Solid State Electronic Devices (6th Edition)

Solid State Electronic Devices (6th Edition) pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:Prentice Hall
作者:Ben Streetman
出品人:
页数:608
译者:
出版时间:2005-08-05
价格:USD 164.00
装帧:Hardcover
isbn号码:9780131497269
丛书系列:
图书标签:
  • 英文原版
  • 固态器件
  • 量子物理
  • 科学和心理学
  • 数学和计算机
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  • 集成电路
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具体描述

For undergraduate electrical engineering students or for practicing engineers and scientists, interested in updating their understanding of modern electronics. One of the most widely used introductory books on semiconductor materials, physics, devices and technology, this text aims to: 1) develop basic semiconductor physics concepts, so students can better understand current and future devices; and 2) provide a sound understanding of current semiconductor devices and technology, so that their applications to electronic and optoelectronic circuits and systems can be appreciated. Students are brought to a level of understanding that will enable them to read much of the current literature on new devices and applications.

《固态电子器件:基础与应用》 本书深入探讨了固态电子器件领域的核心概念、工作原理及其在现代科技中的广泛应用。我们将从半导体材料的基础知识出发,详细剖析载流子产生、输运和复合的物理机制。随后,我们将逐一审视各种关键的固态电子器件,包括但不限于: 二极管家族: PN结二极管、稳压二极管、肖特基二极管、光电二极管、发光二极管(LED)等,阐述它们各自的结构、特性、工作原理以及在整流、稳压、光电转换等方面的应用。 晶体管系列: 双极结型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET),包括结型场效应晶体管(JFET)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。我们将深入分析它们的沟道形成、电流控制机制、放大能力、开关特性,以及它们在放大电路、数字逻辑门、存储器等领域的关键作用。 功率器件: 探讨功率二极管、功率晶体管(如IGBT、MOSFET)以及可控硅(SCR)等器件,聚焦于它们在高电压、大电流应用中的性能表现、散热设计和保护电路。 集成电路基础: 介绍集成电路的基本结构、制造工艺流程,以及MOSFET作为CMOS集成电路核心器件的优势和应用。 新型与特种器件: 简要介绍一些前沿的固态电子器件,如MEMS(微机电系统)中的传感器和执行器、光电器件(如光电导、光电探测器)的先进应用、以及一些新兴的量子点和纳米材料器件的潜在发展方向。 本书旨在为读者提供扎实的理论基础和直观的理解,帮助他们掌握这些基本电子元件的工作原理,并能够将其应用于实际的电路设计和系统开发中。我们将辅以清晰的图示、详细的公式推导和典型的应用案例,让复杂的概念变得易于理解。无论您是电子工程专业的学生,还是希望深入了解现代电子技术工作原理的研究人员或工程师,本书都将是您不可或缺的学习资源。通过本书的学习,您将能够: 理解半导体材料的导电特性及其调控方法。 掌握各种二极管和晶体管的基本工作原理和电气特性。 分析不同固态电子器件在电路中的作用和性能。 了解集成电路的设计思想和制造过程。 初步认识新兴的固态电子器件及其发展趋势。 本书的内容涵盖了从基础的PN结到复杂的集成电路组件,致力于为您构建一个全面而深入的固态电子器件知识体系。

作者简介

目录信息

读后感

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用户评价

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对于一本技术类书籍来说,内容的更新和与时俱进是非常重要的,而这本《Solid State Electronic Devices (6th Edition)》在这方面显然做得非常到位。我能够感受到作者在编写过程中,充分考虑到了当前半导体技术的发展趋势和实际应用需求。例如,在讨论MOSFET时,它不仅覆盖了传统的CMOS技术,还对近年来发展迅速的FD-SOI(全耗尽绝缘体上硅)和FinFET等新型器件结构进行了介绍,并且分析了它们各自的优缺点以及在不同应用领域的潜力。这种对前沿技术的关注,让我能够站在巨人的肩膀上,更早地接触到未来的技术方向,并且为我未来的职业发展打下坚实的基础。此外,书中对一些关键的参数和模型进行了更新,使其更符合当前器件的实际性能表现,这对于进行准确的电路设计和分析至关重要。

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对于我这样的学生而言,一本好的教材不仅要传授知识,更要激发学习的兴趣。这本《Solid State Electronic Devices (6th Edition)》在这方面做得很成功。它不仅仅是冰冷的理论和公式,更是在字里行间透露着对科学探索的热情。书中一些关于半导体器件发展历史的介绍,或者关于某些科学家贡献的提及,都让我感受到了科技进步的魅力。同时,书中对一些前沿技术,例如纳米电子学、量子点器件等概念的初步探讨,也为我打开了新的视野,让我意识到这个领域远比我想象的更加广阔和充满挑战。每当我完成一个章节的学习,都会有一种豁然开朗的感觉,不仅掌握了新的知识,也对未来可能的研究方向产生了浓厚的兴趣。这种“授人以鱼不如授人以渔”的教学理念,让我学会了如何去主动思考和探索,而不是被动地接受信息。这种潜移默化的影响,对于一个学生的成长是至关重要的。

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我特别欣赏这本书在内容深度上的把握。它既没有像一些入门书籍那样流于表面,也没有像一些专业文献那样过于偏重理论而忽视了实际应用。书中对于每一个器件的讨论,都能够深入到其核心的物理机制,例如,在分析BJT的电流增益时,它会详细探讨载流子传输、少数载流子注入、基区复合等多种因素的影响,并且给出了相应的数学模型。同时,它又能够从宏观的角度,将这些器件在各种集成电路中的应用场景一一呈现,比如在运算放大器、存储器、数字逻辑门等电路中的作用。这种“微观到宏观”的视角,让我能够更全面地理解半导体器件在现代电子系统中所扮演的关键角色,也让我能够更好地将所学知识融会贯通,形成一个完整的知识体系。

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我必须强调一下这本书在图表和例题设计上的精良。作为一本理工科教材,清晰直观的图表是理解复杂概念的关键。这本书中的插图,无论是能带图、PN结截面图、还是各种器件的结构示意图,都绘制得非常精美,而且标注清晰,能够准确地反映出其所要表达的物理过程。特别是那些动态变化的示意图(虽然是静态的,但通过连续帧式的展示),能够帮助我理解电荷的运动、电场的分布等随时间或电压变化而改变的过程。在例题方面,这本书涵盖了从基础概念的简单应用,到复杂器件性能的详细计算,再到电路分析的综合运用,非常全面。而且,每一道例题都给出了详细的解题步骤和思路分析,让我能够模仿学习,并将这些方法应用到我自己的解题过程中。这不仅仅是提供了一个答案,更是提供了一种解决问题的思维模式,这对于提升我的解题能力非常有帮助。

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作为一名初学者,我最看重的是一本教材的循序渐进性,而这本《Solid State Electronic Devices (6th Edition)》在这方面做得非常出色。它并没有一开始就抛出复杂的概念和公式,而是从最基础的半导体材料特性讲起,比如晶体结构、能带理论等,这些内容用通俗易懂的语言加以解释,配合清晰的图示,让我能够非常容易地理解。当我遇到一些比较抽象的概念时,书中总会给出贴切的比喻或者实际的应用例子,比如用“电子在不同能量‘台阶’上的跳跃”来类比电子在能带中的运动,这种方式极大地降低了理解门槛。更重要的是,它并没有止步于理论的介绍,而是非常自然地过渡到各种器件的工作原理,比如PN结的形成、二极管的伏安特性曲线,再到三极管和场效应管的结构以及放大和开关特性。在讲解每一个器件时,作者都力求从最根本的物理机制出发,层层递进,让你明白“为什么”会这样,而不是仅仅记住“是什么”。书中大量的例题和习题,也为我的学习提供了巩固和检验的机会,这些题目不仅涵盖了基本概念的理解,还涉及到实际参数的计算和分析,非常有助于将理论知识转化为解决问题的能力。

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这本书的语言风格让我感到非常舒畅,作者的遣词造句非常准确,既有学术的严谨性,又不失清晰和易懂。即使是对于一些非常复杂的半导体物理概念,作者也能用相对直白的语言进行解释,避免了使用过多晦涩难懂的专业术语,或者即使使用了,也会在首次出现时给出详细的定义和解释。这种“润物细无声”的教学方式,让我能够在一个相对轻松的环境下,逐步深入地理解书中的内容。而且,作者在逻辑连接词的使用上也做得非常出色,例如“因此”、“然而”、“此外”等词语的恰当运用,使得段落之间的过渡非常自然,章节之间的衔接也更加紧密,让我能够清晰地把握知识的脉络。这种流畅的阅读体验,对于长时间学习来说是非常重要的,它能够有效避免因为语言障碍而产生的学习疲劳,让我在知识的海洋中更加自如地航行。

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这本书最让我印象深刻的是它在深入讲解的同时,也注重将理论与实践紧密结合。每一次对某个器件工作原理的阐述,往往都会紧随其后地介绍该器件在实际电路中的应用,以及可能遇到的实际问题和解决方法。比如在讲解MOSFET时,它不仅仅分析了其电场效应和沟道形成,还详细阐述了其在开关电源、放大器电路中的具体应用,甚至还提及了工艺制程对器件性能的影响,例如阈值电压的漂移、短沟道效应等。这些内容对于我们这些希望将理论知识应用于实际工程设计的学生来说,无疑是极其宝贵的。书中提供的电路图和仿真结果分析,也让我能够更直观地理解器件在不同工作状态下的行为。而且,在一些关键的章节,它还会引用最新的研究进展或者行业标准,让你了解到当前半导体领域的前沿动态,这对于保持学习的积极性和前瞻性非常重要。这种理论与实践并重的教学方式,让我不仅仅是在“学习”半导体器件,更是在“理解”它们如何被创造、如何被应用,以及未来可能的发展方向,这是一种更深层次的学习体验。

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我个人非常喜欢这本书在结构上的逻辑性和清晰度。每一章都围绕着一个核心的主题展开,从基础概念到深入分析,再到相关器件的应用,层层递进,结构严谨。即使我对某个概念不是很熟悉,也可以通过回顾前几章的内容,逐步建立起完整的知识体系。作者在叙述时,语言风格非常严谨,但又不失条理,不会出现那种含糊不清或者跳跃性过强的表达。每个公式的推导都力求严密,而且都会解释清楚每个符号的含义以及其物理意义。更让我赞赏的是,在一些关键的定理或者效应的阐述中,作者会花费大量的篇幅去解释其背后的物理原理,而不是仅仅给出一个结论。例如,在讲解“雪崩击穿”和“齐纳击穿”时,它会详细分析不同击穿机制的微观过程,以及它们对器件性能的影响,这对于我理解二极管的可靠性以及高压应用场景至关重要。这种细致入微的讲解方式,让我能够真正地理解这些复杂现象的本质,而不是死记硬背。

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这本书的装帧设计本身就透露着一种严谨与专业,厚重而又不失现代感,仿佛它承载了半个多世纪以来半导体器件研究的厚重历史,又像是一个充满活力的知识宝库,等待我去探索。封面的配色稳重,字体清晰,光是摆在书架上,就足以让人产生一种想要翻开它的冲动。打开扉页,那纸张的质感也很是考究,不是那种廉价的影印纸,而是带着一丝淡淡的油墨香,触感温润,翻阅起来非常舒适,即便长时间阅读也不会觉得刺眼。书中的排版布局也十分合理,文字大小适中,段落间的留白也恰到好处,不会让人觉得拥挤,反而能够清晰地引导视线,让我在阅读过程中能够更专注于内容本身。每一章节的标题都清晰明了,目录的编排也十分系统,能够让我快速定位到我感兴趣的部分。而且,这本书的整体重量也控制得很好,虽然厚实,但拿在手里并不会觉得过于沉重,这对于需要经常带着书本进行学习和查阅的学生来说,无疑是一个非常友好的细节。总而言之,从这本书的外观到内页的触感,都传递着一种对品质的追求,让我对即将开始的阅读之旅充满了期待,这种精良的制作本身就是一种无声的承诺,预示着这本书将是我学习路上的得力助手。

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这本书的编排设计,特别是章节之间的衔接和知识点的回顾,做得非常出色。作者并没有将每个章节都当作一个独立的单元来处理,而是在后续章节中,会巧妙地引用或回顾前面章节已经介绍过的概念,从而加深读者对知识的理解和记忆。例如,在讲解场效应管时,作者会再次提及能带理论和PN结的知识,帮助读者建立起新的联系。而且,在一些关键章节的末尾,还会提供总结性的回顾,帮助读者梳理本章的核心内容,并且预告下一章将要学习的内容,这种“承前启后”的教学方式,让我能够更好地理解知识的内在联系,并且保持学习的连贯性,避免了学习过程中出现“断层”的感觉。这种精心设计的学习路径,让我在学习过程中,始终感觉自己是在不断地进步和成长。

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