具体描述
This textbook on the fundamental aspects of solid state electronics presents basic and state-of-the-art topics on materials physics, device physics, and basic circuit building blocks not covered by existing textbooks on the subject. Each topic is introduced with a historical background and motivations of device invention and circuit evolution. Fundamental physics is discussed with minimum need of algebra and advanced mathematics. Another special feature is a systematic classification of fundamental mechanisms not found even in advanced texts. It bridges the gap between solid state device physics covered here with what students have learnt in their first two years of study. Used very successfully in a one-semester introductory core course for electrical and other engineering, materials science and physics junior students, the second part of each chapter is also used in an advanced undergraduate course on solid state devices. The inclusion of previously unavailable analyses of the basic transistor digital circuit building blocks and cells makes this a useful reference for engineers to look up fundamental concepts and data, design formulae, and latest devices such as the GeSi heterostructure bipolar transistors.
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用户评价
这本书的封面设计相当朴实，用色沉稳，一眼看上去就给人一种学术、严谨的感觉。当我翻开第一页，首先映入眼帘的是清晰的目录结构，清晰地勾勒出了半导体物理基础到器件应用的完整脉络。作者在引言部分用一种近乎于叙事的方式，娓娓道来了固体电子学这门学科的宏大背景及其在现代科技中的不可替代性，这种处理方式对于初学者来说非常友好，没有一上来就抛出复杂的数学公式，而是先建立起对整个领域的感性认知。随后进入晶体结构与能带理论的部分，讲解细致入微，即便是相对抽象的布洛赫定理和有效质量概念，也能通过精妙的类比和图示被有效地传达。我尤其欣赏它对二维材料电子特性的简要介绍，这表明编者紧跟了学科前沿的发展。全书的排版节奏掌握得很好，知识点之间的过渡自然流畅，让人在阅读时不会感到思维上的断裂，仿佛跟随一位经验丰富的导师，一步步深入到固体材料的微观世界。虽然是基础读物，但其内容的深度和广度足以让那些渴望扎实基础的工程师和研究人员感到满足。
评分我发现这本书在理论深度上做到了一个非常精妙的平衡。它没有像一些纯理论物理的著作那样，一开始就将读者置于勒让德变换和格林函数的海洋中，而是从最基本的晶格振动、德鲁德模型和洛伦兹模型入手，稳步提升到薛定谔方程的应用。这种循序渐进的构建方式，使得读者在接触到诸如载流子输运、霍尔效应这些需要深刻物理洞察力的部分时，已经拥有了坚实的数学和物理基础作为支撑。它并没有回避复杂的推导过程，但会确保每一步推导都有明确的物理意义锚定。比如在讨论掺杂对费米能级的影响时，作者会穿插讨论不同温度下的载流子浓度变化曲线，将统计力学的结果直接联系到半导体器件的实际性能上。这种对“物理意义优先”的坚持，使得本书不仅仅是一本工具书，更像是一部深入探讨物质世界内在规律的学术专著。
评分阅读体验上，这本书最大的优点在于其详尽且富有洞察力的图示系统。在处理半导体异质结或复杂能带结构时，很多教科书往往用过于简化的二维示意图来搪塞过去，但这本书不同。它提供的插图往往是多角度、多层次的，并且清晰地标注了关键物理量的变化趋势和边界条件。特别是在讲解MOSFET的工作原理时，通过一系列描绘载流子在沟道中迁移和势垒高度变化的时序图，使得“夹断”和“饱和”这几个常常令人困惑的概念变得异常直观。作者似乎非常理解学生在学习过程中容易在哪里卡壳，并在那些关键的转折点上，投入了更多的视觉资源进行解释。这种对视觉辅助的重视，极大地降低了理解复杂物理模型的门槛。如果你是通过阅读文字来学习物理概念感到吃力，这本书的图文结合方式会让你如鱼得水，仿佛那些原本飘忽不定的概念都有了实在的“形状”。
评分这本书的习题部分绝对是其一大亮点，它绝非那种为了凑数而设置的简单计算题。每一章末尾的练习都经过精心设计，旨在检验读者对核心概念的理解深度，而非仅仅是公式的套用能力。例如，在讨论PN结的稳态和动态特性时，随后的习题会要求读者结合实际电路模型去分析漂移电流和扩散电流的相对贡献，这需要读者进行综合性的、跨章节的思考。有些挑战性的问题甚至需要读者自己推导出一些辅助性的关系式，这对于培养独立解决问题的能力至关重要。更重要的是，作者在部分习题的后面对解题思路提供了一些建设性的提示，这些提示不是直接给出答案，而是像灯塔一样指引方向，避免读者在复杂的数学推导中迷失。我个人花了很多时间在最后的几道拓展题上，它们常常涉及一些实际工程中的妥协与优化，这使得理论知识立刻拥有了鲜活的生命力，不再是书本上的孤立符号。
评分从工程应用的视角来看，这本书的覆盖面确实相当广博，体现了固体电子学的交叉学科性质。它不仅仅停留在器件的物理特性分析，还花了不少篇幅讨论了器件的制造工艺对最终性能的影响。例如，在描述欧姆接触和肖特基接触的形成时，书中没有简单地套用理想模型，而是结合了实际的薄膜沉积过程和界面态的影响，解释了为什么实际器件的I-V曲线会偏离理论预测。此外，书中对双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的结构、工作机制以及它们在集成电路中的基本逻辑门应用进行了扎实的介绍，这种对宏观应用层面的关注，对于那些希望将理论知识迅速转化为实际设计能力的读者来说，是极其宝贵的。它成功地架起了从量子力学到实际芯片设计之间的桥梁，让人在使用这些器件时，能清晰地预见到其背后的物理限制和优化方向。
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