Basic Mathematics for Electricity and Electronics

Basic Mathematics for Electricity and Electronics pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:Career Education
作者:Bertrard Singer
出品人:
页数:897
译者:
出版时间:1999-10-22
价格:144.85
装帧:Hardcover
isbn号码:9780028050225
丛书系列:
图书标签:
  • 数学
  • 电子学
  • 电学
  • 基础知识
  • 电路
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具体描述

深入解析电路与电子学基础:超越基础数学的精进之路 图书名称: Advanced Circuit Theory and Semiconductor Physics 简介: 本书《Advanced Circuit Theory and Semiconductor Physics》旨在为已经掌握基础电路分析和初级电子学概念的学习者提供一个深入、系统且极具实践价值的进阶指南。我们深知,在瞬息万变的电子工程领域,仅凭对欧姆定律和基本基尔霍夫定律的理解是远远不够的。真正的创新和复杂系统的设计,需要对非线性元件的行为、高频效应、以及半导体器件内部物理机制的深刻洞察。 本书的结构设计旨在实现从理论的深度挖掘到实际应用的精细打磨的无缝过渡。我们摒弃了对基础代数和三角函数等入门级数学工具的赘述,而是将焦点集中于高等数学在电子工程中的核心应用,包括复变函数、拉普拉斯变换在瞬态分析中的应用、傅里叶级数与变换在高保真音频和通信系统中的角色,以及矩阵代数在多端口网络分析中的关键作用。 第一部分:高级电路分析与网络理论的基石 本部分将带您进入一个更加抽象和强大的电路分析世界。 第一章:线性系统与网络拓扑的深入剖析 我们首先回顾线性电路的基本性质,但随即转向更复杂的分析工具。重点讲解了二端口网络(Two-Port Networks)的系统化描述,详细阐述了Z参数(阻抗参数)、Y参数(导纳参数)、H参数(混合参数)和T参数(传输参数)的推导、物理意义及其相互转换。通过大量实际案例,读者将学会如何利用这些参数矩阵来高效地连接和分析复杂的级联电路,如滤波器组、放大器级联等。我们还将探讨S参数(散射参数),这是理解高频和射频(RF)电路行为不可或缺的工具,特别是在阻抗匹配和回波损耗分析中。 第二章:瞬态响应与频率域分析的统一 本章是本书的核心之一,专注于拉普拉斯变换在求解微分方程形式的电路问题中的强大能力。我们将详尽地推导RLC电路在不同输入激励下的零输入响应(Zero-Input Response)和零状态响应(Zero-State Response)。拉普拉斯域中的传递函数(Transfer Function)的定义、极点(Poles)和零点(Zeros)的意义,以及它们如何决定系统的稳定性和瞬态行为,将被细致地剖析。随后,我们将探讨傅里叶级数和傅里叶变换,不仅将其视为拉普拉斯变换的特例,更强调其在分析周期性信号和非周期性信号在频域分布上的重要性,为后续的信号处理打下坚实基础。 第三章:非正弦周期激励与稳态分析 针对实际应用中常见的方波、三角波等非正弦周期信号,本章将重点应用傅里叶级数展开。读者将学习如何利用傅里叶系数来精确计算这些信号通过线性电路时的稳态响应,理解谐波失真(Harmonic Distortion)的起源与量化。我们还将介绍交变稳态分析(AC Steady-State Analysis)的复数表示法,深入探讨电抗的意义,并使用相量(Phasors)技术来简化复杂正弦激励下的电路求解,实现对功率因数校正和最大功率传输的精准设计。 第二部分:半导体器件物理与非线性电路模型 本部分从微观的半导体物理学出发,构建对现代电子设备工作原理的宏观理解。 第四章:半导体基础与PN结的形成 本书不会停留在将二极管视为理想开关的层面。我们将深入探讨半导体物理学的基础:能带理论(Energy Band Theory)、费米能级(Fermi Level)、本征半导体与杂质半导体(N型和P型)的载流子浓度。详细分析PN结的形成过程,包括空间电荷区、内建电势的形成机制。基于这些物理基础,我们将推导出理想二极管方程(Shockley Diode Equation),并解释其局限性,进而引入小信号模型,为后续的放大器分析做准备。 第五章:双极性晶体管(BJT)的深度解析 本章聚焦于BJT作为电流控制元件的精髓。我们不仅讲解Ebers-Moll模型的基本结构,更侧重于混合 $pi$ 模型(Hybrid-pi Model)的推导和应用。读者将学习如何利用该模型分析晶体管在不同工作区(截止、放大、饱和)的精确特性。重点讨论$eta$ 值的频率依赖性($f_T$ 和 $f_eta$),解释高频下晶体管性能下降的原因,并详细分析共射极、共基极和共集电极三种基本组态的电压增益、电流增益和输入/输出阻抗特性。 第六章:场效应晶体管(FET)的结构与操作 本部分系统地介绍了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的工作原理,这是现代集成电路(IC)的基石。我们将深入剖析MOS电容的特性曲线(费米-狄拉克分布),理解阈值电压($V_{TH}$)的形成。随后,详细分析增强型和耗尽型MOSFET在跨导区(Saturation Region)和线性区(Triode Region)的I-V特性曲线,并推导出其精确的直流和交流模型。与BJT的比较分析,将帮助读者理解在低功耗和高集成度设计中选择FET的优势。 第三部分:反馈、稳定性和高级应用 第七章:反馈理论与电路稳定性分析 反馈是所有复杂电子系统(从运算放大器到振荡器)设计的核心。本章将超越简单的增益叠加,引入波德图(Bode Plots)和尼奎斯特图(Nyquist Plots)作为分析反馈系统稳定性的两大核心工具。我们将详细阐述相位裕度(Phase Margin)和增益裕度(Gain Margin)的物理意义及其与系统瞬态响应的关系。读者将学会如何利用频率响应分析来预测和校正由于寄生电容或电感导致的电路振荡问题。 第八章:有源滤波器设计与运算放大器的高级应用 本章将前面学到的频率分析工具应用于实际的有源滤波器设计。我们将系统介绍巴特沃斯(Butterworth)、切比雪夫(Chebyshev)和贝塞尔(Bessel)滤波器在通带特性、过渡带陡度和群延迟方面的权衡。针对运算放大器(Op-Amp)的应用,我们将讨论理想运放模型的局限性,并分析有限带宽、摆率(Slew Rate)限制对信号保真度的影响。设计实例将包括高阶滤波器和高精度积分器。 总结与展望: 《Advanced Circuit Theory and Semiconductor Physics》并非一本快速入门的读物,它要求读者具备坚实的数学基础和初步的电子学视野。本书通过对高等数学工具的严格应用和对半导体器件内部物理机制的深入探讨,旨在培养读者分析和设计现代复杂电子系统(如高速数据采集、射频模块和高性能电源管理系统)的工程直觉和定量分析能力。完成本书的学习后,读者将有能力自信地处理实际工程中遇到的非线性、高频和稳定性挑战。

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