Modern Crystallography II (Springer Series in Solid-State Sciences)

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出版者:Springer-Verlag
作者:B. K. Vainshtein
出品人:
页数:0
译者:
出版时间:1982-06
价格:USD 87.00
装帧:Hardcover
isbn号码:9780387105178
丛书系列:
图书标签:
  • Crystallography
  • Solid-State Physics
  • Materials Science
  • X-ray Diffraction
  • Neutron Diffraction
  • Electron Diffraction
  • Crystal Structure
  • Phase Transitions
  • Diffraction Techniques
  • Materials Characterization
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具体描述

晶体生长:原理、过程与控制 本书深入探讨了晶体生长的基本原理、多样化的生长过程以及实现精确控制的方法。从基础的热力学和动力学出发,本书详细阐述了晶体形成的驱动力,包括过饱和度、过冷度和化学势差等关键概念。读者将了解不同晶体相之间的能量关系,以及它们如何在特定条件下稳定存在。 本书重点介绍了多种主要的晶体生长技术,并对其适用范围、优缺点进行了细致的分析。例如,溶液生长法,包括从水溶液、非水溶液和熔盐中生长的原理,以及如何通过控制温度、溶剂组成和添加剂来影响晶体形态和尺寸。对于熔体生长法,本书深入讲解了直拉法(Czochralski method)、提拉法(Bridgman method)、区熔法(Zone melting)等经典技术,并探讨了不同生长炉的设计、气氛控制以及固液界面的稳定性问题。蒸汽生长法,包括化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD),因其在薄膜制备和纳米材料合成中的重要性,也得到了详尽的介绍,涉及前驱体选择、反应动力学和基底相互作用等。 此外,本书还涵盖了晶体生长过程中面临的挑战和对应的解决方案。晶体缺陷,如点缺陷、位错、晶界和夹杂物,对晶体材料的性能有着至关重要的影响。本书分析了这些缺陷的形成机制,并提出了相应的抑制和消除策略,例如优化生长条件、选择合适的生长坩埚材料以及进行后处理退火等。晶体生长过程中的传质传热问题也是不可忽视的一环。本书通过详细的理论推导和数值模拟,揭示了温度梯度、浓度分布和流体动力学对晶体生长速率、均匀性和界面形态的影响,并提出了优化传质传热条件的具体方法,以实现高质量晶体的生长。 本书的另一重要亮点在于其对晶体生长过程的动力学研究。分子动力学模拟、蒙特卡洛方法等先进的计算工具被引入,用于揭示原子尺度上晶体生长的微观机制。读者将了解原子在生长界面上的附着、迁移和脱附过程,以及这些过程如何决定宏观晶体结构的形成。同时,本书也探讨了晶体生长中的相变动力学,包括固-液、固-气以及固-固相变,并分析了这些相变对晶体质量的影响。 在晶体生长控制方面,本书强调了精确调控生长环境的重要性。从温度分布的均匀性、气氛的纯净度,到机械振动的抑制,每一个细节都可能对最终晶体的质量产生深远影响。本书提供了多种先进的监控和反馈控制技术,例如在线光学测量、温度传感器阵列和激光干涉仪,以实现对生长过程的实时监测和精确调控。对于特定应用领域,如半导体材料、光学晶体和压电晶体的生长,本书还介绍了定制化的生长策略和工艺流程。 本书还关注了晶体生长过程中的界面稳定性问题。固液界面在生长过程中可能发生不稳定性,导致生长出具有缺陷的晶体。本书深入分析了各种界面不稳定性,如里特尔不稳定性(Lid-tail instability)和热不稳定性(Thermal instability),并介绍了如何通过控制生长速率、温度梯度和界面能量来提高界面稳定性。 总而言之,本书为读者提供了一个全面而深入的晶体生长理论和实践框架。无论您是从事材料科学、凝聚态物理、化学还是工程领域的科研人员或学生,本书都将是您理解和掌握晶体生长技术的宝贵资源。通过学习本书,您将能够更好地设计和实施晶体生长实验,从而制备出满足特定需求的、高性能的晶体材料。

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