Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Materials Properties, Physics and Growth

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出版者:
作者:Morkoç, Hadis
出品人:
页数:1311
译者:
出版时间:2008-5
价格:224.00 元
装帧:
isbn号码:9783527408375
丛书系列:
图书标签:
  • Nitride Semiconductors
  • III-Nitride Materials
  • Semiconductor Physics
  • Materials Science
  • Device Physics
  • Thin Film Growth
  • Heterostructures
  • Optical Properties
  • Electronic Properties
  • Wide Bandgap Semiconductors
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具体描述

The three volumes of this handbook treat the fundamentals, technology and nanotechnology of nitride semiconductors with an extraordinary clarity and depth. They present all the necessary basics of semiconductor and device physics and engineering together with an extensive reference section. Volume 1 deals with the properties and growth of GaN. The deposition methods considered are: hydride VPE, organometallic CVD, MBE, and liquid/high pressure growth. Additionally, extended defects and their electrical nature, point defects, and doping are reviewed.

《金属有机化学:合成、结构与反应》 本书深入探讨了金属有机化学的核心概念,这是一门横跨有机化学与无机化学的迷人领域。从金属-碳键的形成与性质,到有机金属化合物在催化、材料科学以及生物医药领域的广泛应用,本书提供了全面而详实的介绍。 第一部分:金属有机化合物的合成与结构 本部分首先回顾了构成金属有机化学基石的合成方法。我们将详细介绍各类有机金属试剂,例如格氏试剂、有机锂试剂以及有机锌、有机铜试剂的制备和反应性。随后,我们将重点关注更现代的合成策略,包括金属介导的偶联反应,如Suzuki、Stille、Negishi、Heck以及Sonogashira偶联,并阐述它们在构建复杂有机分子中的关键作用。我们还将介绍有机金属化合物的多种配位模式,包括sigma、pi配位,以及与烯烃、炔烃、芳香环和离散的sigma键(如C-H键)的相互作用。 本书将详细剖析各种分析技术在确定有机金属化合物结构中的应用。核磁共振(NMR)谱,特别是¹H, ¹³C, ³¹P, 和¹¹⁹Sn NMR,将作为研究有机金属化合物结构和动力学的有力工具进行深入讲解。质谱(MS)将用于确定化合物的分子量和碎片模式。X射线单晶衍射作为确定三维结构的黄金标准,也将被详细介绍其原理和应用。此外,我们还将探讨配位化学原理,分析金属中心的氧化态、配位数以及配体的电子效应和空间效应如何影响有机金属化合物的结构和稳定性。 第二部分:金属有机化合物的反应性与机理 本部分将聚焦于有机金属化合物丰富多样的反应性。我们将深入探讨金属有机化学中最重要的一类反应——氧化加成和还原消除,并分析其在催化循环中的关键作用。氧化加成是指金属中心从一个配体(通常是含有极性键的分子,如卤代烷、有机酰卤)接受一个取代基,同时其氧化态增加的过程。还原消除则是氧化加成的逆过程,金属中心释放出两个或多个配体,形成新的化学键,同时金属的氧化态降低。 本书将详细阐述金属有机化合物在催化中的应用。特别地,我们将深入研究过渡金属催化剂在各类重要有机转化中的作用,包括: 交叉偶联反应: 除了在合成部分提到的偶联反应,我们将更深入地解析这些反应的催化机理,包括催化剂的活化、金属-碳键的形成、跨越金属中心的基团转移以及产物的脱落。我们将重点关注Pd、Ni、Cu等金属催化剂在这些反应中的独特性质和应用。 烯烃复分解反应: 这一强大的工具能够实现碳-碳双键的断裂与重组,我们将探讨Grubbs催化剂和Schrock催化剂等经典催化体系,并分析其机理,包括卡宾中间体的形成和烷基链的插入。 C-H键活化: 这是一个前沿的研究领域,它允许直接转化惰性的C-H键,具有重要的合成意义。我们将介绍各种金属催化剂(如Rh, Ru, Ir)在C-H键官能团化反应中的应用,并探讨其机理,包括金属氢化物中间体和插入反应。 不对称催化: 为了获得具有特定手性的产物,我们将详细介绍手性配体在金属催化中的作用,以及如何设计手性金属有机催化剂来实现高对映选择性。我们将分析不对称氢化、不对称环加成等反应的机理。 此外,我们还将讨论金属有机化合物的其他重要反应,如: 金属插入反应: 金属中心插入到共价键(如C-H, C-X, C-C键)中,是许多催化循环的起始步骤。 sigma键金属化: 金属直接与sigma键(如C-H键)发生反应,形成新的金属-碳键。 配体迁移和插入: 在催化循环中,有机基团从一个金属原子迁移到另一个金属原子,或者插入到金属-配体键中。 第三部分:金属有机化学的应用 本部分将展示金属有机化学在各个领域的广泛而深刻的影响。 催化: 除了在第二部分已经详细介绍的各种催化反应,我们将总结金属有机催化在工业生产中的重要性,例如在聚合反应、精细化学品合成和药物生产中的应用。 材料科学: 有机金属化合物在设计和合成新型功能材料方面扮演着至关重要的角色。我们将探讨有机金属聚合物、金属有机框架(MOFs)以及用于有机发光二极管(OLEDs)、太阳能电池和传感器等领域的有机金属配合物。我们将关注这些材料的结构-性质关系,以及如何通过调控有机金属结构来获得期望的性能。 生物无机化学与医药: 本节将介绍有机金属化合物在生命科学中的应用,包括金属酶的活性中心、用于诊断和治疗的金属药物(如铂类抗癌药物)以及金属有机化合物在生物传感和药物递送方面的潜力。我们将讨论金属在生物分子中的作用机制,以及如何利用有机金属化学来开发新型的生物活性分子。 总结 《金属有机化学:合成、结构与反应》旨在为本科生和研究生提供坚实的理论基础和丰富的实践知识。通过对合成方法、反应机理以及最新应用进展的深入剖析,本书将帮助读者理解金属有机化学的强大力量,并激发他们在该领域的进一步探索和创新。本书的编写风格力求严谨又不失趣味,通过清晰的图示和详细的反应实例,帮助读者掌握复杂概念,并能独立运用所学知识解决实际问题。

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这本书的封面设计非常引人注目,那种深沉的蓝色调,配上简洁有力的白色字体,立刻就给人一种专业、严谨的感觉。我第一次在书店看到它时,就被那种厚重感吸引住了,拿在手里沉甸甸的,仿佛里面蕴含着无数的知识和智慧。装帧质量一看就是上乘之作,即便是经常翻阅,也不会轻易磨损。内页的纸张选择也十分考究,触感细腻,印刷的墨色清晰度极高,即便是长时间阅读那些复杂的公式和图表,眼睛也不会感到疲劳。这种对物理细节的关注,让我对书中内容的深度和广度有了极高的期待。它不仅仅是一本工具书,更像是一件精美的工艺品,摆在书架上都显得格调不凡,无疑是半导体研究领域必备的收藏品之一,体现了出版商对科学文献质量的承诺。

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这本书的语言风格非常专业、严谨,同时又不失学术的温度。作者在阐述复杂的物理现象时,选词精准,用句精炼,避免了不必要的冗长和晦涩。它不是那种高高在上、拒人于千里之外的学术著作,而是像一位经验丰富的导师在耐心地为你解析难题。尤其是在处理那些容易产生歧义的半导体物理概念时,作者总是能用最清晰、最权威的语言给出定义和解释。读起来,我能感受到作者数十年研究积累的沉淀,那种对材料体系深刻的理解和洞察力,透过文字清晰地传递出来。这本书的价值绝不仅仅在于罗列公式和数据,更在于它提供了一种严谨的、科学的思维方式。

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我对这本书的排版和逻辑结构印象非常深刻,它不像某些教科书那样将知识点堆砌在一起,而是构建了一个清晰的知识脉络。从基础的晶体结构和电子能带理论的铺陈开始,逐步深入到器件的物理机制,过渡得极其自然流畅。我特别欣赏作者在引入新概念时所采用的循序渐进的方式,即便是初次接触这一领域的读者,也能在详细的数学推导和物理图像的引导下,逐步建立起完整的认知体系。书中的章节划分非常合理,使得查找特定信息变得高效快捷。例如,当我需要回顾某个特定的生长工艺参数时,目录和索引的精确性极大地节省了我的时间。这种对读者使用体验的深度考量,体现了作者在内容组织上的非凡功力,真正做到了“授人以渔”。

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这本书的广度令人咋舌,它几乎涵盖了氮化物半导体领域所有主流和前沿的研究方向。我惊喜地发现,它不仅详尽阐述了氮化镓(GaN)的经典特性,还对氮化铝(AlN)和InGaN合金系在深紫外LED和高功率射频器件中的应用进行了深入探讨。这种全景式的覆盖,使得这本书成为了一个“一站式”的参考平台。我不再需要翻阅十来本不同的综述文章来拼凑出一个完整的知识框架。无论是材料的制备工艺,比如MOCVD和MBE的最新进展,还是器件的可靠性与失效分析,书中都有相当篇幅的论述。它为我规划未来的研究方向提供了坚实的知识基础和灵感源泉,让我能以更宏观的视角审视整个技术栈。

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这本书的插图和数据可视化部分达到了教科书级别的顶尖水准。我发现很多关键的物理过程,仅凭文字描述往往难以理解透彻,但书中提供的那些精心绘制的能带图、缺陷结构模型以及电学特性曲线,简直是“一图胜千言”。这些图表不仅准确无误,而且在视觉上做了优化,关键信息点突出,对比鲜明。更难得的是,许多图例都附带有详细的注释,解释了数据背后的物理意义,而不是仅仅展示结果。这对于需要进行实验验证和参数优化的研究人员来说,简直是无价之宝。高质量的图表极大地加速了我的学习进程,让我能够快速地将抽象的理论与实际的半导体器件性能联系起来,这是很多同类书籍所欠缺的。

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