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出版者:IEEE

作者:International Symposium on VLSI Technology (COR)

出品人:

页数:226

译者:

出版时间:

价格:120

装帧:Pap

isbn号码:9780780347700

丛书系列:

图书标签:

• VLSI
• Technology
• Symposium
• 1998
• Semiconductor
• Microelectronics
• Integrated Circuits
• Electronics
• Engineering
• Computer Science
• Materials Science
• Solid-State Devices

模拟电子集成电路设计与制造的里程碑：探究现代半导体技术的前沿（非《1998 Symposium on VLSI Technology》内容） 本卷汇集了二十世纪末至二十一世纪初，全球半导体领域在超大规模集成电路（Very Large Scale Integration, VLSI）设计、制造工艺、器件物理以及系统应用等方面取得突破性进展的系列研究成果。本书旨在系统梳理和深入剖析在后摩尔时代，集成电路技术如何应对持续的尺寸微缩（Scaling）挑战，并向更高性能、更低功耗的方向迈进。 全书分为六个主要部分，涵盖了从基础材料科学到尖端封装技术的广阔范围。 --- 第一部分：先进器件结构与新材料的探索 本部分聚焦于超越传统CMOS架构的创新尝试，探讨了在纳米尺度上面临的短沟道效应、量子隧穿和可靠性问题，并提出了相应的物理解决方案。 章节 1：高迁移率晶体管的崛起 深入分析了应变硅（Strained Silicon）技术在提高载流子迁移率方面的关键作用。详细阐述了如何通过外延生长技术在硅衬底上引入应力，从而有效提升了P型和N型MOSFETs的驱动电流，是提升性能的重要手段。同时，探讨了SOI（Silicon-On-Insulator）结构在降低寄生电容、抑制闩锁效应以及提高辐射硬度方面的优势及其在射频（RF）和低功耗应用中的部署策略。 章节 2：金属栅极与高介电常数（High-k）栅极氧化物 重点讨论了在持续缩小氧化层厚度后，传统二氧化硅（SiO2）栅极介质的漏电流问题。本书详细解析了采用原子层沉积（ALD）技术制备High-k材料（如HfO2、ZrO2）的工艺控制，以及如何与新一代金属栅极材料（如Ru、TiN）形成兼容的“金属栅极/High-k”堆栈。分析了这种组合对晶体管阈值电压的调控能力和长期稳定性测试结果。 章节 3：新兴半导体材料的潜力 超越硅基的限制，本部分审视了III-V族化合物半导体（如InGaAs）在高性能互补型FET（CFET）中的应用前景，特别是在需要极高开关速度的逻辑电路中。同时，介绍了二维材料，特别是石墨烯和二硫化钼（MoS2），在亚10纳米尺度下作为下一代晶体管沟道材料的基础物理特性研究和初步器件构建成果。 --- 第二部分：极紫外光刻（EUV）与下一代图案化技术 本部分是关于如何将设计蓝图精确转移到晶圆上的核心技术探讨，尤其关注了当时正在酝胀的EUV技术。 章节 4：EUV光刻系统的挑战与进展 详细回顾了EUV光刻技术从概念验证到工程实现的关键瓶颈。重点分析了光源的亮度、掩模版的缺陷控制（特别是反射型掩模版的污染问题），以及光学系统的复杂性（如全反射镜设计）。书中包含了对早期EUV光刻机对准与套刻精度（Overlay）的严格评估。 章节 5：多重曝光与图案化增强技术 在EUV技术尚未成熟或成本受限的情况下，探讨了利用现有深紫外（DUV）光刻技术实现更小特征尺寸的策略。深入分析了相移掩模（PSM）、偏置光刻（Off-Axis Illumination）以及双重/三重曝光（LELE/SADP/SAQP）技术在复杂密集电路布局中的应用案例，包括如何通过这些技术来精确控制关键线宽（CD Uniformity）。 章节 6：先进的薄膜沉积与刻蚀技术 考察了ALD和高密度等离子体刻蚀（ICP-RIE）在制造复杂三维结构中的作用。特别关注了对深宽比（Aspect Ratio）结构刻蚀的控制，以及如何通过等离子体化学反应实现高选择性、低损伤的工艺，这对于制造FinFETs的鳍结构至关重要。 --- 第三部分：面向特定应用的高能效架构设计 随着芯片密度的增加，功耗成为限制性能提升的主要因素。本部分着重于设计方法论如何适应功耗预算。 章节 7：低功耗设计技术（Low-Power Techniques） 系统地介绍了多电压域（Multi-Voltage Domain, MVD）和多阈值电压（Multi-Threshold Voltage, MTV）的设计方法。分析了通过动态电压和频率调节（DVFS）来实现能效优化的算法和硬件实现。特别讨论了亚阈值设计（Near-Threshold Computing）的优势与挑战，即如何在极低的电压下保持电路的可靠性。 章节 8：高可靠性与变异性感知设计（Variability-Aware Design） 探讨了在纳米工艺节点下，制造过程的随机性（Random Variability）对电路性能的影响。介绍了统计单元库（Statistical Cell Libraries）的建立，以及在设计阶段如何通过冗余、纠错码（ECC）和内置自测试（BIST）电路来提高芯片的良率和长期可靠性。 章节 9：集成内存技术与MRAM的初步研究 分析了SRAM在高性能系统中面临的密度与功耗困境。同时，介绍了磁阻随机存取存储器（MRAM）作为非易失性内存的早期研究成果，包括其写入机制、读写速度的权衡，以及集成到主流CMOS工艺中的兼容性问题。 --- 第四部分：三维集成（3D IC）与异构系统集成 本部分展望了超越传统二维平面限制的集成方向，即如何通过垂直堆叠来缩短互连延迟并集成不同功能的芯片。 章节 10：硅通孔（TSV）技术的发展 详细介绍了硅通孔（Through-Silicon Via, TSV）技术的关键制造步骤，包括深孔的介电层形成、金属填充（Copper Plating）的均匀性控制，以及最终的晶圆键合（Wafer Bonding）工艺。分析了TSV对系统级性能（如带宽和功耗）的巨大提升潜力。 章节 11：异构系统与芯片堆叠 探讨了如何将逻辑芯片、存储芯片和传感器芯片通过TSV进行异构集成，构建系统级芯片（SoC-in-Package）。讨论了在堆叠芯片之间进行热管理（Thermal Management）和电源分配（Power Delivery）的复杂性与创新解决方案。 --- 第五部分：先进封装技术与系统级验证 本部分关注最终的封装对系统性能、散热和可制造性的影响。 章节 12：先进封装（Advanced Packaging）的趋势 比较了倒装芯片（Flip-Chip）、凸点阵列（BGA）以及新兴的2.5D和3D封装技术。重点分析了如何利用高密度布线的中介层（Interposer）技术来解决I/O瓶颈，特别是对高带宽内存（HBM）堆栈的支持。 章节 13：系统级验证与建模 介绍了在设计流程后期，如何利用功耗和时序分析工具对整个封装系统进行端到端的验证。涵盖了寄生参数提取、热效应建模以及在不同工作负载下的系统级仿真方法。 --- 第六部分：面向未来的计算范式 最后，本部分探讨了VLSI技术可能催生的下一代计算平台。 章节 14：特定领域架构（Domain-Specific Architectures） 分析了通用处理器（CPU）在处理特定任务（如图形渲染、信号处理）时效率的局限性。本章详细介绍了加速器（Accelerators）的设计原理，特别是针对数字信号处理（DSP）和早期神经网络模型的硬件优化技术。 章节 15：电路与算法的协同设计 强调了在深度微缩时代，设计效率不再仅仅依赖于工艺进步，更依赖于算法对硬件特性的适应性。探讨了如何根据电路的实际延迟、功耗特性来调整算法的精度和结构，实现性能的整体最大化。 本书是理解二十世纪末二十一世纪初半导体工程领域技术深度和广度的重要参考资料，为后续的集成电路研究奠定了坚实的理论和实践基础。

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