具體描述
本書分三大部分：第一部分“半導體物理”主要描述半導體的基本特性和它的傳導過程，尤其著重在矽和砷化鎵兩種最重要的半導體材料上。第二部分“半導體器件”討論所有主要半導體器件的物理過程和特性。由對大部分半導體器件而言最關鍵的p-n結開始，接下來討論雙極型和場效應器件，最後討論微波、量子效應、熱電子和光電子器件。第三部分“半導體工藝”介紹從晶體生長到摻雜等工藝技術。
著者簡介
作者：（美國）施敏 譯者：王明湘 趙鶴鳴
施敏，獲斯坦福大學電氣工程專業博士學位，1963—1989年在貝爾實驗室工作，1990年起在颱灣新竹交通大學（NCTU）電子工程係任教，施教博士現在為NCTU的講座教授和斯坦福大學的顧問教授，並擔任多所院校及研完機構的客座教授，他對半導體器件有著基礎性和先驅性的貢獻，特彆重要的是他閤作發明瞭非揮發存儲器，如閃存和EEPROM。施敏博士已經作為作者和閤作作者發錶學術論文200餘篇、專著12部，他的《半導體器件物理》（Wiley齣版）一書是同時代工程令應用科學齣版物中被引用最多的著作（由ISI統計，引用超過15000條）。施敏博士獲得過多項奬勵，為IEEE的終身會士、颱灣中央研究院院士和美國國傢工程院院士。
圖書目錄
第0章 引言
0.1 半導體器件
0.2 半導體工藝技術
總結
參考文獻
第1部分 半導體物理
第1章 能帶和熱平衡載流子濃度
1.1 半導體材料
1.2 基本晶體結構
1.3 共價鍵
1.4 能帶
1.5 本徵載流子濃度
1.6 施主與受主
總結
參考文獻
習題
第2章 載流子輸運現象
2.1 載流子漂移
2.2 載流子擴散
2.3 産生與復閤過程
2.4 連續性方程
2.5 熱離化發射過程
2.6 隧穿過程
2.7 空間電荷效應
2.8 強電場效應
總結
參考文獻
習題
第2部分 半導體器件
第3章 p—n結
3.1 熱平衡狀態
3.2 耗盡區
3.3 耗盡電容
3.4 電流—電壓特性
3.5 電荷存儲與瞬態響應
3.6 結擊穿
3.7 異質結
總結
參考文獻
習題
第4章 雙極型晶體管及相關器件
4.1 晶體管的工作原理
4.2 雙極型晶體管的靜態特性
4.3 雙極型晶體管的頻率響應與開關特性
4.4 非理想效應
4.5 異質結雙極型晶體管
4.6 可控矽器件及相關功率器件
總結
參考文獻
習題
第5章 MOS電容器及MOSFET
5.1 理想的MOS電容器
5.2 SiO2—Si MOS電容器
5.3 Mos電容器中的載流子輸運
5.4 電荷耦閤器件
5.5 MOSFET基本原理
總結
參考文獻
習題
第6章 先進的MOSFET及相關器件
6.1 MOSFET按比例縮小
6.2 CMOS與BiCMOS
6.3 絕緣層上MOSFET（SOI器件）
6.4 MOs存儲器結構
6.5 功率MOSFET
總結
參考文獻
習題
第7章 MESFET及相關器件
7.1 金屬—半導體接觸
7.2 金半場效應晶體管（MESFET）
7.3 調製摻雜場效應晶體管（MODFET）
總結
參考文獻
習題
第8章 微波二極管、量子效應和熱電子器件
8.1 微波頻段
8.2 隧道二極管
8.3 碰撞離化雪崩渡越時間二極管
8.4 轉移電子器件
8.5 量子效應器件
8.6 熱電子器件
總結
參考文獻
習題
第9章 發光二極管和激光器
9.1 輻射躍遷和光吸收
9.2 發光二極管
9.3 發光二極管種類
9.4 半導體激光器
總結
參考文獻
習題
第10章 光電探測器和太陽能電池
10.1 光電探測器
10.2 太陽能電池
10.3 矽及化閤物半導體太陽能電池
10.4 第三代太陽能電池
10.5 聚光
總結
參考文獻
習題
第3部分 半導體工藝
第11章 晶體生長和外延
11.1 融體中單晶矽的生長
11.2 矽的懸浮區熔工藝
11.3 砷化鎵晶體的生長技術
11.4 材料特性錶徵
11.5 外延生長技術
11.6 外延層的結構和缺陷
總結
參考文獻
習題
第12章 薄膜澱積
12.1 熱氧化
12.2 化學氣相澱積介質
12.3 化學氣相澱積多晶矽
12.4 原子層澱積
12.5 金屬化
總結
參考文獻
習題
第13章 光刻與刻蝕
13.1 光學光刻
13.2 下一代光刻技術
13.3 濕法化學腐蝕
13.4 乾法刻蝕
總結
參考文獻
習題
第14章 雜質摻雜
14.1 基本擴散工藝
14.2 非本徵擴散
14.3 擴散相關過程
14.4 注入離子的分布
14.5 注入損傷與退火
14.6 注入相關工藝
總結
參考文獻
習題
第15章 集成器件
15.1 無源元件
15.2 雙極型晶體管技術
15.3 MOSFET技術
15.4 MESFET技術
15.5 納電子學的挑戰
總結
參考文獻
習題
附錄
附錄A 符號列錶
附錄B 國際單位製（SI Units）
附錄C 單位前綴
附錄D 希臘字符錶
附錄E 物理常數
附錄F 重要元素及二元化閤物半導體材料的特性（300K時）
附錄G 矽和砷化鎵的特性（300K時）
附錄H 半導體中態密度的推導
附錄I 間接復閤的復閤率推導
附錄J 對稱共振隧穿二極管透射係數的計算
附錄K 氣體的基本動力學理論
附錄L 各章部分習題的參考答案
索引
· · · · · · (收起)
0.1 半導體器件
0.2 半導體工藝技術
總結
參考文獻
第1部分 半導體物理
第1章 能帶和熱平衡載流子濃度
1.1 半導體材料
1.2 基本晶體結構
1.3 共價鍵
1.4 能帶
1.5 本徵載流子濃度
1.6 施主與受主
總結
參考文獻
習題
第2章 載流子輸運現象
2.1 載流子漂移
2.2 載流子擴散
2.3 産生與復閤過程
2.4 連續性方程
2.5 熱離化發射過程
2.6 隧穿過程
2.7 空間電荷效應
2.8 強電場效應
總結
參考文獻
習題
第2部分 半導體器件
第3章 p—n結
3.1 熱平衡狀態
3.2 耗盡區
3.3 耗盡電容
3.4 電流—電壓特性
3.5 電荷存儲與瞬態響應
3.6 結擊穿
3.7 異質結
總結
參考文獻
習題
第4章 雙極型晶體管及相關器件
4.1 晶體管的工作原理
4.2 雙極型晶體管的靜態特性
4.3 雙極型晶體管的頻率響應與開關特性
4.4 非理想效應
4.5 異質結雙極型晶體管
4.6 可控矽器件及相關功率器件
總結
參考文獻
習題
第5章 MOS電容器及MOSFET
5.1 理想的MOS電容器
5.2 SiO2—Si MOS電容器
5.3 Mos電容器中的載流子輸運
5.4 電荷耦閤器件
5.5 MOSFET基本原理
總結
參考文獻
習題
第6章 先進的MOSFET及相關器件
6.1 MOSFET按比例縮小
6.2 CMOS與BiCMOS
6.3 絕緣層上MOSFET（SOI器件）
6.4 MOs存儲器結構
6.5 功率MOSFET
總結
參考文獻
習題
第7章 MESFET及相關器件
7.1 金屬—半導體接觸
7.2 金半場效應晶體管（MESFET）
7.3 調製摻雜場效應晶體管（MODFET）
總結
參考文獻
習題
第8章 微波二極管、量子效應和熱電子器件
8.1 微波頻段
8.2 隧道二極管
8.3 碰撞離化雪崩渡越時間二極管
8.4 轉移電子器件
8.5 量子效應器件
8.6 熱電子器件
總結
參考文獻
習題
第9章 發光二極管和激光器
9.1 輻射躍遷和光吸收
9.2 發光二極管
9.3 發光二極管種類
9.4 半導體激光器
總結
參考文獻
習題
第10章 光電探測器和太陽能電池
10.1 光電探測器
10.2 太陽能電池
10.3 矽及化閤物半導體太陽能電池
10.4 第三代太陽能電池
10.5 聚光
總結
參考文獻
習題
第3部分 半導體工藝
第11章 晶體生長和外延
11.1 融體中單晶矽的生長
11.2 矽的懸浮區熔工藝
11.3 砷化鎵晶體的生長技術
11.4 材料特性錶徵
11.5 外延生長技術
11.6 外延層的結構和缺陷
總結
參考文獻
習題
第12章 薄膜澱積
12.1 熱氧化
12.2 化學氣相澱積介質
12.3 化學氣相澱積多晶矽
12.4 原子層澱積
12.5 金屬化
總結
參考文獻
習題
第13章 光刻與刻蝕
13.1 光學光刻
13.2 下一代光刻技術
13.3 濕法化學腐蝕
13.4 乾法刻蝕
總結
參考文獻
習題
第14章 雜質摻雜
14.1 基本擴散工藝
14.2 非本徵擴散
14.3 擴散相關過程
14.4 注入離子的分布
14.5 注入損傷與退火
14.6 注入相關工藝
總結
參考文獻
習題
第15章 集成器件
15.1 無源元件
15.2 雙極型晶體管技術
15.3 MOSFET技術
15.4 MESFET技術
15.5 納電子學的挑戰
總結
參考文獻
習題
附錄
附錄A 符號列錶
附錄B 國際單位製（SI Units）
附錄C 單位前綴
附錄D 希臘字符錶
附錄E 物理常數
附錄F 重要元素及二元化閤物半導體材料的特性（300K時）
附錄G 矽和砷化鎵的特性（300K時）
附錄H 半導體中態密度的推導
附錄I 間接復閤的復閤率推導
附錄J 對稱共振隧穿二極管透射係數的計算
附錄K 氣體的基本動力學理論
附錄L 各章部分習題的參考答案
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