具体描述
《电路基础(第2版)》由电路的基本概念和定律、电阻电路分析、网络定理、多端元件和双口网络、动态电路的时域分析、正弦稳态分析、正弦稳态的功率和三相电路、网络函数和频率特性、含耦合电感的电路分析等九章及附录组成。《电路基础(第2版)》保持1版的风格和特点，突出电路理论的基本内容，有比较丰富的例题和习题，便于学生自学。学生在学习电路知识的同时，还可以学习掌握和运用电路知识的方法，提高分析和解决问题的能力。本教材适合于电子、通信与信息类专业的高职高专和普通本科学生使用。
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读后感
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用户评价
坦率地说，我被这本书的**动态分析和频率响应**章节彻底征服了。我之前接触的很多教材在讲解 Bode 图时，通常只停留在二阶以上系统的截止频率和相位裕度计算上，对于实际系统中的寄生电容和电感对瞬态响应的“隐形”影响，往往轻描淡写。然而，《电路基础》在这方面做到了极致的细致。它引入了“时间常数叠加原理”来预测复杂RC网络对信号上升沿的拖拽效应，并提供了一套快速估算工具。更难得的是，它没有把傅里叶变换当作一个纯粹的数学工具来讲解，而是将其作为一种分析工具，展示了周期方波信号在通过不同带宽滤波器后的频谱衰减和波形失真，这种“所见即所得”的解释方式，极大地加深了对频率域和时域相互转换的理解。读完这一部分，我对“带宽”这个概念的理解，从一个简单的数字（如-3dB点），上升到了对整个系统动态性能的定性把握。对于处理射频前端或高速数字接口的人来说，这部分内容简直是如获至宝。
评分这本名为《电路基础》的书，真是让我大开眼界，尤其是它对**模拟信号处理**那部分内容的讲解，简直是教科书级别的细致入微。我之前在尝试设计一个低噪声放大器时，总是被各种参数的耦合关系搞得焦头烂额，但这本书里通过好几个经典的案例分析，一步步拆解了噪声源的识别、如何优化反馈结构以提升信噪比，甚至连PCB布局对高频信号完整性的影响都有深入探讨。作者似乎完全没有遗漏任何一个可能影响最终电路性能的细节。读完这一章节，我立刻回去调整了我的设计，效果立竿见影，原来那些困扰我的“玄学”问题，都有着清晰的物理和数学依据。特别是关于运算放大器的非理想特性建模，它没有停留在教科书上常见的理想模型，而是详细分析了输入失调电压、温漂以及有限开环增益在实际电路中的累积效应，这对于一个想从理论走向实践的工程师来说，价值无可估量。书中还穿插了一些历史上的经典设计思路，比如早期晶体管放大器是如何一步步演变成现代集成电路的，这种宏大的叙事视角让人在学习具体技术的同时，也能感受到电子工程学的历史厚重感，非常引人入胜。
评分我对这本书的**系统级思维培养**给予高度评价，这可能也是它与其他纯粹的器件物理或元件级电路书最大的区别所在。它不满足于让你成为一个优秀的“元件布线工”，而是着力培养你成为一个能够进行系统架构决策的工程师。书中关于**反馈理论**的阐述，并没有止步于经典的负反馈对增益的稳定作用，而是拓展到了状态空间模型在复杂多变量系统控制中的应用，虽然只是点到为止的介绍，但足以让初学者窥见现代控制理论的宏伟蓝图。作者在多处强调了模块化设计的重要性，并用一个大型电源管理单元（PMU）的设计流程作为贯穿始终的案例，展示了如何分解需求、确定接口规范，以及如何通过模块间的隔离来控制耦合度。这种从“点”到“面”的视角转换，让我开始反思自己过去那种“头痛医头、脚痛医脚”的电路设计习惯，明白了电路设计的本质往往是系统优化，而非单纯的元件选型。
评分我原本以为这本《电路基础》会是一本枯燥的理论堆砌，毕竟“基础”二字常常意味着对复杂应用领域的规避，但事实恰恰相反，这本书在**直流偏置与功耗管理**方面的论述，极具前瞻性和实用性。书中用一种非常系统化的方法，将晶体管的静态工作点设定提升到了艺术的层面。它不仅仅教你如何计算 $V_{CE}$ 或 $V_{DS}$，而是深入剖析了不同偏置电路（如分压偏置、发射极/源极自偏置）在面对器件参数差异（$eta$ 或 $K'$ 的离散性）时的鲁棒性。最让我印象深刻的是它对热失控现象的深入分析，通过相平面图的引入，直观地展示了当散热不足或偏置点设置不当时，电路是如何在毫秒间走向崩溃的。这部分内容对于设计电池供电设备尤其重要，因为它明确指出了在追求低功耗极限时，必须在哪些环节进行冗余设计，在哪里可以进行激进的裁剪。书中还对比了BJT和MOSFET在不同工作模式下的电流消耗特性曲线，这种横向的比较使得知识点之间的联系更加紧密，而不是孤立存在于章节的边界内。
评分这本书在**器件物理的实际应用转化**方面，表现得尤为出色，这点我必须单独提出来。《电路基础》并没有花太多篇幅去推导半导体物理的薛定谔方程，而是聚焦于如何将**PN结、MOS结构**的特性，转化为可直接用于电路分析的查表和简化模型。例如，在讲解MOSFET的导通电阻$R_{DS(on)}$时，作者不仅给出了公式，还分析了在深度亚阈值区和强反型区，其温度依赖性和栅压依赖性的微妙差异，并将其与实际的MOSFET数据手册（Datasheet）进行对比，教你如何快速解读制造商提供的信息。这种“从书本到工厂”的无缝衔接能力，是很多偏向理论的教材所缺乏的。此外，书中对**二极管钳位和开关特性**的讨论，也远超一般水平，它详细分析了肖特基二极管的结电容效应，以及如何利用快速恢复二极管来缓解感性负载开关时产生的尖峰电压，这些都是我在实际维修和设计中经常遇到的实际问题，读完后感觉手中的工具箱里又多了几件趁手的利器。
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