器件结构工程：详细剖析了正置（Bottom-Emitting）和倒置（Top-Emitting）器件的结构差异，以及对器件效率和解析度的影响。重点阐述了电荷注入层（CILs）和电荷传输层（CTLs）的材料选择对功函数匹配和载流子平衡输运的关键作用。效率提升机制：深入讨论了如何通过精确控制电场分布来优化激子生成区的位置，以最大化辐射复合效率。内容涵盖了高亮度下的效率滚降（Roll-off）现象的机理分析，以及通过引入界面修饰层来缓解界面陷阱效应的先进方法。色彩管理与显示技术：书中详细介绍了如何通过精确控制量子点的粒径分布来实现窄带、高色纯度的光发射，并探讨了实现全色域显示所需的先进叠层技术和矩阵寻址驱动方案。第三部分：量子点光探测与能量转换器件本部分转向光子的捕获、转化与探测领域，涵盖了光伏电池和光电探测器。量子点太阳能电池（QDSCs）：系统介绍了基于QD的异质结结构，包括p-n结、i-n结以及更复杂的双层或三层异质结。重点分析了光吸收层的厚度对光电流收集效率的影响，以及如何通过优化电极接触电阻来降低串联电阻。对“热载流子”效应在超高效率太阳能电池中的潜在应用进行了前沿探讨。高速光电探测器：阐述了量子点在紫外、可见光乃至近红外波段作为光敏层的应用。探讨了如何设计高增益、低噪声的探测器，特别关注了光电导型探测器中的陷阱辅助传输机制，以及如何通过调控器件的偏置电压来平衡响应速度与信噪比。第四部分：先进制造工艺与可靠性挑战本部分关注从实验室到规模化生产的跨越，探讨了实现高性能、高稳定性的光电器件所需的关键制造技术。溶液加工技术：详细介绍了旋涂、喷墨打印、狭缝涂布等多种溶液法制备量子点薄膜的技术细节。重点分析了溶剂选择、退火温度和环境控制（如水氧敏感性）对薄膜形貌和器件性能的一致性影响。真空沉积与集成：讨论了在特定器件结构中，需要采用原子层沉积（ALD）或脉冲激光沉积（PLD）等真空技术来精确构建无机界面层的必要性。长期可靠性分析：针对量子点器件普遍存在的降解问题，本书进行了深入的故障分析。涵盖了光照老化、热应力、湿气侵蚀导致的表面化学变化，以及电场驱动下的离子迁移机制。并提出了基于封装技术（如原子层沉积的超薄阻隔层）和内置自修复机制的器件加固策略。总结《量子点光电器件的物理与工程实现》不仅是理论的深度挖掘，更是工程实践的指南。它为读者提供了理解和开发下一代高效、柔性、可定制光电子产品的坚实知识基础。通过对材料、结构、性能和可靠性的全方位覆盖，本书致力于推动量子点技术从前沿研究加速走向广泛的商业应用。

作者简介

目录信息

读后感

评分☆☆☆☆☆

用户评价

评分☆☆☆☆☆

这本书的叙述风格，我个人觉得相当的“硬核”。它没有采用那种迎合初学者的渐进式讲解，而是直接切入了核心的物理机制和数学模型。我尤其欣赏它在讨论特定器件结构时，那种近乎偏执的细节还原度。比如，书中对二维电子气（2DEG）的形成机制的阐述，简直可以说是教科书级别的精细，从肖特基势垒的形成到载流子浓度的精确计算，每一步都经得起最严格的审视。这使得我不得不频繁地停下来，对照着我手边的其他参考资料进行交叉验证。这种阅读过程是费力的，但也是极其充实的，因为它迫使你必须调动起你所有的物理直觉和数学工具箱来跟上作者的思路。如果有人希望快速了解这个领域的概貌，这本书可能过于沉重，但对于那些渴望探究“为什么”和“如何精确控制”的硬核玩家来说，这无疑是一座值得攀登的高峰。

评分☆☆☆☆☆

这本书的图文排版和符号规范达到了学术出版的顶尖水准，这在处理复杂物理方程时尤为重要。每一次出现新的物理量或操作符，作者都确保了它在第一次出现时有清晰的定义，并且在后续章节中保持了一致性，这极大地减少了阅读时的认知负担。我注意到，即便是最复杂的傅里叶变换或偏微分方程组，其书写格式也严格遵循国际标准，避免了因符号歧义而导致的理解偏差。这种对细节的尊重，体现了作者对读者时间价值的珍视。在需要深入理解某些场效应晶体管的静电学特性的章节，那些精心绘制的能带图和电势剖面图，成为了理解抽象概念最直接的视觉锚点，清晰度高到几乎可以作为教学挂图使用。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计简直是视觉的盛宴，那种深邃的蓝与金属银的交织，仿佛直接预示了半导体物理的复杂与深奥。初拿到手，厚实的纸张和精致的装帧就让人感受到一种沉甸甸的学术分量。我翻开扉页，里面的图表和公式布局清晰，逻辑链条似乎在试图引导读者穿越错综复杂的能带结构图。虽然我对这个具体领域了解不深，但从排版来看，它绝对是一本面向高阶研究人员或专业工程师的深度著作。它不仅仅是知识的堆砌，更像是一部精密仪器的工作手册，每一个章节的标题都充满了专业术语的魅力，暗示着对材料缺陷、界面效应以及器件性能极限的深刻探讨。阅读这类书籍，往往需要的不仅仅是智力上的投入，更是一种对物理本质的敬畏之心，期待它能将那些抽象的量子力学概念，通过扎实的工程应用案例，变得触手可及，为我打开理解现代微电子器件设计的新窗口。

评分☆☆☆☆☆

从内容组织上看，作者似乎非常注重理论与实践的结合点，尽管理论部分占据了绝对的主导地位。我注意到书中用了大量的篇幅来分析器件的非理想效应，比如热载流子散射、界面态的俘获与释放等，这些恰恰是决定实际芯片性能和可靠性的关键所在。这种对“工程限制”的清醒认识，使得整本书的基调并非停留在完美的理论模型上，而是根植于真实的半导体制造环境中。举例来说，它对掺杂不均匀性如何影响阈值电压的波动进行了细致的数学建模，这对于需要进行工艺优化和良率提升的工程师来说，价值是无可估量的。它不是在描绘一个乌托邦式的完美器件，而是在解析一个在现实世界中努力达到极限的复杂系统，这种务实的态度令人赞赏。

评分☆☆☆☆☆

坦白说，这本书的专业性门槛是毋庸置疑的，它需要读者具备扎实的固体物理和半导体器件物理基础。对于我这个处于学习曲线中段的读者而言，阅读的体验更像是一场持续的“认知升级”挑战。很多章节的推导过程，需要我反复回溯到前面的基础知识点才能完全跟上作者的逻辑跳跃。然而，正是在这种“被推动”的过程中，我的知识边界得到了极大的拓宽。它不是一本可以随意翻阅消遣的书籍，它要求你全身心地投入，去理解从原子尺度到宏观电学性能之间的那条漫长而精密的桥梁是如何搭建起来的。读完它，我感觉自己对“场效应”的理解不再是停留在简单的开关概念上，而是上升到了对界面物理学和载流子输运动力学的深层洞察，这是任何简短综述都无法给予的深度体验。

评分☆☆☆☆☆