This is a unique book devoted to the important class of both oxide and nitride semiconductors. It covers processing, properties and applications of ZnO and GaN. The aim of this book is to provide the fundamental and technological issues for both ZnO and GaN. Materials properties, bulk growth, thin and thick films growth, control of polarity and application, nonpolar growth, structural defects, optical properties, electrical properties, nanostructures and the applications, and light emitters based on GaN and ZnO are treated succinctly. The unique format of touching both materials in each chapter enables this book to be very fresh, essential, and easy-to-access for readers who have interests in, and need getting more involved with, the most exciting compound semiconductors, ZnO and GaN
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这本书在结构布局上展现出一种高度的模块化倾向,每一章似乎都可以独立成篇,这既是优点也是缺点。它的好处在于,你可以直接跳到你感兴趣的特定主题——比如某一特定掺杂体系下的光电响应特性——进行深入研究,而不需要担心遗漏前面章节的基础知识。然而,这种缺乏全局连贯性的结构也导致了理论知识的重复出现,在不同章节中,对同一个物理效应的解释会以略微不同的数学表述再次出现。我发现作者对于材料合成过程中的“偶发性”问题的处理方式特别值得关注,他没有试图将其归纳为标准流程,而是将其视为一种不可避免的随机变量,并着重分析了这些“随机性”如何影响最终器件的可靠性。这种务实的、甚至略带宿命论的写作态度,在其他许多“完美化”的教科书中是看不到的。这本书为我们揭示了材料科学实验中那些不尽如人意的、但又必须面对的现实挑战。
评分这是一本需要耐心和咖啡陪伴才能攻克的读物。它的行文风格极其简洁,甚至有些刻板,几乎没有使用任何华丽的辞藻或鼓励性的语言,仿佛作者只是在精确地记录他所知道的一切事实。数据图表的密度令人咋舌,几乎每隔两三页就会出现一个复杂的图谱或表格,而且很多图表的设计相当老派,信息量巨大,需要花费不少时间去逐一解码。在讨论某些特定化合物的稳定性和相变临界点时,作者采用了近乎冗余的重复论证,虽然这保证了信息的准确性,但对于追求阅读效率的人来说,无疑是一种考验。我感觉这本书更像是某个资深实验室的内部技术报告集结而成,它忠实地记录了某个研究小组多年的数据积累和反复验证的结果。对于需要进行严格的文献综述和跨学科交叉验证的学者而言,这本书提供了无可替代的原始数据和严谨的逻辑链条,但对于广大的初级工程师而言,可能需要一个经验丰富的导师在旁协助解读。
评分这本书的视野似乎比书名所暗示的要宽广得多。虽然书名聚焦于半导体材料,但其中对于“电子在非完美晶格中的传播”这一核心问题的讨论,大量借鉴了非晶态固体物理和高熵合金的研究成果。作者似乎在刻意地打破学科边界,试图用一种更普适的物理框架来统一描述不同材料体系的行为。这种跨界的引用令人耳目一新,特别是当他将热力学中的“信息熵”概念引入到对材料生长过程中无序性的量化描述时,那种深刻的洞察力让人拍案叫绝。不过,这种广博也带来了术语使用上的不一致性,有时一个概念会因为引用自不同领域的文献而出现两种甚至三种不同的命名方式,这在初次阅读时造成了不小的困扰。总的来说,这是一本启发性极强的读物,它挑战了我们对传统材料分类的固有观念,鼓励读者从更基础的物理原理上去审视看似差异巨大的材料家族。
评分这本书的叙事节奏非常独特,它更像是一部关于材料科学史的编年史,而不是一本纯粹的工程手册。开篇便花了大量篇幅追溯了自晶体管发明以来,半导体研究领域几个关键转折点的思想演变,这部分写得非常引人入胜,充满了对先驱者们智慧的敬佩。随后,章节的跳转显得有些跳跃,从宏观的器件特性突然过渡到了微观尺度的缺陷化学,中间缺少了平滑的衔接。关于薄膜生长方法的描述,与其说是操作指南,不如说是对不同工艺参数组合下宏观观察结果的归纳总结,充满了实验家特有的“直觉式”描述。我尤其欣赏作者在讨论应力与形变对材料电学性能影响时所采用的类比手法,虽然略显古老,但极其形象。这本书的价值更多体现在其历史视角和对基础科学哲学的探讨上,对于想要了解“我们是如何走到今天这一步”的读者来说,是一本非常好的参考读物,但如果你指望从中找到最新的CMOS工艺流程或具体的电路设计技巧,那可能会大失所望。
评分这本书的封面设计得相当有冲击力,深邃的蓝色背景上交织着几条闪烁的橙色和绿色的光带,让人联想到高能物理实验中捕捉到的瞬间。我拿到它的时候,首先吸引我的是那股扑面而来的、严谨的学术气息。内容上,它似乎专注于基础理论的构建,特别是关于量子效率和载流子输运机制的探讨,篇幅很大一部分都用来推导复杂的半导体物理方程,引用了大量早期经典文献,这对于希望深入理解材料本征特性的研究人员来说,无疑是一座宝库。作者对于晶格振动和电子-声子耦合效应的分析尤为深入,甚至涉及到了非常小众的同位素效应对能带结构的影响。阅读过程中,我感觉自己仿佛回到了大学的课堂,需要频繁地查阅傅里叶变换和张量分析的补充材料,才能完全跟上作者的思路。不过,这种深度也意味着它可能不太适合那些寻求快速入门或工程应用指南的读者。它更像是一本为“理论深度党”准备的教科书,要求读者具备扎实的数学基础和对固体物理学的深刻理解。
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