Solid-Liquid Interfaces

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出版者:Springer Verlag
作者:Wandelt, K./ Thurgate, S.
出品人:
页数:444
译者:
出版时间:
价格:209
装帧:HRD
isbn号码:9783540425830
丛书系列:
图书标签:
  • 界面科学
  • 固体物理
  • 液体物理
  • 表面化学
  • 材料科学
  • 胶体化学
  • 吸附
  • 催化
  • 电化学
  • 纳米材料
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具体描述

凝聚态物理前沿:晶体生长与界面动力学 内容简介 本书系统深入地探讨了凝聚态物理学中一个至关重要的领域——晶体生长过程中的界面动力学与结构演化。它并非聚焦于固体与液体界面的基础热力学或特定应用,而是将研究视角集中于晶体生长速度、形貌控制以及界面微观结构在宏观性能形成中的决定性作用。全书共分十二章,内容覆盖从基本的热力学驱动力到复杂的动力学限制机制,为材料科学家、物理学家和工程师提供了理解和调控复杂晶体结构形成的理论框架与实验指导。 第一部分:晶体生长的基本驱动力与热力学基础 (第1章至第3章) 第1章:相变的热力学驱动与过饱和度 本章首先回顾了晶体生长的基本热力学原理,重点分析了成核和生长的驱动力——即化学位或自由能的过饱和度(或过冷度)。详细阐述了Gibbs自由能与曲率的关系,引入了经典成核理论(CNT)的关键概念,包括临界核半径和成核能垒的精确计算方法。讨论了均匀成核与异相成核在实际生长过程中的相对重要性及其对初始晶粒尺寸分布的影响。 第2章:生长界面的结构与分类 晶体生长过程本质上是原子在固/液界面上的逐层附着与扩散过程。本章深入剖析了界面结构的分类,从光滑(或平坦)界面到粗糙(或台阶-螺旋结构)界面。详细阐述了由Burton, Cabrera, Frank (BCF) 理论所描述的台阶动力学,包括台阶的疏密、运动速度以及由晶体缺陷(如螺型位错)诱导的自催化生长机制。通过电子显微镜和扫描探针显微镜的图像分析,直观展示了不同生长条件下界面形态的演变。 第3章:表面迁移率与扩散限制 晶体生长速率不仅仅受界面反应速率控制,还受到原子在界面上迁移和扩散速率的显著影响。本章专门讨论了表面扩散的激活能景观,以及如何通过温度和材料参数来调节原子附着和脱附的动力学常数。建立了界面反应动力学方程与扩散方程的耦合模型,用以预测在不同传质边界条件下(如高浓度梯度或快速冷却)的生长速率限制。 第二部分:动力学演化与界面不稳定性 (第4章至第7章) 第4章:生长速度的温度依赖性与激活能谱 本章系统考察了晶体生长速度对温度的非线性依赖关系。通过Arrhenius型拟合分析了不同生长机制(如二维成核控制与扩散控制)在不同温度范围内的主导地位。引入了更精细的动力学模型来解释在极低温度下,由于原子振动受限导致的生长速率平台期现象。 第5章: Mullins-Sekerka不稳定性理论及其应用 晶体生长界面并非总是保持平坦,当生长速度超过某一临界值时,界面会发生分解和不稳定现象,导致枝晶(Dendrite)的形成。本章详细推导并应用了Mullins-Sekerka(MS)不稳定性理论,分析了热梯度和浓度梯度对线性稳定性边界的影响。重点讨论了如何通过精确控制传热与传质速率来抑制枝晶生长,从而获得更均匀的材料微观结构。 第6章:枝晶生长形态学与定量分析 枝晶是快速凝固过程中的典型形态。本章聚焦于枝晶尖端的生长动力学,利用Ivantsov-Cherepanov模型来描述枝晶的几何形状与生长速度之间的关系。通过对实际观察到的初级、次级和三级枝晶角的测量和分析,揭示了枝晶生长过程中能量最小化和质量守恒的内在平衡。 第7章:溶质偏析与界面陷阱效应 在含有杂质或合金元素的晶体生长中,溶质的重新分配是决定最终材料性能的关键因素。本章深入分析了溶质在固/液界面上的偏析行为,包括表观分配系数和平衡分配系数的区别。重点讨论了“界面陷阱效应”(Interface Trapping),即在极快生长速度下,溶质来不及扩散离开界面而被快速“冻结”到晶格中的现象,并建立相应的动力学模型预测陷阱的发生临界速度。 第三部分:缺陷的诱导与控制 (第8章至第10章) 第8章:位错的形成与界面耦合 晶体生长过程中缺陷的引入是不可避免的,特别是位错。本章着重研究了由于界面应力不匹配或由宏观热梯度不均匀性导致的位错成核与迁移。详细分析了边缘位错和螺位错如何通过台阶运动持续驱动生长,以及它们在界面上如何形成特征性的应力场分布。 第9章:多晶界面的形成与晶粒取向 对于非单晶生长,晶粒的形核、竞争性生长和最终的晶界形成是核心问题。本章探讨了随机形核的多晶生长模型,并引入了“随机晶粒的竞争生长”模型来预测最终晶粒尺寸分布。对高角度晶界(HAGB)和低角度晶界(LAGB)的能量差异及其对材料机械性能的影响进行了详尽的讨论。 第10章:界面能对晶体取向的影响 晶体生长方向的选择(织构形成)受界面能的各向异性控制。本章利用表面能的角函数(如$gamma$-plot)来预测最优先生长的晶面。详细分析了异质形核时,衬底与新相之间的界面能如何决定新相的最佳取向关系,即外延生长的条件与限制。 第四部分:高级模型与实验表征技术 (第11章至第12章) 第11章:相场模型在界面演化中的应用 为了模拟复杂的三维界面演化,本章介绍了相场(Phase-Field)方法。该方法通过引入一个描述相变阶次的连续变量,自然地处理了界面宽度和曲率。详细展示了如何将能量泛函和动力学方程耦合到相场方程中,以模拟枝晶、孔隙的形成和随后的界面粗化过程,并与分子动力学模拟的结果进行对比验证。 第12章:界面结构的高分辨率实验表征 本章回顾了用于直接观测和定量分析生长界面结构的关键实验技术。重点介绍了原位透射电子显微镜(In-situ TEM)在实时观察原子尺度的台阶运动和缺陷迁移中的应用。同时,讨论了同步辐射X射线衍射技术在确定生长界面应力和局部晶体畸变方面的强大能力。最后,总结了如何通过这些先进技术的结果来修正和验证理论模型。 本书旨在为从事材料科学研究的专业人士提供一个全面、深入且具有前瞻性的理论基础,以期在材料设计和工艺优化中实现对晶体结构及其相关性能的精准控制。

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