具体描述
《半导体制造技术导论(第2版)》共包括15章：第1章概述了半导体制造工艺；第2章介绍了基本的半导体工艺技术；第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术；第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论；第8章讨论了离子注入工艺；第9章详细介绍了刻蚀工艺；第10章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺，以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积（ALD）工艺过程；第11章介绍了金属化工艺；第12章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺；第13章介绍了工艺整合；第14章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程；第15章总结了《半导体制造技术导论(第2版)》和半导体工业未来的发展。适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。
作者简介
杨银堂，1962年生，男，河北邯郸市人，博士，教授，博士生导师，毕业于西安电子科技大学半导体专业。曾先后担任该校微电子研究所所长、技术物理学院副院长、微电子学院院长、发展规划处处长兼“211工程”办公室主任，校长助理，兼任总装备部军用电子元器件专家组副组长，曾获国家自然科学基金杰出青年基金、教育部跨世纪优秀人才，全国模范教师和中国青年科技奖，入选国家“百千万人才工程”。现任西安电子科技大学副校长。先后在国际国内重要期刊上发表论文180余篇，出版专著4部。段宝兴，1977年生，男，陕西省大荔县人，博士，教授。分别于2000年和2004年获哈尔滨理工大学材料物理与化学专业学士和硕士学位，2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。主要从事硅基功率器件与集成、宽带隙半导体功率器件和45nm后CMOS关键技术研究。首次在国际上提出的优化功率器件新技术REBULF已成功应用于横向高压功率器件设计；与合作者提出的SOI高压器件介质场增强ENDILF技术，成功解决了高压器件纵向耐压受限问题；最近首次在国际上提出了完全3DRESURF概念并已被国际同行认可。先后在国际国内重要期刊上发表论文40余篇，其中30余篇次被SCI、EI检索。担任国际重要学术期刊IEEEElectron Device Lette，Solid-State Electronics，Micro ＆ NanoLette，IEEE Traactio on Power Electronics和IETE TechnicalReview等的审稿人。 HongXiao(萧宏)1982年于中国科学技术大学获理学学士学位，1985年于中国西南物理研究所获理学硕士学位，1985年至1989年在西南物理研究所从事等离子体物理研究，1995年于美国得克萨斯大学奥斯汀分校获哲学博士学位。1995年至1998年在应用材料公司任高级技术讲师。1998年至2003年在摩托罗拉公司半导体生产部任高级制造工程师，并在奥斯汀社区大学讲授半导体制造技术。2003年至2011年在汉民微测科技股份有限公司任技术专家，现于KLA-Tencor公司任技术专家。目前的研究兴趣为电子束缺陷检测研发和集成电路制造中的电子束缺陷检测。任SPIE会员和讲师，IEEE会员和华美半导体协会终身会员。已发表30多篇期刊论文和国际会议论文，拥有7项美国专利。
目录信息
1.1 集成电路发展历史
1.1.1 世界上第一个晶体
1.1.2 世界上第一个集成电路芯片
1.1.3 摩尔定律
1.1.4 图形尺寸和晶圆尺寸
1.1.5 集成电路发展节点
1.1.6 摩尔定律或超摩尔定律
1.2 集成电路发展回顾
1.2.1 材料制备
1.2.2 半导体工艺设备
1.2.3 测量和测试工具
1.2.4 晶圆生产
1.2.5 电路设计
1.2.6 光刻版的制造
1.2.7 晶圆制造
1.3 小结
1.4 参考文献
1.5 习题
第2章 集成电路工艺介绍
2.1 集成电路工艺简介
2.2 集成电路的成品率
2.2.1 成品率的定义
2.2.2 成品率和利润
2.2.3 缺陷和成品率
2.3 无尘室技术
2.3.1 无尘室
2.3.2 污染物控制和成品率
2.3.3 无尘室的基本结构
2.3.4 无尘室的无尘衣穿着程序
2.3.5 无尘室协议规范
2.4 集成电路工艺间基本结构
2.4.1 晶圆的制造区
2.4.2 设备区
2.4.3 辅助区
2.5 集成电路测试与封装
2.5.1 晶粒测试
2.5.2 芯片的封装
2.5.3 最终的测试
2.5.4 3D封装技术
2.6 集成电路未来发展趋势
2.7 小结
2.8 参考文献
2.9 习题
第3章 半导体基础
3.1 半导体基本概念
3.1.1 能带间隙
3.1.2 晶体结构
3.1.3 掺杂半导体
3.1.4 掺杂物浓度和电导率
3.1.5 半导体材料概要
3.2 半导体基本元器件
3.2.1 电阻
3.2.2 电容
3.2.3 二极管
3.2.4 双载流子晶体管
3.2.5 MOSFET
3.3 集成电路芯片
3.3.1 存储器
3.3.2 微处理器
3.3.3 专用集成电路(ASlC)
3.4 集成电路基本工艺
3.4.1 双载流子晶体管制造过程
3.4.2 P型MOS工艺(20世纪60年代技术)
3.4.3 N型MOS工艺(20世纪70年代技术)
3.5 互补型金属氧化物晶体管
3.5.1 CMOS电路
3.5.2 CMOS工艺(20世纪80年代技术)
3.5.3 CMOS工艺(20世纪90年代技术)
3.6 2000年后半导体工艺发展趋势
3.7 小结
3.8 参考文献
3.9 习题
第4章 晶圆制造
4.1 简介
4.2 为什么使用硅材料
4.3 晶体结构与缺陷
4.3.1 晶体的晶向
4.3.2 晶体的缺陷
4.4 晶圆生产技术
4.4.1 天然的硅材料
4.4.2 硅材料的提纯
4.4.3 晶体的提拉工艺
4.4.4 晶圆的形成
4.4.5 晶圆的完成
4.5 外延硅生长技术
4.5.1 气相外延
4.5.2 外延层的生长过程
4.5.3 硅外延生长的硬件设备
4.5.4 外延生长工艺
4.5.5 外延工艺的发展趋势
4.5.6 选择性外延
4.6 衬底工程
4.6.1 绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator， SOI)
4.6.2 混合晶向技术(HOT)
4.6.3 应变硅
4.6.4 绝缘体上应变硅(Strained Silicon on Insulator， SSOI)
4.6.5 IC技术中的应变硅
4.7 小结
4.8 参考文献
4.9 习题
第5章 加热工艺
5.1 简介
5.2 加热工艺的硬件设备
5.2.1 简介
5.2.2 控制系统
5.2.3 气体输送系统
5.2.4 装载系统
5.2.5 排放系统
5.2.6 炉管
5.3 氧化工艺
5.3.1 氧化工艺的应用
5.3.2 氧化前的清洗工艺
5.3.3 氧化生长速率
5.3.4 干氧氧化工艺
5.3.5 湿氧氧化工艺
5.3.6 高压氧化工艺
5.3.7 氧化层测量技术
5.3.8 氧化工艺的发展趋势
5.4 扩散工艺
5.4.1 沉积和驱入过程
5.4.2 掺杂工艺中的测量
5.5 退火过程
5.5.1 离子注入后退火
5.5.2 合金化热处理
5.5.3 再流动过程
5.6 高温化学气相沉积
5.6.1 外延硅沉积
5.6.2 选择性外延工艺
5.6.3 多晶硅沉积
5.6.4 氮化硅沉积
5.7 快速加热工艺( RTP)系统
5.7.1 快速加热退火(RTA)系统
5.7.2 快速加热氧化(RTO)
5.7.3 快速加热CVD
5.8 加热工艺发展趋势
5.9 小结
5.10参考文献
5.11习题
第6章 光刻工艺
6.1 简介
6.2 光刻胶
6.3 光刻工艺
6.3.1 晶圆清洗
6.3.2 预处理过程
6.3.3 光刻胶涂敷
6.3.4 软烘烤
6.3.5 对准与曝光
6.3.6 曝光后烘烤
6.3.7 显影工艺
6.3.8 硬烘烤工艺
6.3.9 图形检测
6.3.10晶圆轨道步进机配套系统
6.4 光刻技术的发展趋势
6.4.1 分辨率与景深(DOF)
6.4.2 I线和深紫外线
6.4.3 分辨率增强技术
6.4.4 浸入式光刻技术
6.4.5 双重、三重和多重图形化技术
6.4.6 极紫外线(EUV)光刻技术
6.4.7 纳米压印
6.4.8 X光光刻技术
6.4.9 电子束光刻系统
6.4.10离子束光刻系统
6.5 安全性
6.6 小结
6.7 参考文献
6.8 习题
第7章 等离子体工艺
7.1 简介
7.2 等离子体基本概念
7.2.1 等离子体的成分
7.2.2 等离子体的产生
7.3 等离子体中的碰撞
7.3.1 离子化碰撞
7.3.2 激发松弛碰撞
7.3.3 分解碰撞
7.3.4 其他碰撞
7.4 等离子体参数
7.4.1 平均自由程
7.4.2 热速度
7.4.3 磁场中的带电粒子
7.4.4 玻尔兹曼分布
7.5 离子轰击
7.6 直流偏压
7.7 等离子体工艺优点
7.7.1 CVD工艺中的等离子体
7.7.2 等离子体刻蚀
7.7.3 溅镀沉积
7.8 等离子体增强化学气相沉积及等离子体刻蚀反应器
7.8.1 工艺的差异性
7.8.2 CVD反应室设计
7.8.3 刻蚀反应室的设计
7.9 遥控等离子体工艺
7.9.1 去光刻胶
7.9.2 遥控等离子体刻蚀
7.9.3 遥控等离子体清洁
7.9.4 遥控等离子体CVD(RPCVD)
7.10高密度等离子体工艺
7.10.1 感应耦合型等离子体（ICP）
7.10.2 电子回旋共振
7.11小结
7.12参考文献
7.13习题
第8章 离子注入工艺
8.1 简介
8.1.1 离子注入技术发展史
8.1.2 离子注入技术的优点
8.1.3 离子注入技术的应用
8.2 离子注入技术简介
8.2.1 阻滞机制
8.2.2 离子射程
8.2.3 通道效应
8.2.4 损伤与热退火
8.3 离子注入技术硬件设备
8.3.1 气体系统
8.3.2 电机系统
8.3.3 真空系统
8.3.4 控制系统
8.3.5 射线系统
8.4 离子注入工艺过程
8.4.1 离子注入在元器件中的应用
8.4.2 离子注入技术的其他应用
8.4.3 离子注入的基本问题
8.4.4 离子注入工艺评估
8.5 安全性
8.5.1 化学危险源
8.5.2 电机危险源
8.5.3 辐射危险源
8.5.4 机械危险源
8.6 离子注入技术发展趋势
8.7 小结
8.8 参考文献
8.9 习题
第9章 刻蚀工艺
9.1 刻蚀工艺简介
9.2 刻蚀工艺基础
9.2.1 刻蚀速率
9.2.2 刻蚀的均匀性
9.2.3 刻蚀选择性
9.2.4 刻蚀轮廓
9.2.5 负载效应
9.2.6 过刻蚀效应
9.2.7 刻蚀残余物
9.3 湿法刻蚀工艺
9.3.1 简介
9.3.2 氧化物湿法刻蚀
9.3.3 硅刻蚀
9.3.4 氮化物刻蚀
9.3.5 金属刻蚀
9.4 等离子体(干法)刻蚀工艺
9.4.1 等离子体刻蚀简介
9.4.2 等离子体刻蚀基本概念
9.4.3 纯化学刻蚀、纯物理刻蚀及反应式离子刻蚀
9.4.4 刻蚀工艺原理
9.4.5 等离子体刻蚀反应室
9.4.6 刻蚀终点
9.5 等离子体刻蚀工艺
9.5.1 电介质刻蚀
9.5.2 单晶硅刻蚀
9.5.3 多晶硅刻蚀
9.5.4 金属刻蚀
9.5.5 去光刻胶
9.5.6 干法化学刻蚀
9.5.7 整面干法刻蚀
9.5.8 等离子体刻蚀的安全性
9.6 刻蚀工艺发展趋势
9.7 刻蚀工艺未来发展趋势
9.8 小结
9.9 参考文献
9.10习题
第10章 化学气相沉积与电介质薄膜
10.1 简介
10.2 化学气相沉积
10.2.1 CVD技术说明
10.2.2 CVD反应器的类型
10.2.3 CVD基本原理
10.2.4 表面吸附
10.2.5 CVD动力学
10.3 电介质薄膜的应用
10.3.1 浅沟槽绝缘(STl)
10.3.2 侧壁间隔层
10.3.3 ILD0
10.3.4 ILD1
10.3.5 钝化保护电介质层(PD)
10.4 电介质薄膜特性
10.4.1 折射率
10.4.2 薄膜厚度
10.4.3 薄膜应力
10.5 电介质CVD工艺
10.5.1 硅烷加热CVD工艺
10.5.2 加热TEOS CVD工艺
10.5.3 PECVD硅烷工艺
10.5.4 PECVD
· · · · · · (收起)
读后感
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用户评价
阅读这本书的过程，更像是一场与一位经验丰富的工程师的深入交流。作者的语言风格朴实而精准，没有华丽的辞藻，只有扎实的内容。他善于将复杂的概念分解成易于理解的小块，并通过大量的实例来佐证。比如，在讲解刻蚀技术时，他会详细说明干法刻蚀（如反应离子刻蚀RIE）和湿法刻蚀（如湿法化学腐蚀）的区别，以及它们在不同材料和结构上的应用。他会深入分析等离子体的形成和演变过程，以及其对刻蚀速率和选择性的影响，并且会提及为了实现更精密的图形转移，如何通过控制刻蚀气体的种类、流量、功率以及反应腔的压力和温度等参数来达到纳米级别的精度。更让我惊叹的是，作者在讲述过程中，还会不时地提及一些“工程上的权衡”（engineering trade-offs），比如在追求更高的刻蚀速率时，可能需要牺牲一定的刻蚀均匀性或侧壁形貌的控制。这种对实际生产中各种复杂情况的考量，让这本书的价值远远超出了理论知识的范畴，它更像是一本指导实际操作的宝典。作者在讲解过程中，还引入了大量的图表和流程图，帮助读者更好地理解复杂的工艺流程和设备结构。我反复翻阅书中的一些关键图示，受益匪浅。
评分这本书的深度和广度让我感到非常震撼。作者在每一个章节都展现了对半导体制造技术的深刻理解，并将其系统化地呈现出来。我特别喜欢它在讲解芯片设计到制造之间的衔接部分，详细地阐述了设计规则（DRC）、物理验证（LVS）等流程是如何指导和约束制造过程的。这种前后呼应、逻辑严谨的讲解方式，让我对整个芯片的生命周期有了更全面的认识。例如，在讨论到良率（Yield）这个至关重要的指标时，作者不仅列举了可能导致良率下降的各种因素，如设备缺陷、工艺漂移、材料不纯等，还深入探讨了统计过程控制（SPC）和故障分析（FA）在提高良率中的关键作用。他通过具体的案例分析，展示了如何利用数据驱动的方法来识别和解决制造中的问题，并将良率提升的策略分解为预防、检测和纠正等多个层面。这种实操性强的讲解，让我在理论学习之外，也能感受到真实的生产环境中面临的挑战和解决之道。此外，书中对于不同类型半导体器件（如MOSFET、BJT、CMOS等）的制造流程差异，也进行了详细的对比和分析，这让我能够理解为什么在不同的应用场景下，需要选择不同的器件结构和制造工艺。作者在章节末尾提出的思考题，更是激发了我进一步探索的欲望，让我主动去查找相关的文献资料，深化对某些特定技术的理解。这本书绝对是我在半导体领域学习过程中不可或缺的参考书。
评分这本书的叙事方式非常吸引人，作者用一种引人入胜的语言，将原本可能枯燥的技术细节娓娓道来。他擅长用类比和故事来解释复杂的概念，让读者在轻松愉快的氛围中掌握知识。例如，在讲解“晶圆代工”（Foundry）模式时，作者就通过类比“为其他品牌代工生产服装”的模式，清晰地阐释了晶圆代工的商业模式和其在半导体产业中的重要地位。书中还提及了一些早期半导体行业巨头的故事，以及他们是如何在竞争中不断创新，推动技术进步的。这种人文关怀和历史纵深感的结合，让这本书不仅仅是一本技术教材，更是一部关于产业发展和技术创新的史诗。我特别喜欢书中关于“封装”（Packaging）技术的讲解，它不仅仅是将芯片固定在基板上，而是涉及到多芯片集成、三维堆叠、先进互连技术等复杂领域。作者详细介绍了TSV（硅通孔）技术、WLP（晶圆级封装）技术等，并分析了它们在提高芯片性能、降低功耗和减小体积方面的作用。这些内容让我意识到，芯片的最终性能，不仅仅取决于其内部的电路设计和制造，也与其封装方式息息相关。
评分这本书的结构清晰，逻辑性强，是学习半导体制造技术的绝佳入门读物。作者在开篇就为读者构建了一个完整的知识框架，详细介绍了半导体制造的各个环节，从晶圆制备、光刻、刻蚀、薄膜沉积，到离子注入、金属化、封装等，每一个环节都进行了循序渐进的讲解。我尤其欣赏作者在介绍每一个工艺步骤时，都会从最基础的原理讲起，然后逐步深入到具体的工艺细节和设备要求。例如，在讲解薄膜沉积技术时，作者首先介绍了PVD（物理气相沉积）和CVD（化学气相沉积）的基本原理，然后详细对比了不同PVD技术（如溅射、蒸发）和不同CVD技术（如LPCVD、PECVD）的特点、优缺点以及适用范围。他通过图文并茂的方式，清晰地展示了不同工艺设备的外观和工作流程，让我能够直观地理解这些复杂的技术。此外，作者在讲解过程中，还经常引用最新的研究成果和行业动态，使得内容既具有理论深度，又不失时效性。例如，在讨论纳米光刻技术时，书中不仅介绍了EUV（极紫外光）光刻的原理，还分析了其在实现更小线宽工艺中的关键作用，以及所面临的挑战，如光源的功率、掩模版的精度等。这种将理论与实践相结合的讲解方式，让我能够更好地理解半导体制造技术的精髓。
评分这本书让我看到了半导体制造技术背后所蕴含的科学逻辑和工程智慧。作者在讲解每一个工艺步骤时，都不仅仅是描述“是什么”，更是深入分析“为什么”。例如，在讲解“CMP”（化学机械抛光）工艺时，书中详细解释了其工作原理，即通过化学腐蚀和机械研磨的协同作用，来实现晶圆表面的全局平坦化。作者会深入分析研磨液的成分（如氧化剂、络合剂、研磨颗粒等）如何影响抛光速率和表面质量，以及抛光垫的材料和结构如何影响研磨的均匀性和选择性。他还会提及CMP在多层金属互连中的关键作用，即如何通过CMP来平坦化每一层金属，为后续的金属化层提供一个光滑的基底。书中对“缺陷检测”的讲解也尤为精彩，作者列举了各种可能出现的缺陷类型，如颗粒、划痕、针孔、桥接等，并介绍了各种检测技术（如光学检测、粒子计数器、高分辨率成像等）如何用于识别和量化这些缺陷。他强调了“缺陷控制”是半导体制造的核心挑战之一，并且需要从材料、设备、工艺等多个维度进行协同管理。这本书的价值在于，它不仅仅是技术知识的传递，更是对一种严谨科学思维的培养。
评分这本书给我带来的最大价值在于它对于半导体制造技术发展历程的梳理和未来趋势的展望。作者并没有仅仅停留在对现有技术的介绍，而是通过历史的视角，让我看到了半导体产业是如何一步步发展到今天的。从最初的晶体管发明，到集成电路的诞生，再到如今的先进制程和三维堆叠技术，每一个里程碑式的进步背后，都凝聚着无数科学家和工程师的心血。书中对于摩尔定律的解读，既包含了其科学的定义和实际意义，也探讨了其面临的挑战和可能的终结。作者的分析让我意识到，半导体技术的进步并非一蹴而就，而是需要不断的技术革新和突破。特别让我感兴趣的是，书中对后摩尔定律时代的技术发展方向进行了大胆的预测，比如异构集成、Chiplet技术、新型半导体材料（如GaN、SiC）的应用前景，以及量子计算、人工智能对半导体产业带来的影响。这些前瞻性的分析，让我对半导体技术的未来充满期待，也为我提供了宝贵的行业洞察。作者在叙述中也穿插了一些行业发展中的趣闻轶事，使得原本严肃的技术讨论变得更加生动有趣，例如早期半导体公司之间的竞争，以及一些关键技术突破的偶然性。这种宏观视野的展现，让这本书不仅仅是一本技术手册，更是一部关于科技进步的史诗。
评分这本书的叙述方式让我印象深刻，它既有技术书籍的严谨性，又不失学术论文的深度和前沿性。作者在讲解每一个半导体制造流程时，都力求从基础原理出发，逐步深入到最先进的技术和概念。例如，在介绍晶圆制备时，书中详细阐述了硅晶体的生长过程，包括Czochralski法（CZ法）和浮区法（FZ法）的原理，以及如何通过控制温度、坩埚旋转速度和拉晶速度来获得具有特定晶向和缺陷密度的单晶硅棒，并最终切割成高品质的硅片。我特别喜欢书中关于“掩模版制造”那一章的讲解，它详细介绍了光刻掩模版的类型（如二进制掩模版、相移掩模版、衍射掩模版等），以及其制造过程中涉及的光刻、刻蚀、薄膜沉积等一系列复杂工艺。作者还深入分析了掩模版缺陷检测和修复技术的重要性，强调了掩模版质量直接关系到最终芯片的良率。此外，书中对一些新兴的半导体制造技术，如原子层沉积（ALD）、3D NAND闪存的制造挑战、以及高带宽内存（HBM）等先进封装技术，都进行了细致的介绍和分析。这些内容让我对半导体技术的发展前沿有了更直观的认识，也对未来的技术发展方向有了更清晰的把握。
评分这本书让我深刻体会到，半导体制造技术是一门高度交叉、不断演进的科学。作者在讲解中，并没有孤立地看待每一个工艺步骤，而是将其置于整个芯片制造的大背景下进行阐述，强调了各环节之间的相互关联和影响。例如，在讨论薄膜沉积和刻蚀的配合时，书中详细解释了如何通过精确控制薄膜的厚度和均匀性，以及刻蚀的侧向剖面，来获得所需的器件结构。作者还特别强调了“工艺窗口”的概念，即在保证最终产品性能的前提下，各个工艺参数允许的变动范围。他通过对各种可能导致工艺窗口缩小的因素进行分析，让我理解到，在实际生产中，如何找到并维持一个足够大的工艺窗口，是实现高良率生产的关键。书中还对“计量学”（Metrology）和“检测”（Inspection）在半导体制造中的重要性进行了详细阐述，我了解到，通过各种精密测量仪器（如扫描电子显微镜SEM、透射电子显微镜TEM、原子力显微镜AFM、椭偏仪等），以及在线检测设备，可以实时监控工艺过程的各项参数，及时发现和纠正潜在的问题。这种对质量控制体系的深入剖析，让我认识到，半导体制造不仅仅是技术的堆砌，更是对每一个细节的极致追求。
评分这是一本让人耳目一新、充满洞见的著作。当我翻开它时，就被作者严谨又不失趣味的笔触深深吸引。书中对于半导体制造核心环节的梳理，绝不仅仅是技术参数的堆砌，而是将抽象的工艺流程，通过生动的比喻和深入浅出的讲解，变得触手可及。例如，在阐述光刻技术时，作者并没有止步于介绍光刻机的原理和参数，而是通过类比我们日常生活中的“拍照”过程，解释了掩模版、光刻胶、紫外线等元素如何协同作用，如同精密的相机镜头和感光材料，在微观世界里雕刻出令人惊叹的电路图案。这种将复杂技术“平民化”的叙事方式，对于像我这样并非半导体行业背景的读者来说，无疑是一份宝贵的礼物，让我能够跨越技术壁垒，理解这个看似神秘的产业是如何运作的。更让我印象深刻的是，作者在讲解每一个工艺步骤时，都会深入剖析其背后的物理和化学原理，例如离子注入过程中不同离子的能量控制如何影响掺杂深度，以及化学机械抛光（CMP）过程中研磨液成分和压力如何决定表面平整度。这种对“为什么”的追根溯源，使得读者不仅仅是了解“怎么做”，更能理解“为什么这样做”，从而形成对半导体制造更深刻的认知。书中对于材料选择的考量，以及不同材料在特定工艺环境下表现的差异，也进行了细致的阐述，这让我意识到，半导体制造并非简单的组装，而是涉及多学科交叉、精密协同的复杂工程。总之，这本书为我打开了一扇通往半导体世界的大门，让我感受到了科技的魅力和人类智慧的结晶。
评分这本书的条理非常清晰，它像一本精心编排的乐章，每个章节都承接得恰到好处，层层递进。作者在讲解每一个半导体制造流程时，都会先概述其在整个芯片制造链中的位置和重要性，然后深入到具体的工艺原理、设备组成、以及关键的工艺参数。例如，在讲解“离子注入”工艺时，书中不仅介绍了离子源的原理、加速器的作用、以及离子束的形成和控制，还详细分析了不同掺杂元素（如硼、磷、砷）在硅材料中的扩散特性和激活机制。作者还提及了“退火”（Annealing）工艺在离子注入后的重要作用，即通过高温处理来修复注入损伤、激活掺杂原子，并降低电阻率。他会深入分析不同退火温度、时间和气氛对器件性能的影响，以及如何通过精确控制退火过程来优化器件的电学特性。书中还对“光刻胶”的种类（如正性光刻胶、负性光刻胶）及其化学反应机理进行了深入的探讨，让我理解了光刻胶是如何通过曝光和显影过程，在硅片上形成精确的图形模板的。这种由浅入深、由宏观到微观的讲解方式，让我对半导体制造的每一个环节都有了系统而深刻的认识。
评分补上，一门不开卷考试就茫然无措的课程。
评分补上，一门不开卷考试就茫然无措的课程。
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评分IC制程方面的专业书
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